신형 패키지는 IR의 최신 실리콘 기술을 활용한 HEXFET MOSFET 2개를 통합하여 스마트폰, 테이블릿 PC, 캠코더, 디지털카메라, DC 모터, 무선 유도 충전기 등은 물론 노트북 PC, 서버, 넷콤 장비 등과 같은 저전력 애플리케이션을 위한 고집적도의 비용 효율적인 솔루션을 제공한다.
 



신형 PQFN2x2 및 PQFN3.3x3.3 듀얼 디바이스는 각 패키지에 전력 MOSFET 쌍을 제공하기 때문에 공통 드레인 또는 하프 브리지 토폴로지의 유연성을 제공한다. 디바이스는 IR의 최신 저전압 실리콘 기술(N 및 P)을 활용하여 초저 손실 특성을 제공한다. 예를 들어, IRLHS6276은 단지 4 mm²의 공간에서 각각 33mΩ의 일반적인 RDS(on)(on-state resistance) 특성을 제공하는 2개의 MOSFET를 제공한다.
 

신형 PQFN 듀얼 디바이스는 고객들에게 스위칭 및 DC 애플리케이션을 위한 비용 효율적인 고집적 솔루션을 제공한다. 이러한 신형 패키지의 추가를 통해 IR은 N-채널 및 P-채널, 20V, 30V, 4.5V, 2.5V 최소 구동 성능, 그리고 매우 낮은 RDS(on) 특성을 제공하는 단일 및 듀얼 디바이스를 포함해 다양한 저전압 PQFN 포트폴리오를 제공하고 있다.
 

Dual PQFN 제품군은 상층 부하 스위치에서의 사용을 위해 최적화된 P-채널 디바이스를 포함하고 있어 보다 간편한 구동 솔루션을 제공한다. 디바이스들은 1 mm 이하의 낮은 프로파일을 특징으로 하기 때문에 기존 표면 실장 기술들과 호환 가능하며, 업계 표준 풋프린트를 제공하는 동시에 RoHS를 준수하고 있다.
 

데이터시트 및 MOSFET 제품 선택 툴은 인터내셔널 렉티파이어 웹사이트 http://www.irf.com에서 제공되고 있다. 지금 즉시 양산 주문이 가능하다.
 

사양
 
제품 번호 패키지 BV (V) Max VGS Typ. / Max RDS(on) @ 10V (mΩ) Typ. / Max RDS(on) @ 4.5V (mΩ) Typ. / Max RDSon @ 2.5V (mΩ)
IRFHS9351 PQFN
2x2 -30V +/- 20 V 135 / 170 235 /  290 -
IRLHS6276 PQFN
2x2 +20V +/- 12 V - 33 / 45 46 / 62
IRLHS6376 PQFN
2x2 +30V +/- 12 V - 48 / 63 61 / 82
IRFHM8363 PQFN
3.3x3.3 +30V +/- 20 V 12/15 16 / 21 -
 
 

International Rectifier 소개
International Rectifier(NYSE:IRF)는 전원 관리 기술의 세계적인 강자이다. IR의 아날로그 및 혼성신호 IC, 고급 회로 장치, 통합 전원 시스템 및 부품은 고성능의 전산 수행 능력을 가능하게 하고, 전력을 가장 많이 소비하는 장치인 모터의 에너지 낭비를 없애준다. 컴퓨터, 에너지 효율성이 뛰어난 장치, 조명, 자동차, 위성, 항공기, 방위 시스템을 선도적인 제조업체들은 차세대 제품에 전원을 공급하기 위하여 IR의 전원관리 벤치마크를 사용한다. 자세한 정보: www.irf.com
 

특허 및 상표 공지
IR® 및 RAD-Hard™는 International Rectifier Corporation의 등록 상표이다. 상기 기타 제품은 모두 해당 소유자의 상표일 수 있다.
 
 
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