[테크월드뉴스=서유덕 기자] ACM리서치가 화합물 반도체 제조를 지원하는 세척·패키지 장비를 출시했다고 4일 밝혔다.
ACM의 150~200㎜ 브리지 시스템은 갈륨비소(GaAs)와 갈륨질화물(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 공정을 포함한 화합물 반도체를 위해 프론트엔드 세척과 웨이퍼레벨패키징(WLP) 애플리케이션을 지원한다. 화합물 반도체 습식 공정 제품에는 코팅기와 현상액, 포토레지스트(PR) 스트리퍼, 습식 식각 장비, 클리닝 장비, 금속 도금 장비가 포함된다. 이들 장비는 평면·노치 웨이퍼를 위한 자동화 시스템을 갖췄다.
ACM 사장 겸 CEO인 데이비드 왕(David Wang) 박사는 “다양한 시장 수요 증가에 따라 화합물 반도체 산업은 빠르게 성장하고 있다”며 “ACM은 프론트엔드와 WLP 시리즈 제품의 전문 지식과 기술을 활용해 화합물 반도체의 특정 기술을 다루기 위한 고성능 고효율 시스템을 제공하고 있다”고 설명했다. 이어 “GaAs와 GaN, SiC 같은 화합물 반도체가 전기차와 5G 통신 시스템, 인공지능 솔루션에 점차 확산하고 있기 때문에, 최근 복합 반도체 장비 시장은 ACM에 상당한 성장 기회를 제공하고 있다"고 말했다.
이번에 ACM이 출시한 장비 9종은 다음과 같다.
▲ Ultra C SiC 세척 장비는 표면 산화를 위한 과산화황 혼합물(SPM)과 잔류물을 제거하기 위한 불화수소산(HF)을 사용하는 SiC 웨이퍼 세척을 진행한다. 또 ACM의 SAPS, 메가소닉(Megasonix) 기술을 사용해 장치 기능 손상 없이 포괄적·전면적인 클리닝을 수행한다. Ultra C SiC 세척 장비는 웨이퍼당 0.3마이크로미터(㎛, 1㎛는 10-6m) 이하 크기의 미세 입자를 세척한다. 2022년 하반기 출시 예정인 이 장비는 시간당 웨이퍼를 70개 이상 처리할 수 있다.
▲ Ultra C 습식 식각 장비는 10% 미만의 공평면도와 3% 미만의 반복성으로 GaAs와 인듐갈륨인화물(InGaP) 공정에 대해 2% 미만의 균일성을 달성한다. Ultra C 습식 식각 장비는 고성능 화학적 온도 제어, 에칭 균일성, 고순도 수소를 제공한다. 이 장비는 2021년 3분기에 주요 고객에 첫 공급됐고 초기 고객 테스트를 완료했다.
▲ Ultra ECP GIII 1309 장비는 구리(Cu), 니켈(Ni), 주석 은(SnAg)을 위한 구리 기둥과 솔더는 물론 통합된 사전 습식과 사후 통합을 통해 재분배층(RDL)과 범프 언더 금속화(UBM) 공정을 지원한다. 이 장비는 웨이퍼와 몰드에서 3%(최대-최소/2Ave) 미만의 균일성과 2% 미만의 반복성을 달성한다. 이 장비는 2021년 중반에 주요 고객에게 처음 납품됐으며, 고객 테스트도 마쳤다.
▲ Ultra ECP GIII 1108 장비는 사전 습식과 사후 세척 챔버가 통합된 금(Au) 범핑, 박막, 딥 비아 프로세스를 제공한다. 스텝 커버리지를 개선하기 위해 딥 비아 도금에 ACM의 입증된 패들 기술을 사용한다. 3% 미만의 웨이퍼·다이 내 균일성과 2% 미만의 반복성을 달성한다. 챔버와 탱크는 금 전해질의 산화를 방지하도록 설계됐으며, 탱크에는 산화를 줄이기 위한 질소 가스(N2) 퍼지 기능이 있다. 첫 번째 Ultra ECP GIII 1108 장비는 2021년 말에 주요 고객에게 공급됐고 테스트를 완료했다.
▲ Ultra C ct 접착 장비는 2차 스핀 접착 기술을 사용해 균일한 접착을 달성한다. 이 장비는 정밀 접착 제어, 자동 세척 기능, 열판·냉각판 모듈, 각 캐비티의 독립적인 공정 제어 기능을 갖췄다.
▲ Ultra C dv 현상 장비는 노출 후 베이킹, 현상, 하드 베이킹의 핵심 단계에 쓰인다. 이 장비로 필요에 따라 유량을 ±0.03 LPM, 온도를 ±0.5℃ 범위 내로 제어할 수 있다.
▲ Ultra C s 스크러버 시스템은 ACM 습식 세정 기술에 기반해 오염 물질 제거효과를 달성할 수 있다. N2 스프레이나 고압을 통해 높은 성능을 구현하고 더 작은 입자를 효과적으로 세정한다. 또 ACM의 스마트 메가소닉 기술과 호환돼 더 미세한 패턴 구조를 손상시키지 않으면서 입자를 제거할 수 있다.
▲ Ultra C pr 습식 스트리핑 장비는 습식 벤치 탱크 소킹과 단일 웨이퍼 처리를 활용해 화합물 반도체 스트리핑 효율성을 극대화한다. 이 장비는 최근 종합반도체회사(IDM)에서 주문한 바 있다.
▲ 실리콘 관통 전극(TSV) 공정과 팬 아웃 웨이퍼 레벨 패키징(FOWLP)에 쓰이는 Ultra SFP는 기존 화학 기계 연마(CMP)보다 환경 친화적이다. ACM의 SFP 시스템은 전기 폴리싱 기술로 벌크 구리 과부하를 0.2㎛까지 제거하고 CMP를 사용해 남은 구리를 장벽 층까지 더 제거한다. 또 습식 식각으로 장벽 층을 제거한다. 이로써 소모재 비용을 절감할 수 있다. FOWLP의 경우 동일한 공정은 두꺼운 구리층의 응력에 의한 웨이퍼 뒤틀림을 제거할 수 있다.
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