인텔, 1000만 번째 QLC 3D 낸드 SSD 생산
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인텔, 1000만 번째 QLC 3D 낸드 SSD 생산
  • 선연수 기자
  • 승인 2020.02.12 10:37
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[테크월드=선연수 기자] 인텔 메모리·스토리지 그룹이 지난주 중국 다롄에서 제조된 QLC 낸드 다이에 기반한 1000만 개째의 QLC 3D 낸드(NAND) 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 생산했다.

 

이 SSD는 2018년 말 생산이 시작됐으며 인텔 SSD 660p, SSD 665p, 인텔 옵테인(Optane) 메모리 H10 스토리지 솔루션에 사용된다. QLC 드라이브는 셀 당 4 비트로, 64단과 96단 낸드 사양에 데이터를 저장한다.

인텔은 이를 위해 10여년 간 개발을 이어왔으며, 2016년 플로팅게이트(FG, Floating Gate) 기술의 방향을 수직으로 바꿔 게이트 올 어라운드(Gate All-Around) 구조로 구성하는 3D 트라이-레벨 셀(TLC, Triple-level cell) 기술로 다이 당 384 기가 바이트를 저장할 수 있게 됐다. 2018년에는 다이 당 1024기가바이트를 저장할 수 있는 3D QLC 플래시를, 2019년에는 96 층의 레이어를 구현해 전체 면적 밀도를 줄이는 결과를 기술을 선보였다.

인텔 클라이언트용 SSD 전략 기획/제품 마케팅 부문 데이브 런델(Dave Lundell) 담당 디렉터는 “많은 사람들이 QLC 기술에 대해 이야기해 왔지만, 인텔은 QLC 기술의 대규모 출하에 성공했다. QLC SSD의 비용 효율적인 용량, 인텔 옵테인(Optane)의 기술력, QLC 솔루션을 결합한 성능에 대한 강력한 수요가 있음을 인지하고 있다”고 밝혔다.


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