실리콘랩스, 절연형 게이트 드라이버 ‘Si828x 버전 2’ 출시

[테크월드뉴스=이재민 기자] 실리콘랩스(Silicon Labs)가 SiC FET 게이트를 효과적으로 구동하는 절연형 게이트 드라이버 제품군에 ‘Si828x 버전 2’를 추가한다.

이번 신제품을 통해 실리콘랩스는 더 높은 전력 밀도, 발열이 적은 작동, 줄어든 스위칭 손실을 요구하는 하프-브리지 및 풀-브리지 인버터와 전원공급장치 시장에 대응할 수 있게 됐다.

Si828x 버전 2의 4A 피크 게이트 구동 전류는 SiC FET, IGBT를 효율적으로 단속하고, DC-DC 컨버터를 통합해 설계를 단순화하며 시스템의 운영 비용을 절감시킨다. 또한, 향상된 CMTI(common mode transient immunity)를 통해 스위칭 전환 시간이 짧아지고 스위칭 주파수가 높아져, 시스템 전력 손실을 줄인다.

아울러 추가적인 UVLO(undervoltage-lockout) 설정을 통해 SiC FET의 유연성을 향상시키고, 잘못 제어된 전원공급장치로부터 보호한다.

브라이언 미르킨(Brian Mirkin) 실리콘랩스 부사장 겸 전력 제품 총괄 매니저는 “Si828x 제품군은 하이브리드(HEV), 전기자동차(EV), 산업용 애플리케이션 등에 이상적”이라며 “자동차 충전기 및 트랙션 인버터 설계 시 전력 스위칭 용도로 SiC FET를 사용하는 고객은 Si828x 특유의 견고한 게이트 드라이브, 강력한 불포화 오류 응답, 효율을 높이는 밀러 클램프 조합 등을 통해 많은 이점을 얻을 수 있다”고 말했다.