넥스페리아, 고성능·고효율 GaN FET 출시

[테크월드=김경한 기자] 넥스페리아(Nexperia)는 ±20V의 V_GS(게이트-소스 전압)와 -55~175°C의 동작 온도 범위를 지원하는 650V GAN063-650WSA 디바이스를 출시했다고 밝혔다. 이를 통해 넥스페리아는 GaN(질화 갈륨) FET(전계 효과 트랜지스터) 시장에 본격적으로 진출할 계획이다. 

GAN063-650WSA는 60mΩ 이하의 낮은 R_DS(on) 저항과 빠른 스위칭 속도를 통해 매우 뛰어난 효율을 달성한다. 

넥스페리아는 이 신제품이 xEV(전기자동차), 데이터센터, 텔레콤 인프라, 산업 자동화, 고급 전원장치 등 고성능 애플리케이션 영역에서 활용될 수 있을 것으로 기대하고 있다. 넥스페리아의 GaN-on-silicon 공정은 품질과 신뢰성 면에서 검증된 강건하고 성숙한 기술이며, 기존 실리콘 팹 설비로도 웨이퍼를 처리할 수 있을 정도로 확장성 역시 뛰어나다. 뿐만 아니라 이 디바이스는 업계 표준 TO-247 패키지로 공급되기 때문에, 사용자들은 익숙한 패키지에서 GaN의 탁월한 성능을 활용할 수 있다.

넥스페리아 MOS 사업그룹을 총괄하는 토니 베르슬루이스(Toni Versluijs) 제너럴 매니저는 “이번 신제품 출시는 고전압 시장 영역에 진출하기 위한 전략적 접근으로, 넥스페리아는 이제 xEV 전력 반도체 애플리케이션에 적합한 기술을 제공할 수 있게 됐다. 우리의 GaN 기술은 양산 체제에 바로 적용할 수 있으며, 대규모 애플리케이션을 충족하는 확장성도 갖추고 있다. 넥스페리아가 겨냥하고 있는 핵심 영역은 자동차 분야로서, 이 분야는 자가용이나 대중 교통 수단으로 선호되던 기존 내연기관 자동차를 전기 자동차가 대체해 나가면서 향후 20년 동안 엄청난 성장이 예상된다”고 말했다.