플렉서블 스마트기기용 유기 트랜지스터 개발

[테크월드=조명의 기자]

한국표준과학연구원(KRISS)은 플렉서블 스마트기기의 핵심소자인 유기 트랜지스터를 수직으로 쌓는 새로운 방법을 개발해 성능을 향상하는데 성공했다고 밝혔다.

KRISS 소재융합측정연구소 임경근 선임연구원, 독일 드레스덴 공대, 홍콩 중문대 공동연구팀은 비싸고 복잡한 공정 없이 간단한 전기화학적 공정만으로 유기 트랜지스터를 수직으로 쌓았다. 기존 수평방식의 유기 트랜지스터보다 구동속도 증가, 전류 증가, 전압 감소 등 모든 부분에서 개선을 이뤄 정보처리 성능이 크게 향상됐다.

현재 상용화된 폴더블 폰은 디스플레이 한 면만 접었다 펼 수 있게끔 만들어졌다. 디스플레이 전체를 구부리고 늘리거나, 신문지처럼 둘둘 말아 사용하기 위해서는 기기 내 탑재되는 정보처리 및 정보저장 반도체 소자, 배터리 등 모든 부품이 유연해야 한다.

그중에서도 정보를 처리하고 저장하는 반도체 소자인 트랜지스터 성능에 따라 스마트기기의 성능이 결정되므로, 이의 상용화를 위해선 값싸고 유연하며 고성능인 트랜지스터 개발이 필요하다.

유기 트랜지스터는 가볍고 유연하며 소재의 가격도 저렴해 대량생산이 가능하다는 장점이 있다. 그러나 무기물 반도체보다 구동전력이 크고 반응시간이 느려 트랜지스터로서 성능이 제한돼 왔다.

이런 이유로 대다수 기업과 연구소 등은 반도체 소자를 조밀하게 배열하기 위해 포토리소그래피, 관통전극 등 기술을 사용하고 있다. 이 기술은 하나의 소자를 깎고 붙여 만드는 수작업과 같아 기술 난이도가 높고 비용이 많이 들 뿐 아니라, 무기 반도체에 적용되는 기술이므로 유기 반도체에는 적용이 어렵다는 단점이 있다. 

공동연구팀은 이를 해결하기 위해 산업현장에 사용되는 대표적 전기화학적 공정인 아노다이징(Anodizing)에 주목해 전계효과 트랜지스터(FET)에 응용했다. 기존의 깎아내고 붙이는 방식이 아닌, 화학반응을 통해 미세 구조체를 아래에서부터 쌓는 방식을 개발한 것이다.  

아노다이징은 수용액에 알루미늄 전극 패턴이 포함된 소자를 담그고 전압을 인가해 전극 표면에 일정한 형상의 산화알루미늄 산화막을 생성하는 공정이다.

이 방식을 사용하면 전기화학적 처리만으로 나노미터(nm) 간격으로 미세하게 배열된 반도체 소자의 전극을 손쉽게 제작하고, 전자의 흐름을 효과적으로 제어해 수직구조 트랜지스터 성능을 높일 수 있다. 

기존 수평 방식의 유기 트랜지스터보다 최대 구동 속도 100배 증가, 구동 시 흐를 수 있는 최대 전류는 10,000배 증가했고, 구동에 필요한 전압은 1/3배 감소했다. p형 반도체, n형 반도체, 저분자와 고분자 등 유기 반도체의 종류에 상관없이 균일한 결과를 얻었다.

임경근 KRISS 선임연구원은 “이번 기술은 궁극적으로 형태가 자유롭게 변하는 디스플레이, 센서, 반도체 소자와 같은 차세대 스마트기기의 개발 시기를 앞당길 것”이라고 밝혔다.

한국연구재단 신진연구자지원사업의 지원을 받은 이번 연구결과는 재료분야의 세계적 학술지인 어드밴스드 펑셔널 머티리얼스(Advanced Functional Materials, IF: 15.621)에 게재됐다.