넥스페리아 기존 대비 전력 밀도 48배 높인 LFPAK MOSFET 제품군 출시
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넥스페리아 기존 대비 전력 밀도 48배 높인 LFPAK MOSFET 제품군 출시
  • 선연수 기자
  • 승인 2019.06.04 10:51
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[테크월드=선연수 기자] 넥스페리아(Nexperia)가 MOSFET과 LFPAK 제품군의 새로운 패키지를 발표했다. 이 패키지는 최신 실리콘 기술이 적용돼 RDS(on)이 0.7mΩ으로 낮은 40V MOSFET를 제공한다. LFPAK88 디바이스는 D²PAK 및 D²PAK-7처럼 큰 전력 패키지를 대체할 수 있으며, 8x8mm 크기로 60%의 공간 절감과 64%의 낮은 프로파일을 지원한다.

 

 

종종 내부 본드 와이어에 의해 성능이 제한되는 다른 패키지와 달리 LFPAK88 디바이스는 구리 클립과 솔더 다이 부착 구조가 적용돼, 전기적·열 저항이 낮으며, 전류 확산·열 분산 기능이 우수하다. 구리 클립의 열용량(Thermal mass)은 핫스폿(Hot-spot) 형성을 감소시켜 애벌런치 에너지(Eas)와 선형 모드(SOA) 성능을 노핀다.

패키지는 더 작아졌으며, 425A의 높은 연속·실측 전류 정격 ID(Max)과 0.7mΩ의 낮은 RDS(on)를 특징으로 가져, D2PAK 디바이스에 대비 48배 수준의 전력 밀도를 제공한다.

또한, LFPAK88은 저응력 걸윙(Gull wing) 리드 타입으로 구성돼, 패키지가 더욱 견고하고 열에 강해 AEC-Q101 규격 요건보다 2배 이상 향상된 신뢰성을 보증한다.