한국전자통신연구원 CI. [이미지=한국전자통신연구원]
한국전자통신연구원 CI. [이미지=한국전자통신연구원]

[테크월드뉴스=노태민 기자] 차세대 핵심 반도체 소재인 산화갈륨(Ga2O3)과관련하여 국내 연구진이 30일부터 사흘간, 대전컨벤션센터에서‘제5회 산화갈륨전문학술워크숍’을 개최한다. 

산화갈륨은 실리콘(Si), 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC)와 같은 반도체 물질이다. 

하지만 기존 반도체 소재들보다 에너지 밴드 갭(Band Gap)이 넓은 울트라와이드 밴드 갭(Ultra-wide bandgap, UWBG) 소재로 더 높은 전압과 온도에서도 더 높은 전력효율을 갖는다. 

또한, 기존 소재에는 적용하기 어려운, 용융상 성장법(Melt-growth method)을 통해 용액에서 고품질 대면적 웨이퍼로 만들기가 쉬워 저비용으로 대형 고전력 소자 제작이 가능하다. 
 
산화갈륨전문학술워크숍은 한국산화갈륨기술연구회 주관으로 국내에서 유일하게 열리는 ‘산화갈륨’반도체 소재·디바이스 및 응용기술 전문가 학술 워크숍이다. 

이번 워크숍은 '산화갈륨으로 꿈꾸는 미래 탄소중립과 신시장 개척'을 주제로 산화갈륨 관련 30편의 최신 연구결과 논문발표와 정부지원 R&D 연구성과물 전시회 등으로 진행된다.

이번 워크숍에서는 ▲원료 및 단결정 성장기술 ▲에피성장 및 도핑기술 ▲응용소자 및 공정기술 ▲시뮬레이션 및 특성분석 등 4개 세션을 통해 최신 산화갈륨 소재·디바이스·응용기술 관련 30편의 논문발표가 진행된다. 

아울러 정부 R&D 지원을 통해 창출한 ▲산화갈륨 파우더 ▲산화갈륨 단결정 벌크 잉곳 ▲산화갈륨 에피 소재 그리고 ▲세계 최초의 4인치 대면적 산화갈륨 전력반도체 소자 등 산화갈륨 연구성과를 한자리에 전시하여 국내 산화갈륨 연구개발 수준을 실물로 확인할 수 있다.

김경환 한국전기전자재료학회장은“산화갈륨워크숍과 이를 주관하는 한국산화갈륨기술연구회는 산화갈륨 반도체에 대한 산·학·연 기술교류, 연구개발 저변확대를 위해 노력하고 있다. 대한민국의 새로운 탄소중립 시장 창출과 글로벌 산화갈륨 기술 발전에 지대한 공헌을 할 것으로 기대하고 있다”고 말했다.

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