온세미컨덕터(이하 온세미)가 전통적인 모놀리식 비적층식 설계에 비해 적은 다이 면적과 높은 픽셀 성능을 지닌 적층식 CMOS 이미징 센서의 개발에 성공했다.
적층식 CMOS 이미징 센서는 온세미의 기술이 총망라돼 있다. 3D 스택킹 기술이 적용된 이 센서는 픽셀 어레이와 보조 회로를 별도의 기판에서 제조하고 TSV(through silicon vias)를 통해 연결시킴으로써 적층된다. 이러한 적층방식은 픽셀을 하부 회로와 포개지도록 해 다이의 면적을 효율적으로 줄여준다.
또 이 이미징 센서는 픽셀 어레이 최적화를 통해 픽셀 성능을 향상시키고 노이즈 레벨을 낮춰 픽셀성능을 개선시킴으로써 설계 엔지니어가 각 센서 파트의 이미징 성능과 비용, 전원 및 다이 사이즈를 최적화할 수 있게 한다.
보다 적극적인 설계 방법을 하부 회로에 이용하면 전력 소비를 더 낮출 수 있다. 전반적인 풋프린트 면적이 적을수록 광학 이미지 안정화(OIS) 기능과 추가된 데이터 스토리지들을 동일 모듈 풋프린트에 집적하는 오늘날의 고급 카메라 모듈에 적합하다.
센도 바나(Sandor Barna) 온세미 이미지 센서 그룹 기술 담당 부사장은 “3D 스택킹 기술은 온세미컨덕터의 미래형 센서를 최적화하여 우리의 능력을 증진시켜 주는 혁신을 기록했다”며 “이 기술은 센서 제품 포트폴리오 전반에 걸쳐 지속적인 성능 리더십을 이끌어나가도록 제조 및 설계의 유연성을 제공한다”고 설명했다.
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