온세미컨덕터, 1200·900V SiC MOSFET 신제품 출시
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온세미컨덕터, 1200·900V SiC MOSFET 신제품 출시
  • 선연수 기자
  • 승인 2020.03.12 16:20
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[테크월드=선연수 기자] 온세미컨덕터가 와이드밴드갭(WBG) 기기의 적용 범위를 확장하는 새로운 SiC(실리콘카바이드) MOSFET 제품군을 출시했다.

 

새롭게 출시되는 1200V, 900V N-채널 SiC MOSFET은 실리콘 제품 대비 스위칭 성능과 신뢰성이 더 높아졌다. 고속 내장 다이오드의 역회복 전하가 작아 전력 손실도 크게 줄였으며, 동작 주파수를 높여 전체 솔루션의 전력 밀도를 높였다.

정격 최대 전류의 경우 1200V 제품은 130A(ID 최대), 900V 제품은 118A다. 더 높은 전류를 요하는 애플리케이션에서는 양의 온도 계수와 독립성으로 MOSFET을 쉽게 병렬 동작시킬 수 있다.

신제품은 태양광 발전 인버터, 전기 자동차(EV)를 위한 온-보드 충전, 무정전 서버 전원 공급장치(UPS), 서버 공급 장치, EV 충전소 등 요구조건이 까다로운 다양한 애플리케이션을 위해 고안됐으며, 실리콘 MOSFET으로는 실현할 수 없던 수준의 성능을 지원한다.

온세미컨덕터 SiC MOSFET 전 제품은 납이나 할로겐이 포함돼 있지 않으며, 자동차 애플리케이션용 디바이스는 AEC-Q100 인증과 PPAP를 지원한다. 제품은 모든 디바이스는 업계 표준인 TO-247나 D2PAK 패키지로 제공된다.


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