SK하이닉스, 초당 460GB 데이터 처리 D램 ‘HBM2E’ 개발
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SK하이닉스, 초당 460GB 데이터 처리 D램 ‘HBM2E’ 개발
  • 선연수 기자
  • 승인 2019.08.12 13:09
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[테크월드=선연수 기자] SK하이닉스가 고속 D램 ‘HBM2E’ 개발에 성공했다. 이는 이전 규격인 HBM2 대비 데이터 처리 속도를 50% 향상시킨 HBM D램의 차세대 제품이다.

 

 

HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현해냄으로써, 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있는 수준이다. 용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현해냈다.

또한, 초고속 특성을 필요로 하는 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝, 슈퍼컴퓨터, AI 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식이 아닌, 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수 십 마이크로미터(µm) 간격 수준으로 가까이 장착해 칩간 거리를 단축함으로써 데이터 처리 속도를 높인다.

SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 “HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화해나갈 것”이라고 밝혔다.