SK하이닉스, 3세대 10nm급 DDR4 D램으로 가격 우위 노린다

[테크월드=선연수 기자] SK하이닉스가 3세대 10nm급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다.

단일 칩 기준 16Gb의 용량을 구현해, 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량이 우수하다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산할 수 있어 원가 경쟁력을 가진다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원하며, 전력 효율은 2세대 8Gb 제품 기반 동일 용량의 모듈보다 약 40%의 전력 소비를 절감한다.

3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에서 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했으며, 안정성 또한 높였다.

D램개발사업 1z TF장 이정훈 담당은 “연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다. SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10nm급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.