인피니언 테크놀로지스(www.infineon.com)는 고전류 자동차 애플리케이션을 위해 업계 최저 RDS(on)을 제공하는 30V 전력 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)을 출시했다. 신형 OptiMOS™-T2 30V MOSFET은 10V 게이트-소스 전압에서 드레인 전류 180A에 RDS(on)이 0.9mW에 불과한 N-채널 디바이스이다. D2PAK-7 패키지로 제공되는 IPB180N03S4L-H0은 낮은 가격으로 높은 공칭 전류와 업계 최저 RDS(on)을 제공하여 표준 패키지의 전력 MOSFET을 필요로 하는 고객들의 요구를 충족한다.   전력 MOSFET을 위한 인피니언의 강력한 2세대 트렌치 기술을 기반으로 한 OptiMOS-T2 디바이스는 고전류 자동차 모터 구동 애플리케이션, EPS(electric power steering), 특히 start/stop 기능에 이상적이다.   비용과 효율성 측면에서 업계는 트렌치 기술로 전환하는 움직임을 보이고 있다. OptiMOS-T2 같은 전력 MOSFET 트렌치 기술은 이전 기술 대비 RDS(on) 과 게이트 전하를 크게 향상시킨다. 따라서 업계 최저의 FoM(figure of merit, 게이트 전하와 RDS(on)의 곱)을 달성한다. 뿐만 아니라 인피니언의 혁신적인 고전류 "Power-bond" 기술은 MOSFET에 있어서 와이어본드의 한계점들을 해결함으로써 와이어본드의 RDS(on) 드롭을 감소시키고 전류 용량을 증가시킨다. 이는 와이어본드를 시원하게 유지함으로써 신뢰성을 향상시킨다. 최신의 Powerbond 기술은 단일 MOSFET에서 최대 4개의 더블 스티치(double-stitch) 500mm 와이어본드를 가능하게 하여 표준 패키지로 180A 전류 정격을 허용한다.   OptiMOS-T2 기술과 견고한 패키지는 MSL1(Moisture Level 1)로 리플로우 솔더링 시에 260°C를 견딜 수 있도록 설계되었으며 무연 도금으로 RoHS를 준수한다. IPB180N03S4L-H0 전력 MOSFET은 Automotive Electronics Council 규격(AEC-Q101)을 완벽하게 준수한다. 인피니언의 앞선 트렌치 기술은 낮은 게이트 전하, 낮은 커패시턴스, 낮은 스위칭 손실, 뛰어난 FoM을 달성하므로 전기 모터 효율에 있어서 새로운 피크 수준을 달성하고 EMC 방사를 최소화한다. 또한 최적화된 게이트 전하로 더 작은 드라이버 출력 스테이지를 가능하게 한다.   IPB180N03S4L-H0은 다수의 MOSFET을 병렬로 작동해야 하는 고전류 애플리케이션(500A 이상)에 적합하다. IPB180N03S4L-H0은 180A의 공칭 전류를 제공하므로 고전류 시스템에 필요한 병렬 MOSFET의 수를 하나 줄일 수 있으며 따라서 전류 공유, 열 동작, 비용을 최적화할 수 있다. 자동차 전기 모터가 효율을 높이기 위해서 PWM(pulse width modulation) 제어로 전환하고 있으므로 OptiMOS-T2 30V 제품은 또한 리버스 커넥션 시에 배터리 보호 기능을 제공할 수 있다.   인피니언 테크놀로지스 스탠다드 오토모티브 파워의 제품 마케팅 이사인 톨스틴 블랜크 (Torsten Blanke) 박사는 "인피니언은 OptiMOS-T2 트렌치 기술을 바탕으로, 견고한 패키지로 탁월한 성능과 뛰어난 품질을 제공하는 업계 최고의 자동차용 MOSFET 포트폴리오를 제공한다. 180A 공칭 전류의 신형 30V OptiMOS-T2 디바이스의 출시로, 인피니언은 표준 패키지로 최고 전류 용량, 트렌치 기술로 최저 RDS(on)을 달성하여 또 다시 업계의 벤치마크를 수립하였다"고 말했다.      독일 노이비베르크(Neubiberg)에 소재한 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies AG)는 에너지 효율, 통신, 보안 등 현대 사회의 세 가지 핵심 과제에 대한 반도체와 시스템 솔루션을 제공한다. 보다 자세한 정보는 www.infineon.com에서 확인할 수 있다.  
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