Kosen Report
글: 한원석 / 한국전자통신연구원
www.etri.re.kr
자료제공: KOSEN(한민족과학 기술자 네트워크)
www.kosen21.org
기존 태양전지 기술은 기술 장벽이 매우 낮고 대량 생산을 통한 단가 절감하는 구조를 가지고 있어 대규모 자본을 가진 후발 기업에게 시장 잠식되기 쉽다. 그러나, III-V족 화합물 반도체를 이용한 집광형 고효율 태양전지는 기술 장벽이 매우 높은 기술 집약 산업이므로 독자적인 기술을 확보하게 되면 독점적인 시장을 확보 할 수 있어 미래 고부 가치 산업으로 적합하다.
인류는 불을 사용하면서 의식주 생활에 다양화를 가졌다. 불을 이용하여 밤에도 활동할 수 있게 되었으며 겨울에는 난방에 이용하여 주거 생활의 다양화를 가져왔다. 이처럼 인류는 불의 발견하면서 에너지를 생성하고 관리하고 사용하는 기술을 발달시키면서 많은 변화를 가져왔다. 처음에는 자연에서 생성되는 자연 에너지를 이용한 풍차, 물레방아, 범선 등을 이용하였으나, 자연 에너지는 관리와 제어가 어려웠으며 에너지 밀도가 낮았다. 산업혁명 이후 석탄과 석유로부터 에너지 얻고, 제어가 가능해지면서 인류는 고밀도의 에너지를 사용할 수 있게 되었다. 고밀도의 에너지는 인류에 보다 많은 변화를 가져왔다. 자동차, 비행기 등을 사용하여 생활 반경을 확대시켰으며, 기계의 자동화를 통하여 생산 능력을 극대화 할 수 있게 되었다. 또한 에너지의 전환 기술의 발달은 석탄과 석유로부터 얻은 에너지를 전기 에너지로 바꿔 보다 간편하게 멀리 전달 할 수 있게 되면서 에너지는 특정 소수가 아닌 전 인류가 사용할 수 있게 되었다. 이처럼 에너지의 소모는 인류를 자유롭고 편하게 하였으나 고밀도 에너지 소모의 증가로 인하여 환경이 파괴 되고 지구의 수명을 단축하게 되었다.
그림 1. 단일접합 태양전지의 이론적 최고 효율 (a) 밴드갭 에너지에 따른 이론적 변환 효율 (b) 밴드갭 에너지에 따른 Voc와 Isc 그래프
화석연료 사용으로 인한 온실효과로 인한 지구온난화 문제가 심각하게 대두되면서 세계는 온실가스를 줄이기 위해 이산화탄소 배출량이 많은 화석연료를 대체할 다양한 신재생에너지에 대한 관심과 투자가 다시 급격하게 증가하게 되었다. 그 중에서 공해가 없고, 자원이 무한적인 태양 에너지를 이용하는 태양전지가 미래 에너지 문제와 지구온난화 문제를 동시에 해결할 수 있을 것으로 기대되고 있다.
그림 2. 집광률에 대한 III-V 화합물 반도체 태양전지의 반환 효율 변화[2]
단일접합태양전지의 한계
○ 태양전지는 미국과 소련이 우주개발 경쟁을 하면서 인공위성의 전원장치의 중요 핵심소자로써 많은 연구가 이루어졌고, 그 후 태양전지는 변환효율 향상과 고효율, 대면적화, 대량생산화 되면서 생산단가가 계속 낮아져 산업화에 성공하였다.
○ 1980년 이후 빛을 받아 전기를 생성하는 물질 개발이 활발히 진행되었으며, 이를 이용하여 다양한 태양전지 기술 개발 됨. 기존 Si 태양전지와 같은 결정형 태양전지에서 III-V족 화합물 반도체 태양전지, CIGS(CuInGaSe), CdTe, 염료감응형 태양전지(DSSC), 유기 태양전지(OPV) 등의 박막형 태양전지가 개발 되었다. 박막형 태양전지는 소재 소모량을 최소화 하고 대량 생산이 가능하여 차세대 태양전지 기술로 주목 받음.
○ 그러나, Si 태양전지뿐만 아니라 박막 태양전지 등 거의 모든 태양전지가 2000년 이후에는 효율 향상이 둔화 됨. Si 태양전지는 1999년 최고효율 24%를 달성 후 아직까지 효율 향상 없다.
○ 태양전지의 구성하는 물질이 결정되면 밴드갭이 고정 되므로 흡수 파장 대역이 결정되고 발생되는 전압(open circuit voltage)과 전류(short circuit current)도 결정된다. 밴드갭이 큰 CdS 물질은 전압은 높지만 태양광을 흡수할 수 있는 파장 대역이 좁아져 생성되는 전류가 낮고, 밴드갭이 낮은 Ge 물질은 태양광 흡수 파장 대역이 넓어져 전류가 높지만 전압이 낮다. 즉 태양전지 물질이 빛을 받아 발생하는 전압과 전류는 반비례한다. GaAs는 가장 적합한 1.4 eV의 밴드갭을 가지고 있어 단일 접합 태양전지 물질로는 가장 적합하다.
III-V족 화합물 반도체 태양전지의 개발 필요성
○ 다양한 밴드갭 에너지를 가지는 박막 제조 가능:
III-V족 화합물 반도체 태양전지는 III족 원소(In, Ga, Al)와 V족 원소(As, P)의 조합으로0.3 eV~2.5 eV까지 밴드갭을 가지는 다양한 박막 제조가 가능하여 다양한 흡수 대역을 가지는 태양전지 개조가 가능하여, 다중 접합 태양전지 제작이 가능하다.[1]
○ 다중 접합 구조에 적합하여 변화효율 50%이상의 초고효율 특성:
III-V 화합물 반도체 태양전지는 서로 다른 밴드갭을 갖는 물질을 적층하여 태양광의 전체 spectrum을 사용하는 것이 가능하기 때문에 50%이상의 초고효율 태양전지를 개발할 수 있는 가능성을 가지고 있다. 1990년 이후 다중접합 구조의 태양전지 셀 개발로 III-V 화합물 반도체 태양전지 효율이 급격히 증가, 매년 연간 1%의 효율 향상을 보이고 있으며, 2009년 독인 Fraunhofer ISE에서 집광형으로 효율 41.1%로 달성하였다.
○ 고배율 집광형 태양광 발전에 적합:
III-V 화합물 반도체는 고온 특성이 우수하여 온도 안정성 및 신뢰성이 우수하고, 또한 집광 시 효율이 상승하는 특성이 있어 고배율 집광형 태양광 발전 시스템에 가장 적합하다. Si 태양전지의 경우 100배 이하의 집광에서 사용하나, III-V 화합물 반도체 태양전지의 경우 500~1000배 정도의 고집광이 가능하다. 이러한 특성으로 III-V 화합물 반도체 태양전지 모듈 가격을 낮출 수 있고, 따라서 Si 태양전지 시스템과 비교하여 발전 단가 면에서 경쟁력을 확보할 수 있다. 그림 2는 집광률에 대한 III-V 화합물 반도체 태양전지의 효율 향상을 나타낸다.
○ 소면적 나노 소자 및 초경량 태양전지로 적합:
III-V족 화합물 반도체는 Si 태양전지에 비해 표율이 50%이상 높으며, 태양광선에 열화가 적어 인공위성과 우주 정거장과 같은 곳에 사용된다. 또한 효율이 높아 나노소자와 같은 소면적 고출력을 원하는 디지털 소자의 전원으로 적합하다.
III-V족 화합물 반도체 태양전지 작동원리 및 구조
○ III-V족 화합물 반도체는 III족(In, Ga, Al)과 V족(As, P) 물질을 혼합하여 다양한 밴드갭 에너지를 가지므로 다양한 흡수 대역의 태양전지 개발 가능하다. 가시광 대역(600nm) 이하 단파장 대역은 InGaP 박막이 사용되며 근적외선 대역(800nm) 이하에서는 InGaAs 박막을 사용하고, 적외선 대역(1600nm) 이하에서는 Ge을 이용하고 있다.
○ III-V족 화합물 반도체를 이용하여 광 흡수 대역이 서로 InGaP 태양전지와 InGaAs 태양전지를 Ge 태양전지 위에 적층하여 광 흡수 대역을 넓혀 태양광 흡수율을 최대화 할 수 있다.
○ III-V 화합물 반도체는 다양한 밴드갭 에너지를 가지는 박막 제조가 용이하고, 직접천이(direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실리콘에 비해 광 흡수율이 높다. 또한 터널정션(tunnel junction)을 이용하면 광학적 손실과 전기적 소실을 최소화 하면서 다양한 밴드갭을 가지는 태양전지를 직렬 연결이 가능하여 한 번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수대역을 가지며 효율이 높은 다중접합 태양전지 제작이 가능하다.
○ 다양한 흡수대역의 태양전지를 연결하는 터널정션은 태양전지와 동일한 물질인 III-V족 화합물 반도체를 이용하여 제작이 가능하므로 다중 접합 태양전지 제작 시 한번의 공정으로 다중 접합 태양전지 제조가 가능하게 해준다.
○ 터널정션은 불순물이 고도 첨가된 P++층과 N++층을 접합한 pn정션 구조를 가지며 그림 3(a)와 같이 P층에서는 Fermi준위가 valance band 아래에 존재하고, N층에서는 conduction band 위쪽에 형성하게 되어 역전압 영역과 특정 순방향 영역에서 터널링에 의한 전류 흐름이 발생하게 된다[8]. 이러한 특성을 이용하면 태양전지와 태양전지 적층 시 터널정션을 삽입하면 태양전지 간에 저항이 매우 적은 도선을 연결한 것과 같은 특성을 가진다.[4]
○ III-V족 화합물 반도체는 직접천이형 밴드 구조를 가지고 있어 광 흡수계수가 크므로, III-V족 화합물 반도체를 이용한 다중 접합 태양전지는 렌즈와 같이 태양광을 모아 발전하는 집광형 태양전지에 적합하다.
○ 집광형 태양전지는 렌즈나 거울을 이용하여 넓은 면적의 태양광을 작은 면적의 태양광에 집광하는 구조로 수십배에서 수천배의 태양광을 작은 면적의 태양전에 집광 할 수 있다.
그림 3. III-V족 화합물 반도체를 이용한 (a)3중 접합 태양전지 구조 (b)3중 접합 태양전지의 태양광 흡수 대역[3]
그림 4. 터널정션의 (a) 밴드 구조 (b) 외부 Bias에 따른 전자의 터널 과정 (c) 터널정션과 일반 PN 다이오드의 I-V 그래프
III-V족 화합물 반도체 태양전지의 기술개발 동향
○ 미국에서는 최근 High-Performance(HiPerf) PV 프로젝트가 구성되어 기존의 태양전지보다 2배 이상의 성능 향상 및 태양전지 시장의 활성화 등을 목적으로 고효율 다중접합 태양전지 R&D가 진행되고 있다. 미국에서의 고효율 태양전지 개발 프로젝트 로드맵을 나타낸다.
여기에서는 다중접합 III-V 화합물 반도체 태양전지를 중심으로 하는 집광형 태양전지 연구개발에 의해, 2020년까지 41% 셀 효율 및 33% 시스템 효율 실현을 목적으로 하며, 이러한 효율을 달성함으로써 집광형 태양전지 시스템 가격을 1$/Wp 이하로 실현하는 것을 목표로 하고 있다. 이러한 미국의 Department of Energy 프로젝트는 현재 NREL 주도로 진행되고 있으며, 9개 대학 및 기업 등이 참가하고 있다.
○ 일본에서는 1990년도부터 초고효율 다중접합 III-V 화합물 반도체 태양전지 R&D 프로젝트가 시작되었다. 이 프로젝트의 목적은 초고효율 III-V 화합물 반도체 태양전지를 고배율(x500) 집광함으로써 기존의 flat plate 형 태양전지 판넬과 비교해서 1/500 면적인 집광형 태양전지를 이용하여 저가격 태양광 발전 시스템을 개발하는 것에 있다. NEDO 주도로 H13-H15년에 셀 효율 38.9%(489배 집광) 및 28.1% 모듈 효율을 달성하였으며, 실리콘 태양전지 모듈과 비슷한 950kWh/kWp 및 박막모듈과 동등한 0.15kg/W의 경량화를 달성하였다. 2010년까지의 개발목표는 셀효율 40%, 모듈효율 28% 및 cost 100엔/W이다.
표 1. 다중접합 III-V족 화합물 반도체 태양전지 기술 발전[9]
그림 5. Fraunhofer에서 2009년 세계 최고 효율을 달성한 (a) InGaP/InGaAs/Ge 태양전지(면적 5.09mm2)와 (b) AM1.5d, 집광율 454배 집광 조건에서의 I-V 데이터
해외 기술 개발 동향
○ Fraunhofer ISE, 독일
- 2009년 metamorphic 성장한 InGaP/InGaAs/Ge 3중 접합 태양전지로 세계 최고 효율 41.1%(AM1.5, 454배 집광) 달성[5]
○ Spectrolab, 미국
- 격자정합계 InGaP/InGaAs/Ge 집광형 셀을 개발하여, 135배 집광에서 변환효율 40.1%(AM1.5d)를 달성
- Metamorphic InGaP/InGaAs/Ge 구조로 40.7%(x240, AM1.5d) 효율을 달성[6]
- 차세대 태양전지로서 1eV-InGaAsN sub 셀을 접합한 격자정합계 5, 6접합태양전지의 개발을 진행 중
○ Emcore, 미국
- InGaP/InGaAs/Ge 셀을 이용한 520배 집광형 모듈을 (0.2m2)개발
- 옥외 테스트에서 최고 28.2% 변환효율(750W/m2)을 달성
○ DARPA, 미국
- 미국의 Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA)에서는 2005년 11월부터 약 530억원을 투자하여 효율 50% 이상인 초고효율 태양전지 개발을 시작
- 태양광을 파장 대역별로 분류하여 각 파장대역별로 GaN + GaInP/GaAs(2-junction) + Si + InGaAsP/InGaAs 셀을 수평 방향으로 배열하는 방법을 사용
○ Spire corp., 미국
- AlGaAs/GaAs 이종접합 태양전지에 DBR을 첨가하여 GaAs 기판과 Si 기판 위에 성장하였을 때 효율을 비교하였음. Si 기판 위에 reflector가 첨가된 AlGaAs/GaAs 태양전지의 경우, 약 17.14%를 얻었음
○ 기타, 미국
- Caltech은 효율 40%를 목표로 하여, wafer bonding 및 layer transfer 기술을 이용한 InGaP/GaAs/Ge/Si 및 InGaAsP/InGaAs/InP/Si 태양전지 개발연구를 진행하고 있음
- Ohio 주립 대학은 Si 위에 III-V 다중접합 집광형 태양전지를 개발하기 위해서, 최근 SiGe을 넣은 GaAs 성장에 성공함
- Delaware 대학은 InGaN계 태양전지의 개발을 목적으로 최근에 Ge 기판 위에 InN 성장에 성공함
○ Sharp, Daido steel, Toyota tech, 일본
- paper like InGaP/GaAs 2중 접합 태양전지(4cmx7cm) 개발. 변환효율 29.4%(AM1.5G, 1cm2, 8.6mg)
- InGaP/InGaAs/Ge 3접합 셀을 이용한 400배 및 550배 집광시스템을 개발하였음
- InGaP/InGaAs/Ge 3접합 셀에서 38.9%(498배 집광) 변환효율을 달성
○ Solar system, 호주
- Spectrolab의 III-V 화합물 반도체 태양전지 셀을 사용하여 태양광 발전 시스템 개발할 예정, 현재 사용되고 있는 Si 태양전지를 Spectrolab의 III-V 화합물 반도체 태양전지로 바꿀 경우 46%의 효율 향상 예상(480배 집광 시)
그림 6. Sharp에서 개발한 Paper like InGaP/InGaAs 태양전지
국내 기술 개발 동향
○ 국내에는 III-V 화합물 반도체를 이용한 LED, LD, PD와 같은 광소자 기술 및 HBT 전자소자 기술이 발달 되었으므로 이 기술을 태양전지에 접목함으로서 선진국의 기술 수준에 빠르게 도달 할 수 있는 잠재적인 능력을 보유하고 있다.
○ III-V족 화합물 반도체 태양전지 연구는 한국전자통신연구원(ETRI), 나노특화팹센터(KANC), 한국광기술원(KOPTI)에서 활발히 연구되고 있다. ETRI와 KANC에서는 InGaP/InGaAs/ Ge 구조를 이용한 고효율 3중 접합 태양전지 개발을 하고 있으며, KOPTI에서는 Si 기판 위에 초저가 III-V족 화합물 반도체 태양전지를 연구하고 있다. 한국과학기술원(KIST)에서는 광학계 설계를 이용한 저 손실 집광용 광학계 개발을 하고 있다. 최근 표준과학기술연구원에서는 III-V족 화합물 양자점을 이용한 고효율 태양전지 개발 연구를 시작하였다.
○ 국내의 III-V족 화합물 반도체를 이용한 집광형 고효율 태양전지는 태양전지는 해외에 수입하고 이를 이용하여 독자적인 집광 시스템을 개발하는 업체가 최근 설립되고 있다. 대표적인 집광 시스템 업체로는 HISPOWER와 ES system이 있다.
□ 나노특화팹센터(KANC)
2007년 국내 유일의 6인치 GaAs 양산라인 구축을 기반으로 초고효율 III-V 화합물 반도체 태양전지 개발 시작함
2009년 InGaP/GaAs 2중 접합 태양전지를 이용한 25.58% 효율 달성
InGaP/InGaAs/Ge 3중 접합 태양전지 개발 중
그림 7. KANC에서 개발한 2중 접합 태양전지 시연
□ 한국과학기술원(KIST)
1997년 국내 최초로 III-V족 화합물 반도체 태양전지 연구 시작
- AlGaAs/GaAs 이종 계면 태양전지 개발 : 변화 효율 13.7%
- InGaAs/GaAs 양자우물 태양전지 개발 : 변환 효율 15.2%
2007년 고집광용 광학계 설계 및 짐광 시스템 연구 시작
그림 8. KIST에서 개발한 3x3 array 집광 모듈. 휴대용 멀티미디어 플레이어(PMP)를 작동 시키고 있다
□ 한국전자통신연구원(ETRI)
○ 2005년 광소자용 III-V족 반도체 공정 기술을 이용하여 III-V족 화합물 반도체 태양전지 연구 시작
○ 2006년 GaAs 단입 접합 태양전지 개발 : 변환 효율 21%
○ 고집광용 다중접합 태양전지용 고품질 터널정션 개발
○ 2007년 국내 최초로 InGaP/GaAs 2중 접합 태양전지 개발 : 변환 효율 23.7%
○ InGaP/InGaAs/Ge 다중 접합 태양전지 개발 중
그림 9. ETRI에서 개발한 800W급 III-V족 화합물 반도체 태양전지 미니 모듈
□ ES system
○ Emcore에서 태양전지 Cell을 공급 받아 독자적 모델의 렌즈형 1100배 집광형 고효율 태양광 발전 시스템 개발
그림 10. 국내 ES system에서 독자 기술로 개발한 집광형 태양전지 시스템(출처 : http://www.essystem.kr)
제안하고 싶은 정부 정책 반영안
○ 우주시대용 고효율 태양전지 기술 확보 절실
- 현재 인공위성용 태양전지는 Si 태양전지에서 III-V족 다중 접합 태양전지로 100% 전환되었음. 우주시대를 맞이하여 인공위성, 우주 정거장 등 우주 개척시대가 오면 고효율 태양전지에 대한 독자적인 핵심 기술 확보 및 독자적인 생산 시설을 확보가 필요함. 하지만 국내에서는 인공 위성용 태양전지에 대한 기술 지원이 전무한 상태
- 우주 시대 우주 에너지 독립을 위해서는 고효율 태양전지에 대한 핵심 기술 확보 및 관련 소재, 기판, 장비 등에 대한 국산화가 절실함. 하지만 국내에서는 고효율 태양전지와 관련된 소재, 기판, 장비 등에 대한 산업이 전무한 상태임. 따라서, 관련된 기술, 소재, 장비에 대한 산업 육성 및 지원이 절실한 상태
- 국내 III-V족 화합물 반도체 태양전지에 대한 기초 연구 지원이 거의 없어 몇몇 연구 기관에서 기관 내부 재원으로 겨우 시작하는 단계임. III-V족 화합물 반도체 태양전지 제조에 사용되는 MOCVD 장비의 경우 연구 기관에서 보유하고 있는 장비는 기존 광통신 연구에 사용 되던 장비들이다. 대부분 장비의 사용 기간이 10년을 넘고 있어, 앞으로 5년 정도 더 사용 가능 할 것으로 보임. 고효율 태양전지의 시장이 증가할 것으로 보이는 2015년 이후에는 고가의 MOCVD 장비를 새롭게 도입해야 하므로 엄청나게 많은 비용이 소요될 것으로 보임. 따라서, 기초 연구를 위해서는 현재 장비를 사용하는 것이 가장 적기이므로 가능한 빨리 과감한 연구비 투자가 필요함.
○ 고집광용 고효율 태양전지 기술 지원
- 2015년 세계 태양광 발전량의 25%가 집광형 태양전지(Sharp 예상 자료)가 차지할 것으로 예상되고 계속적인 증가가 예상됨으로 이에 대응하기 위해 연차별 기술 개발 결과 홍보를 통한 조속한 국내 대기업 참여 유도 및 관련 산업 육성 유도가 필요. 독자적인 핵심 원천 특허를 조기 확보함으로써 국내 기업의 해외 경쟁력을 강화하고, 국내 핵심 원천 특허를 국제 표준화로 채택할 수 있도록 유도
- 집광형 III-V 화합물 반도체 태양전지의 산업 육성에 필요한 신뢰성 평가할 수 있는 소규모 발전 시스템을 구축하여 관련 기술 및 자료 등을 기업에 제공할 수 있는 실증 사업이 필요함
- III-V 화합물 반도체 태양전지 시장에 선진국이 진입하기 전에 국제 경쟁력을 갖춤으로써 국내 태양전지 산업을 보호하고, 더 나아가 상대적으로 태양광 산업이 낙후된 국가(동남아, 아프리카 등)에 III-V 화합물 반도체 태양광 산업을 수출 가능함하도록 지원 필요.
기대효과 및 파급효과
III-V족 화합물 반도체 태양전지 산업은 기존 Si 태양전지 산업에 비해 태양전지 셀 제작이 어려워 고부가가치 산업으로 육성이 가능하므로, 기존의 수입에 의존한 설치 위주의 국내 태양광 산업을 핵심 기술을 보유한 고부가가치 에너지 산업으로 변화 유도 가능
집광형 III-V 화합물 반도체 태양전지는 태양전지 제조, 광학계 설계, tracker, 냉각 장치 등 다양한 산업과 다양한 재료를 필요하여 집광형 태양광발전 시스템 분야를 육성함으로써 다양한 산업이 동시에 육성 가능함
고효율 태양전지는 우주항공, 군사, 소형 포터블 IT 기기용 전원 등 미래 첨단 기기의 보조 전원으로 활용 가능하다.
맺는말
○ III-V족 화합물 반도체 태양전지 고집광형 태양전지의 변환 효율은 매년 1%씩 효율 향상이 진행 되었으나, 2007년 이후 효율 향상이 둔화 되었다. 이는 3중 접합 태양전지의 효율 한계에 도달하여 보다 높은 효율 향상을 위해서는 4중 접합 태양전지 개발이 절실하다. 4중 접합 태양전지 개발이 되면 변환 효율이 50%를 넘을 것으로 예상된다.
○ 집광형 고효율 태양전지의 발전 단가는 2015년 Si 태양전지의 발전 단가와 경쟁력을 확보하게 될 것이며, 7cent/kwh가 될 것으로 예상한다.[6]
○ 발전단가를 낮추기 위해 집광율은 기존 100~500배에서 1000~6000배의 고집광형으로 발전할 것이며, 소규모의 렌즈형에서 Helostat와 같은 대규모 타워형으로 발전할 것으로 예상된다.
○ 집광형 고효율 태양전지는 태양전지 제조, 광학계 설계, 추적 장치, 냉각 기술 등 기술이 융합되어 있어 다양한 분야 산업 발전이 예상됨
○ 기존 태양전지 기술은 기술 장벽이 매우 낮고 대량 생산을 통한 단가 절감하는 구조를 가지고 있어 대규모 자본을 가진 후발 기업에게 시장 잠식되기 쉽다. 그러나, III-V족 화합물 반도체를 이용한 집광형 고효율 태양전지는 기술 장벽이 매우 높은 기술 집약 산업이므로 독자적인 기술 확보하게 되면 독점적인 시장을 확보할 수 있어 미래 고부 가치 산업으로 적합하다.
참고문헌
⑴ Frank Dimroth and Sarah Kurtz, "High- Efficiency Multijunction Solar Cells", MRS BULLETIN,32,March(2007), 230-235
⑵ M. Yamaguchi et. al./Solar Energy Materials & Solar cells 90, 2006, 3068-3077
⑶ 한원석, 김현수, 최병석, 오대곤, "차세대 고효율 태양전지 기술 동향", 전자통신동향분석, 22(5), 86-94 (2007).
⑷ 한원석, 배성범, 이규석, 오대곤, "집광형 III-V 화합물 반도체 태양전지 동향", 전기전자재료 제 21권 제11호(2008년 11월), 12-20
⑸ Martin A. Green, Keith Emery, Yoshihiro Hishikawa and Wilhelm Watra, "Solar cell Efficiency Tables(version 34)", Prog. Photovolt:REs. Appl. 2009, 17, 320-326
⑹ R. R. King,aD. C. Law, K. M. Edmondson, C. M. Fetzer, G. S. Kinsey, H. Yoon, R. A. Sherif, and N. H. Karam, "40% efficient metaphomic GaInP/GaInAs/Ge multijunction solar cells", Appl. Phys. Lett. 90, 183516(2007)
⑺ "National Solar Technology Roadmap: concentrator PV", Management Report NREL/MP-520-41735, NREL June(2007)
⑻ M. Hermle, g. Letay, S. P. Philipps and A. W. Bett, "Numerical Simulation of Tunnel Diodes for Multi-junction Solar Cells", Prog. Photovolt: REs. Appl 16, 409-418(2008)
⑼ M. Yamaguchi, T. Takamoto, and K. Araki, "Present and future of super high efficiency Multi-junction solar cells", Proc. of SPIE Vol. 6889, 688906
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