온세미컨덕터, 새로운 650V SiC MOSFET 공개

[테크월드뉴스=이재민 기자] 온세미컨덕터가 새로운 650V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 디바이스를 공개했다.

이 디바이스는 실리콘에 비해 우수한 스위칭 성능과 개선된 열특성을 제공하는 새로운 와이드밴드갭(WBG) 소재를 기반으로 하고 있다. 이를 통해 시스템 레벨에서 효율성을 높이고, 전력 밀도를 향상시킨다. 또한 전자파(EMI)를 낮추고, 시스템 크기와 중량도 줄일 수 있다.

SiC MOSFET은 650V 내압에서 업계 최고의 Rsp(Rdson x 넓이)를 구현할 수 있는 첨단 박형 웨이퍼 기술을 활용한 새로운 활성 셀 설계법을 채택했다. D2PAK7L과 To247 패키지로 제공되는 NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1, NTH4L015N065SC1 등은 시장에서 가장 낮은 12밀리옴(mOhm)의 온저항을 보여준다. 이 기술은 자동차와 산업용 애플리케이션에서 에너지 손실 수치 지수에 대해 최적화된 성능을 제공한다. 내부 게이트 저항(Rg)을 이용하면 설계자가 외부 게이트 저항을 추가해 인위적으로 디바이스의 속도를 더 낮출 필요가 없어지므로 설계 유연성을 높일 수 있다. 또한 높은 서지와 아발란치를 견디며 쇼트 서킷 견고성을 갖춰 내구성이 강화되고 신뢰성이 증가해 디바이스 수명을 높일 수 있다.

아시프 자콰니(Asif Jakwani) 온세미컨덕터 첨단전력부문 수석 부사장은 “새로운 SiC MOSFET은 다른 실리콘 스위칭 기술에 비해 성능이 크게 향상됐다”며 “엔지니어들이 SiC MOSFET으로 효율적이며 신뢰도가 높은 전력 솔루션을 얻게 될 것”이라고 말했다.