삼성전자, 신기술 3나노 GAA 공정 설계 키트 배포
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삼성전자, 신기술 3나노 GAA 공정 설계 키트 배포
  • 선연수 기자
  • 승인 2019.05.15 09:41
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[테크월드=선연수 기자] 14일(현지시간) 삼성전자가 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2019(Samsung Foundry Forum 2019)'를 개최하고 '차세대 3나노 GAA 공정'과 새로운 고객 지원 프로그램 'SAFE-Cloud'를 소개했다.

 

 

삼성전자는 지난해 3나노 공정에 GAA(Gate-All-Around) 도입을 예고한데 이어 본 포럼에서 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early) 공정 설계 키트(PDK v0.1, Process Design Kit)를 팹리스 고객들에게 배포했다. 공정 설계 키트는 파운드리 회사의 제조공정에 최적화된 설계를 지원하는 데이터 파일로, 제품 설계를 보다 쉽게 할 수 있어 시장 출시 소요 기간을 단축시킬 수 있다.

3GAE 공정은 최신 양산 공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45%가량 절감할 수 있고, 약 50%의 소비전력 감소와 약 35%의 성능 향상 효과를 가진다. 3나노 공정에서의 독자적인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 기술은 기존의 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 한층 더 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는 방식이다. 핀펫 공정과 호환성이 높아 기존 설비와 제조 기술을 활용할 수 있으며 성능과 전력 효율 또한 높인다.

SAFE-Cloud 서비스는 아마존 웹 서비스(AWS)와 마이크로소프트(Microsoft)의 클라우드 환경, 케이던스(Cadence)와 시놉시스(Synopsys)의 클라우드와 EDA 등의 설계 툴 지원을 통해 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다.

팹리스 고객들은 SAFE-Cloud 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 공정 설계 키트(PDK, Process Design Kit), 설계 방법론(DM, Design Methodologies), 자동화 설계 툴(EDA, Electronic Design Automation), 설계 자산(라이브러리, IP) 등을 이용해 투자 비용을 줄이고 보다 신속하게 반도체를 제작할 수 있다.

 


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