ST, 엑사간 최대 지분 인수로 ‘GaN’ 영역 확장
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ST, 엑사간 최대 지분 인수로 ‘GaN’ 영역 확장
  • 선연수 기자
  • 승인 2020.03.27 13:20
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[테크월드=선연수 기자] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 프랑스의 엑사간(Exagan)의 최대 지분 인수 합의를 마쳤다.

 

엑사간은 ‘GaN-on-Silicon(실리콘 위에 GaN을 올린)’ 기술을 활용해 기존 실리콘 기반 제품 대비 더 작고 효율적인 전기 컨버터를 만드는 데 주력하는 기업이다. 엑사간이 만드는 GaN 전력 스위치는 표준 200mm 웨이퍼 팹에서 생산할 수 있도록 설계돼 있다.

GaN(갈륨나이트라이드, Gallium Nitride)는 실리콘 카바이드를 비롯한 와이드 밴드갭(WBG, Wide Bandgap) 재료군에 속한다. GaN에 기반한 디바이스는 고주파 동작을 제공하고 전력 밀도가 높으며 전력을 절감해주는 등 차세대 전력 전자장치의 주요 솔루션으로 각광받고 있다.

ST는 이번 인수 작업으로 에피택시 기술과 제품 개발, 애플리케이션 노하우에 대한 엑사간의 전문성을 활용해, 자동차, 산업, 컨슈머 애플리케이션에 최적화된 전력 GaN 로드맵과 비즈니스를 확장해나갈 방침이다. 엑사간은 진행해오던 제품 로드맵을 계속 추진해나가며, 제품 공급에서 ST의 지원을 받게 된다.

인수 종료는 프랑스 당국의 관례적 규제 승인을 거쳐야 하며, 거래 조건은 비공개다. ST는 최대 지분 인수 종료 후 24개월이 지나면 남은 소수의 지분도 마저 인수하게 된다. 거래 자금은 가용 현금으로 조달된다.

한편, ST는 현재 프랑스 투르(Tours)에서 진행 중인 CEA-Leti와의 개발사업과 함께 TSMC와의 협업도 계속 추진하고 있다.



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