NXP, RF 에너지용 GaN 트랜지스터 ‘MRF24G300HS’ 발표
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NXP, RF 에너지용 GaN 트랜지스터 ‘MRF24G300HS’ 발표
  • 선연수 기자
  • 승인 2019.06.05 10:53
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[테크월드=선연수 기자] NXP반도체는 갈륨나이트라이드온실리콘(GaN-on-SiC, Gallium Nitride on Silicon-Carbide)을 사용한 RF 에너지용 RF 파워 트랜지스터 MRF24G300HS를 발표했다.

 

 

MRF24G300HS는 330W 연속파, 50V GaN-on-SiC 트랜지스터로 효율 높은 갈륨(GaN)을 활용해 2.45GHz에서 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 기술보다 5포인트 높은 73%의 배수 효율을 나타낸다. 또한, 실리콘(SiC)의 높은 열전도는 연속파(CW) 작동을 보장해 준다.

GaN은 높은 전력 밀도를 가져 장치는 작은 설치 공간에서도 높은 출력 전력에 도달할 수 있으며, GaN 기술은 본질적으로 고출력 임피던스를 가져 LDMOS에 비해 광대역 매칭을 지원한다. 따라서 설계 시간이 단축되고 제조 라인의 일관성이 보장돼, 수동 튜닝의 필요성이 사라진다.

본 트랜지스터의 단순화된 게이트 바이어스는 GaN 장치에서 일반적으로 보이는 복잡한 파워업 시퀀스의 또 다른 단계를 필요로하지 않는다. 이는 현재 샘플링 단계로, 2019년 3분기에 생산을 목표로 진행중이다.

NXP의 다양한 기능을 단일 장치로 통합할 수 있는 마이크로파 허브(Microwave Hub)는 IMS 2019 행사 부스에서 직접 체험할 수 있다.


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