램리서치, 3D NAND 제조의 스트레스 관리 솔루션 추가
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램리서치, 3D NAND 제조의 스트레스 관리 솔루션 추가
  • 김경한 기자
  • 승인 2019.08.13 13:42
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VECTOR DT와 EOS GS 시스템 추가로 수직 스케일링 로드맵 지원

[테크월드=김경한 기자] 램리서치(Lam Research)는 3D NAND 제조에서 칩 메모리 밀도 높이면서 웨이퍼 전면을 완벽하게 보호하는 스트레스 관리 솔루션을 추가했다. 이 후면 증착용 ‘VECTOR DT’와 후면·베벨의 박막(film) 제거용 ‘EOS GS 습식 식각’의 도입을 통해 램리서치는 글로벌 웨이퍼 스트레스 관리 제품 포트폴리오를 확장했다.

VECTOR DT 시스템은 3D NAND 제조에서 웨이퍼 보우의 경제적인 제어 솔루션을 제공한다. 이 시스템은 램리서치의 PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition: 플라즈마 화학기상 증착법) 라인에 최근 추가됐다. 웨이퍼 전면에는 닿지 않고 웨이퍼 후면에 가변 카운터 스트레스 박막을 증착해 웨이퍼 형상을 관리하는 단일 단계(single-step) 솔루션이다. 이로 인해 리소그래피 결과는 향상되고, 보우로 인한 결함은 줄어들며, 고성능 하이 스트레스 박막 적용이 가능해진다. 출시 이후 고객들이 많이 찾고 있는 VECTOR DT의 설치 기반은 96층 이상의 제품으로 전환하면서 계속 성장 가도를 달리고 있다.

램리서치의 EOS GS 습식 식각 제품은 VECTOR DT를 보완한다. 램리서치는 카운터 스트레스 박막 증착과 더불어, 고객들이 3D NAND 제조과정에서 웨이퍼의 스트레스를 유연하게 조정하도록 후면 박막 제거 기술도 제공한다. 후면과 베벨 박막을 동시에 제거해 습식 식각 균일성을 구현하면서, 웨이퍼 전면을 완벽하게 보호한다.

램리서치의 증착제품그룹의 수석 부사장 겸 매니저인 세샤 바라다라잔(Sesha Varadarajan, senior vice president and general manager of the deposition product group)은 “우리 고객들은 계속해서 메모리 셀 층의 수를 크게 늘리고 있어 누적 스트레스와 웨이퍼 보우가 리소그래피 장비의 한계를 초과할 수 있다"며, "목표 수율을 달성하고 비트당 비용 로드맵을 실현하려면 스트레스로 인한 변형을 최소화하는 것이 관건"이라고 말했다. 또 "램리서치는 VECTOR DT와 EOS GS 시스템을 추가해 스트레스를 전반적으로 관리해 고객의 수직 스케일링 로드맵을 지원하는 스트레스 관리 솔루션을 확장하고 있다”고 덧붙였다.


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