ST, 차세대 마이크로컨트롤러 위해 20나노 장벽 극복

[테크월드뉴스=박규찬 기자] ST마이크로일렉트로닉스(ST)가 차세대 임베디드 프로세싱 기기를 지원하기 위해 ePCM(embedded Phase Change Memory)을 탑재한 18nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator) 기술 기반의 첨단 프로세스를 21일 발표했다.

ST와 삼성 파운드리가 공동 개발한 이 새로운 프로세스 기술은 임베디드 프로세싱 애플리케이션의 성능과 전력 소모를 위해 가격 경쟁력을 높이는 동시에 더 큰 메모리 용량과 아날로그 및 디지털 주변 장치를 한증 더 높은 수준으로 통합하게 해준다.

이 새로운 기술에 기반한 최초의 차세대 STM32 마이크로컨트롤러는 2024년 하반기에 일부 고객을 대상으로 샘플을 제공할 예정이며 2025년 하반기에 본격 생산될 예정이다.

ST의 마이크로컨트롤러, 디지털 IC 및 RF 제품 그룹 레미 엘 우아잔(Remi El-Ouazzane) 사장은 “ST는 반도체 업계를 선도하는 혁신 기업으로서 자동차 및 항공우주 애플리케이션을 지원하는 FD-SOI 및 PCM 기술을 개발해 고객에게 제공해 왔다”며 “이제 차세대 STM32 마이크로컨트롤러를 출발점으로 삼아 다음 단계로 나아가면서 산업용 애플리케이션 개발자에게 이러한 기술의 이점을 제공하고자 한다”고 밝혔다.

현재 사용 중인 ST 40나노 eNVM(embedded Non-Volatile Memory) 기술과 비교했을 때 ePCM이 적용된 18나노 FD-SOI는 주요 성능을 크게 향상시켜 준다.

이 기술은 3V로 동작할 수 있어 전원 관리, 재설정 시스템, 클록 소스, 디지털/아날로그 컨버터와 같은 아날로그 기능을 제공하며 이러한 성능을 지원하는 유일한 20나노 미만 기술이다. 또 자동차 애플리케이션에서 입증된 바 있는 강력한 고온 작동, 방사선 경화, 데이터 보존 기능으로 까다로운 산업용 애플리케이션에 필요한 신뢰성을 제공하고 있다.

이처럼 비용 경쟁력 높은 기술에 기반한 마이크로컨트롤러를 통해 개발자는 새로운 차원의 고성능 저전력 무선 MCU를 이용할 수 있다. 대용량 메모리는 엣지 AI 프로세싱, 다중 프로토콜 RF 스택, 무선 업데이트, 첨단 보안 기능에 대해 증가하는 니즈를 충족하도록 해준다.

마이크로프로세서를 사용하는 개발자의 경우 이제 고성능 대용량 메모리 기능을 통해 설계 작업에서 보다 고집적이고 비용 효율적인 마이크로컨트롤러를 사용할 수 있다. 또 현재 업계를 선도하는 ST의 포트폴리오를 통해 초저전력 장치의 전력 효율을 한 단계 더 높일 수 있다.

이 기술을 기반으로 하는 최초의 마이크로컨트롤러는 최첨단 ARM Cortex-M 코어를 통합해 머신러닝 및 디지털 신호 프로세싱 애플리케이션의 성능을 향상시키게 된다.

아울러 빠르고 유연한 외장 메모리 인터페이스와 첨단 그래픽 기능을 제공하며 수많은 아날로그 및 디지털 주변 장치를 통합할 수 있다. ST의 최신 MCU에 이미 도입된 첨단 인증 보안 기능도 갖추게 된다.