삼성전자, GAA 적용한 3나노 파운드리 양산 출하식 개최

[테크월드뉴스=노태민 기자] 삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 EUV전용 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노(nm) 파운드리 제품 출하식을 개최했다.

행사에는 산업통상자원부(산자부) 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3nm GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다.
 
정기태 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3nm 공정에 본격 적용해 지난달 GAA 기술이 적용된 3nm 공정 양산을 성공했다.

삼성전자는 3nm GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.

한편, 삼성전자는 화성캠퍼스에서 3nm GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.

경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사는 "삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"고 임직원들을 격려하며, "핀펫(FinFET) 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 말했다.

산자부 이창양 장관은 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의 노고에 감사를 표하고, "치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라"고 당부하며, "정부도 지난주 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라 강조했다.