[테크월드=선연수 기자] 인피니언 테크놀로지(이하 인피니언)가 EiceDRIVER 제품군으로 SOI(Silicon On Insulator) 기술에 기반한 650V 하프 브리지 게이트 드라이버를 출시한다.

 

새로 출시된 게이트 드라이버는 우수한 네거티브 트랜션트 전압 내성을 가지며, 부트스트랩 다이오드를 모노리딕 방식으로 통합해 래치업 내성이 뛰어나다. 이를 활용해 MOSFET과 IGBT에 기반한 인버터 애플리케이션에서 BOM 비용을 줄이고, 강건성과 신뢰성을 높일 수 있다.

신제품은 2.5A 고전류 EiceDRIVER 제품인 2ED218x과 0.7A 저전류 제품인 2ED210x으로 나뉜다. 두 제품군 모두 셧다운 기능과 개별적인 로직·전원 접지를 포함한 다양한 구성의 제품을 제공한다. 부트스트랩 다이오드가 내장돼 36Ω의 정격 온저항에서 빠른 역회복 특성을 보이며, -100V의 반복적인 300ns 펄스에 대한 네거티브 트랜션트 내성은 우수하다.

인터록 기능을 사용해 데드 타임 기능을 지원하고, 상하측 전원에 대한 독립적인 게이트 저전압 록아웃(UVLO, Under Voltage Lock Out) 기능으로 안전성을 제공한다. 게이트 드라이버의 전달 지연시간은 200ns다.

출력 전류가 높은 2ED218x 제품은 인덕션 레인지, 에어컨 컴프레서, SMPS, UPS 같은 고주파 애플리케이션에 활용이 적합하며, 출력 전류가 낮은 2ED210x 제품은 가전기기, 전동 공구, 모터 제어와 드라이브, 팬, 펌프 등에 적용할 수 있다.

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