Nano Wire



저전력, 저가의 빠른 속도를 지니는 전자제품을 개발하기 위해서는 모든 전자제품에 사용 된다고 할 수 있는 FET 소자의 개발이 필수적으로 뒷받침 되어야 할 것이며 현재 활발히 연구되고 있는 그라핀(Graphene), 탄소나노튜브(CNT) 소자와 더불어 나노 와이어를 이용한 다양한 구조를 지니고 성능이 보장된 FET 소자의 연구 또한 다양한 각도로 여러 곳 에서 진행되어야 할 것이다.

 

글: 김태근, 신제식, 이승주, 이근수, 정신우, 황성우, 주병권
고려대학교 전기전자전파공학과 / http://ee.korea.ac.kr

 

서론

FET의 발전경향



전계효과 트랜지스터(Field-effect transistor, FET)란 전계를 이용하여 전류를 제어하는 트랜지스터이며 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate) 구조를 지니고 있다. 간단히 동작 원리에 대해 살펴보면, 문턱전압(Threshold Voltage) 이상의 전압을 게이트에 가함으로써 도핑된 실리콘 기판에 채널을 형성시키고 소스와 드레인 사이의 전압차이를 이용해서 형성된 채널을 통해 전자 또는 정공을 흐르게 한다.



이때 문턱전압 이상의 전압이 게이트에 가해지지 않아서 채널이 형성되지 않는다면 아주 극소량의 전류만이 소스와 드레인 사이에 흐르게 되므로 이를 이용하면 전류를 제어할 수 있는 것이다. 전계효과 트랜지스터는 보통 MOSFET(Metal-oxide-semiconductor FET, MOSFET) 구조를 가지게 되며 그림 1은 MOSFET 소자의 대략적인 구조를 나타낸 것이다. 실리콘 기판위에 소스 드레인 게이트 전극을 형성시키고 도핑이라는 기법을 이용하여서 전자 또는 정공을 이용하여서 전류를 통하게 한다.



현재 반도체 소자의 연구는 얼마나 신뢰성이 높고 더 작은 소자를 만들 수 있을까를 중심으로 활발히 진행되고 있다. 반도체 소자가 작아질수록 소스와 드레인 사이의 채널길이가 짧아져 많은 전류를 통하는 것이 가능하고 단위면적당 전기용량이 커지는데, 이는 빠른 처리속도와 전력소모를 감소시키는 데에 기여한다. 뿐만 아니라 소형 반도체 소자는 고밀도집적이 가능하여 제조비용의 절감을 가능하게 한다.



최근에는 20~30nm의 소자 공정이 가능해 지면서 소자의 소형화(Scaling-Down) 현상에 의한 문제점들이 대두되고 있다. 이는 과거의 긴 채널을 이용한 소자에서는 소자의 특성에 크게 영향을 끼치지 않아 무시할 수 있었던 부분으로 DIBL(Drain-Induced Barrier Lowering)에 의한 문턱전압의 감소, 누설전류(Leakage Current)의 증가 등을 들 수가 있다.



그림 2에서 볼 수 있듯이 2D와 3D 구조의 MOSFET 구조를 통하여 설명 할 수 있다. 만일 물이 흐르는 호수를 MOSFET 소자라고 한다면 소스와 드레인 사이에 흐르는 물을 2D 구조의 MOSFET 구조에서는 위에서 눌러주어 물의 흐름을 제어한다. 이때 게이트의 길이(손으로 눌러주는 길이)가 길다면 누르는 면적이 길어지게 되므로 물의 흐름을 확실하게 제어 할 수 있지만 게이트의 길이가 짧아지게 되면 누르는 면적이 짧아서 물의 흐름을 제어하기가 점점 힘들게 된다.



이에 반해 3D 구조의 경우 물의 흐름을 조절하기 위해 손으로 누르는 것이 아닌 쥐어주는 효과를 갖게 되어 게이트의 길이(손으로 호수를 쥐어주는 길이)가 짧아지더라도 물의 흐름을 확실하게 제어할 수 있다. 이와 같은 3D 구조의 반도체 소자를 개발하여 단채널 효과(Short-Channel Effect)를 극복하기 위해 현재 FinFET, GAA(Gate-All-Around)등의 여러가지 3D 구조의 소자들이 연구되고 있으며 나노 와이어 FET의 경우는 3D 구조를 만드는데 더욱 유리한 이점을 지니고 있다.

 

나노 와이어란?



나노 와이어란 이름에서 유추할 수 있듯이 나노(10-9)미터 단위의 크기를 지니는 선을 말한다. 보통 수 나노미터에서 수십 나노미터의 지름을 가지며 길이는 수십 나노미터부터 수십 마이크로미터(10-6)까지 다양하다. 이 때, 나노 와이어의 구성 물질로는 도체, 반도체, 산화물로 크게 세가지로 나뉜다. 도체형 나노 와이어로는 니켈, 백금, 금, 알루미늄 등이 있으며 반도체 나노 와이어에는 실리콘, 인듐 인화물, 갈륨 질화물 등이 있다.



마지막으로 산화물 나노와이어에는 실리콘 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물 나노 와이어가 있다. 나노 와이어의 구성 물질에 따라 그 특성이 다른데 예를 들면, 주석 산화물은 화학적으로 민감하고, 갈륨 질화물은 발광 반도체에 쓰이며 아연산화물은 자외선을 방출하는 특성이 있다. 그림 3은 질화갈륨 나노 와이어로써 기판 위에 성장한 모습은 보여주는 사진이다. 그림 3에서 보듯이 나노미터 단위의 지름을 가지지만, 수 마이크로미터의 길이를 가지는 것을 알 수 있다.

 

왜 나노 와이어를 써야 하는가?



나노 와이어의 지름은 수 나노미터로 상당히 작지만 길이는 수십 마이크로까지 성장시킬 수 있는 등 가로세로 비율이 1000에 육박함에도 불구하고 안정적인 형태를 유지한다. 이것은 기존 물리학에서 상상해오던 완벽한 1차원 물질에 가까운 형상이다. 따라서 기존 3차원 물질의 전기적, 기계적 특성과는 큰 차이를 보이며 나노와이어의 구성 물질을 바꿈으로써 여러 가지 특성을 보여줄 수 있다. 이와 같이 기존과는 다른 특성과 물성의 다양함 때문에 나노 와이어를 이용한 소자 제작이 세계를 바꿀 10대 기술로 소개되기도 하였다.



특히 나노 와이어의 표면을 활성화 시키는 후처리 공정이나 다양한 나노와이어 특성만으로도 레이저나 트랜지스터, 메모리 또는 센서로도 이용할 수 있으며 앞에서 언급 한 3D 구조를 지닌 소자의 제작이 지금까지의 반도체 소자에 비해 쉽다. 이 뿐만 아니라 공정측면에서 바라보아도, 수십 년 동안 연구되고 발전해온 기존 실리콘 기반 반도체 공정기술을 응용하여 제작할 수 있기 때문에 공정설비의 비용과 프로세스 개발이라는 노력 또한 다른 나노물질에 비해 유리하다.


 

본론



나노 와이어를 이용한 FET 제작에는 크게 상향식(Bottom-up) 방법과 하향식(Top-down)의 방법으로 나눌 수 있다. 이 장에서는 나노와이어 FET를 제작하는 두 가지 방법의 장단점에 대해 간단히 설명하고 나노 와이어를 이용한 다양한 소자의 구조 및 적용에 대해서 설명해 보도록 하겠다.

 

나노 와이어를 이용한 소자의 제작 방법

하향식(Top-down) 방법



하향식 방법은 포토 리소그래피(Lithography)를 이용해서 원하는 패턴의 나노 와이어를 얻는 방법이다. 그림 4와 같이 먼저 포토 리소그래피 공정을 통해서 원하는 모양의 나노 와이어 형태대로 패턴을 그려준다. 그 후 식각공정을 통하여 원치 않는 부분을 깎아줌으로써 최종적으로 원하는 모양을 남겨두는 것이다. 이는 기존에 정립된 CMOS 공정을 그대로 이용 할 수 있을 뿐만 아니라 방향성이 같은 웨이퍼를 사용하기 때문에 나노 와이어의 개개 특징이 모두 일정하다는 장점이 있다. 또한 나노 와이어를 정렬 할 수 있기 때문에 균일한 소자의 제작에 용이하다.



리소그래피에 의해 와이어가 만들어지는 만큼 하향식 방법에서 가장 중요한 것은 리소그래피 기술이다. 왜냐하면 작은 패턴을 얼마나 균일하게 만드는가에 따라서 소자 특성이 크게 좌우되기 때문이다. 현재 사용되고 있는 리소그래피는 크게 광원과 초점을 맞추는 방식에 따라서 I-line/ KrF(Kripton Flouride) /ArF(Argon Flouride) 스텝퍼, 전자 빔 리소그래피(Electron Beam Lithography), 나노 임프린트(Nano Imprint), 극 자외선 리소그래피(Extreme Ultraviolet, EUV), X-ray 리소그래피 등으로 나뉜다.



I-line, KrF, ArF, EUV, X-ray와 전자 빔 리소그래피는 사용하는 광에 의해 나눈 것인데, 각각 광의 파장이 다른 만큼 서로 다른 정밀도와 침투 깊이를 지닌다. 예를 들어 I-line(파장=365㎚) 광원은 0.5㎛의 정밀성을 지니며 KrF(파장=248㎚) 광원은 0.25㎛, ArF(파장=193㎚) 광원은 0.18㎛ 정도의 정밀성으로 패턴 하는데 쓰인다.



특히 X-ray 리소그래피의 경우는 침투 깊이가 깊어 3D 구조체도 만들 수 있으며 전자 빔 리소그래피는 짧은 파장을 이용, 10nm 크기의 아주 작은 패턴을 만들 수 있고 마스크가 필요 없는 장점을 가지고 있으나 패터닝에 시간이 오래 걸려서 대량생산에 적합하지 않다.



그 밖에 스텝퍼는 여러 번의 렌즈굴절을 통하여 정확한 초점을 맞출 수 있기 때문에 같은 파장의 빛을 이용하더라도 스텝퍼를 이용하면 더욱 정교한 패터닝이 가능하다. 나노 임플란트는 위에서 도장을 찍듯이 위에서 찍어서 원하는 위치에 와이어를 배치시킬 수 있다. 따라서 다양한 나노와이어 패터닝을 이용, 원하는 목적과 크기에 맞게 나노와이어를 제작 할 수 있다.

 

상향식(Bottom-up) 방법



상향식 방식은 벽돌을 쌓아 집을 만들듯이 나노크기의 물질을 쌓음으로써 소자를 만드는 방식이다. 즉, 소자를 만들 때 쓰이는 기판, 전극, 채널물질들을 각각 따로 가져와서 제자리에 배치 함으로써 최종적으로 소자를 얻는 것이다. 이 과정에서 소자가 생성되는 기판과 와이어를 만드는 과정이 따로 분리되어 있기 때문에 기판에 관계없이 소자를 제작 할 수 있다는 장점이 있다.



뿐만 아니라 나노 와이어를 단결정 형태로 만들기 쉽다는 장점을 지닌다. 비록 나노 스케일의 물질을 원하는 대로 조정하기는 어려우며 따라서 대량생산에 적용의 어려움이라는 단점이 존재하지만 저렴한 공정가격과 공정의 단순함, 그리고 플렉서블(flexible) 기판과 같이 소자의 적용범위가 넓기 때문에 현재 꾸준히 연구되고 있다.



상향식으로 나노와이어 소자를 제작할 때 개별 나노와이어의 고른 특성이 나오게 하는 것이 중요하다. 나노 와이어는 같은 재료로 만들었다 하더라도 화학적 조성, 직경과 길이, 단결정 방향성에 따라서 개별 특성이 조금씩 다르기 때문이다. 따라서 안정적인 나노와이어의 제작이 우선시 되는데, 현재는 금속 촉매와 합성하고자 하는 물질을 구성하는 가스를 보내 나노와이어를 합성하는 게 대부분이다. 이때, 금속촉매의 크기가 나노와이어의 지름을 결정하기 때문에 균일한 촉매의 도포 또한 중요하다.



그림 5와 같이 CVD(chemical vapor deposition)를 이용하여 촉매 없이 나노 와이어를 합성하는 방법이 연구중인데, 이는 촉매로 인한 나노 와이어의 오염을 방지하고 촉매를 사용하지 않음으로써 원가 절약에도 도움이 된다는 장점이 있다.

 

소자의 제작 및 나노와이어 배열



나노와이어를 만들었다면 이를 조립하여 디바이스로 만드는 과정이 필요하다. 나노와이어를 정렬하는 방식에 따라 유전변동(dielectrophoresis)을 이용한 방법과 나노각인(nanoimprint)을 이용한 방법, 그리고 전자빔 리소그래피(E-beam Lithography)를 이용한 방법이 있다.



유전변동 방식은 나노 와이어의 이중극자(dipole)를 이용하여 정렬하는 방법이다. 그림 6과 같이 전극 사이에 전기장을 강하게 걸어주면 나노 와이어가 강한 전기장으로 끌려가는 것이다. 나노각인 방법은 도장을 찍듯이 원하는 위치에 나노 와이어를 꾹 눌러줌으로써 정렬시키는 방법이다. 이 방법은 한번에 여러 소자를 만들 수 있고 방법이 간단하다는 장점이 있으나 그 전에 나노 와이어를 일정하게 배열시키는 기술이 선행되어야 한다.



마지막으로 전자빔 리소그래피를 이용한 방법은 나노 와이어가 있는 위치에 원하는 전극을 만들 수 있다는 장점이 있으나 개개 별로 작업해야 하므로 대량생산에는 적합하지 않다. 현재 나노와이어의 상향식 조립방식은 극히 제한적이나 향후 플렉서블 소자 등에 응용하기 위해 여러 방법이 연구중에 있다.

 

나노 와이어 FET의 여러구조



서론에서 언급했듯이 현재 MOSFET 소자는 단 채널 효과를 극복하고 성능을 향상 시키기 위해 다양한 구조가 연구되고 있으며 나노 와이어 또한 이러한 부분을 보완하기 위해 다양한 구조가 연구되고 있다. 그림 7은 나노 와이어를 이용한 FET 소자의 구조를 나타낸 그림이다.
 


나노 와이어를 이용한 FET 소자의 경우 일반 MOSFET에서의 채널을 나노 와이어로 이용하게 되는데 이때 게이트를 어떠한 방법으로 만들어 주느냐에 따라서 그림 7과 같이 Back-Gate 나노 와이어 FET, Semi-cylindrical Top Gate 나노 와이어 FET, Cylindrical Gate-All-Around 나노 와이어 FET로 구분할 수 있게 된다. 여기서 Gate-All-Around(GAA구조)나노 와이어 FET의 경우 게이트를 나노 와이어 주변을 감싸는 구조를 띄게 되며 게이트의 전압이 채널(나노 와이어)에 고르게 인가 됨으로써 Short-Channel Effect의 영향을 줄일 수 있는 구조로 현재 연구가 활발히 진행 중인 소자 중 하나이다.



그림 8은 두개의 나노 와이어를 이용한 GAA 구조의 FET 소자의 사진이다. 이처럼 두 개의 나노 와이어를 이용하여 하나의 나노 와이어를 이용한 FET일 때보다 성능을 더 향상 시킬 수 있다는 점 또한 나노와이어를 이용한 FET의 장점이라고 할 수 있다. 이 소자는 DIBL이 31mV/V로 단 채널 효과에 상당히 강한 특성을 보여주고 있다.

 

나노 와이어 FET의 적용

태양전지



현대 사회에서는 에너지의 고갈로 인해 점점 더 천연자원을 이용한 에너지의 생성 즉, 태양광을 이용한 태양전지, 바람을 이용한 풍력발전 등의 개발이 절대적으로 필요하다. 태양전지는 반도체 소자의 P-N 접합을 이용하여 전력을 생산하는 것으로 P-N 접합에 의해 생성된 Depletion 영역에 밴드 갭 이상의 태양광 에너지가 들어오게 되면 이 에너지에 의해 전자와 홀을 생성한다. 이는 곧 전력으로 변환이 되며 이를 이용하여서 에너지를 만드는 것이다.



그림 9는 현재 개발 또는 상용화 되고 있는 태양전지의 종류에 관한 표로 다양한 종류의 태양전지가 현재 연구 중임을 알 수 있다. 실제로 현재 상용화 되고 있는 태양 전지의 경우 단결정 실리콘 태양전지 15~17%, 다결정 실리콘 태양전지 12~14%, 비정질 실리콘 태양전지 6~7% 정도로 이론적인 실리콘 태양전지의 효율인 27~30% 에 미치지 못 하고 있다.



태양전지의 최소단위를 셀 이라 하는데 하나의 셀에서 나오는 전압은 0.5V 이하로 상당히 작으므로 태양전지를 직·병렬하여 실용적인 전력을 생산하게 된다. 따라서 더 많은 전력을 생산하기 위해서는 소자의 집적이 필수적으로 개발되어야 하며 이러한 의미에서 나노 와이어를 이용한 태양전지의 개발 또한 새로운 태양전지 소자의 개발에 새로운 과제 중 하나이다.



또한 나노 와이어를 이용한 태양전지의 경우 일반적인 박막 태양 전지보다 더욱 짧은 P-N 접합을 지니게 구성 할 수 있으므로 태양광에 의해 생성된 전자와 정공이 전력으로 변환되기 전에 다시 결합(Recombination)되는 것을 줄일 수 있으므로 같은 양의 전력을 생성하기에 더욱 유리 할 것으로 예상된다.



그림 10은 나노 와이어를 이용한 태양전지의 형성과 그 특성을 나타낸 것 이다. 일반 적인 P-N 접합 외에 P타입의 나노 와이어와 N타입의 나노 와이어 사이에 진성 실리콘영역을 추가로 삽입함으로써 나노 와이어 하나당 200pW 이상의 최대효율을 얻을 수 있었고 3.4% 이상의 전력변환 효율을 얻을 수 있었다.



아직은 상용화 할 수 없는 수준 이지만 전자 또는 정공의 이동거리가 짧고 긴 나노 와이어에서 광 에너지를 흡수 한다는 점, 많은 소자를 집적 할 수 있다는 점 등의 나노 와이어의 물리적인 장점을 이용한다면 연구를 통해서 더욱 높은 효율을 얻을 수 있을 것이고 나노 와이어를 이용한 태양전지 또한 꿈의 제품만은 아닐 것 이다.

 

센서



센서는 현대 사회에서 사용되고 있는 모든 전자제품(자동차, 핸드폰, 컴퓨터 등)에 활용되고 있으며 활용의 범위가 높을 뿐 아니라 이외에도 의료용 진단장치 등 의료장비에도 활용할 수 있는 가장 기본이 되면서도 중요한 제품임이 분명하다.



센서의 가장 중요한 요소는 얼마나 빠르게 필요한 요소의 변화에 민감하게 반응 할 수 있을 것인가 라는 점을 들 수 있다. 그림 11은 SnO2계 반도체식 가스센서의 가스감도를 나타낸 그림으로 가스의 종류에 따라 반도체의 저항에 변화가 있음을 알 수 있다. 이와 같은 저항의 변화를 전압 및 전류를 통하여 실시간으로 측정을 한다면 저항의 변화를 알 수 있게 되고 이에 따라 어떠한 가스가 존재하고 있는지를 알 수 있게 된다.



나노 와이어의 경우는 표면 저항이 표면의 성질에 따라 민감하게 반응을 하므로 센서로서의 적용이 다양하게 이루어 질 수 있을 것으로 예상된다. 하지만 나노 와이어의 경우 하나의 특정한 화학물질에만 반응하는 것이 아니라 대부분의 물질에 반응을 하므로 특정한 화학물질에만 반응하게 하는 방법을 찾는 것 또한 나노 와이어를 이용한 센서에 중요한 이슈가 되고 있다.



그림 12는 정렬된 나노 와이어를 이용한 NO2, NH3의 검출에 관한 결과를 나타낸 그림이다. 그림 12 (a), (b)의 결과에서 서로 다른 화학기체에 따라 나노 와이어에 흐르는 전류의 양이 변화 됨을 알 수 있으며 이러한 전류의 변화를 감지하게 되면 어떠한 기체가 현재 나노 와이어에 붙어서 전류를 변화 시키고 있는지를 알 수 있게 된다.



결론


 

우리는 서론과 본론을 통하여 나노 와이어 FET란 무엇인가를 시작으로 나노 와이어의 제작 방법, 나노 와이어 FET의 여러 가지 구조, 적용 사례에 대하여 알아보았다. 나노 와이어의 경우는 하향식(Top-Down) 방법의 공정을 이용하는 것도 일반적인 FET 소자 보다 저전력 이용, 빠른 처리속도라는 면에서 유리하지만 공정비용의 절감이라는 산업적인 문제에 있어서는 상향식(Bottom-up) 방법의 공정 또한 많은 연구가 이루어져야 할 것 이다.



상향식의 공정방법을 취할 경우 나노 와이어와 전극간의 접합, 나노 와이어의 정렬(Array)에 관한 연구가 더욱 활발히 진행되어야 상향식방법의 공정을 이용한 나노 와이어 FET를 우리가 사용하는 제품에서 볼 수 있을 것이다. GAA(Gate-All-Around) 구조의 나노 와이어 FET는 점점 소형화되고 있는 반도체 시장에서 단채널 효과(Short-Channel Effect)를 최소화 할 수 있는 분명히 매력적인 물질이며, 이 외에도 태양전지, 센서, 디스플레이 분야 등 다양한 분야에서도 적용 될 수 있는 물질임이 분명하다.

 

감사의 글

본 연구는 2009년도 정부(교육과학기술부)의 재원으로 한국연구재단의 지원을 받아 수행된 기초연구사업(No 2009-0083126) 및 세계수준의 연구중심대학사업(R32-2008-000-10082-0)의 지원 하에 의해 수행되었습니다.

참고문헌

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[5]한국과학기술정보연구원 , "광전지"
[6] www.newcera.co.kr, "가스센서의 원리와 응용"
[6]http://www.google.com/imgres

그림 1 전계효과 트랜지스터의 구조

그림 2 MOSFET의 2D와 3D 구조의 비교

그림 3 질화갈륨 나노와이어

그림 4 하향식 방법으로 제작된 실리콘 나노 와이어 배열

그림 5 비촉매 CVD 법으로 성장된 사진

그림 6 전기장에 의해 나노와이어가 끌려가는 그림

그림 7 나노 와이어 FET의 구조

그림 8 두개의 나노 와이어를 이용한 소자(SEM 사진)

그림 9 태양전지의 종류

그림 10 나노 와이어를 이용한 태양전지 소자와 그 특성

그림 11 SnO2계 반도체식 가스센서의 가스감도

그림 12 나노 와이어 정렬을 이용한 NO2, NH3 센서
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