LED
LED는 무수은 친환경성, 저전력 소모, 반영구적인 장수명, 빠른 응답속도, 등의 장점을 갖추고 있어 고출력, 대면적, 고효율 형태의 LED는 실생활에서 Interior & Exterior 조명에 직·간접적으로 사용되며 수요처 및 응용범위가 빠른 속도로 확산되어져가고 있다. 하이츠의 법칙(Haitz's Law)에 따른 급속한 기술발전을 보면 LED는 10년마다 성능은 20배씩 향상되고, 가격은 1/10으로 하락되고 있다.
글: 윤형도 수석 / 그린에너지센터
전자부품연구원 / www.keti.re.kr
임프린팅 기술의 소개
LED에 대한 기술개발은 발광성능 및 신뢰도 향상과 저가격화의 방향으로 추진되어 왔으며, 이를 위하여 LED 칩의 구조, 재료, 제조공법, 패키징 및 구동회로 등의 분야에서 기술개발이 활발히 진행되어지고 있다.
LED의 시장 확대를 위해서는 광효율 향상 및 가격 경쟁력 확보라는 두 가지 측면이 지속적으로 발전해야 하며, 효율 향상을 위한 저결함 에피텍셜 웨이퍼의 성장 및 칩에서의 전극 패턴 최적화, 패키지 재료 및 설계에서 광량의 극대화가 되어야 한다.
최근의 LED는 새로운 기판의 개발, 칩에서의 광효율 극대화, 새로운 형광체 개발, 고출력/고신뢰성 패키지 개발이 활발하게 이뤄지고 있다.
그림 1. 나노 임프린트 공정의 기본 개념
주요국의 LED 기술동향
가. 일본의 기술 동향
1998년부터 에너지 절감 및 환경대책의 일환으로 광반도체를 이용한 조명용 백색 LED 기술을 개발해오고 있으며, 21세기 빛 프로젝트는 1단계로 5년 동안 총 600억 원의 사업비를 들여 LED 생산전문기업 13곳, 대학교 5곳, 표준기관 1곳 등이 선정되어 기술개발이 지원되고 있다.
LED 선도업체인 니치아, 도요타 고세이 등을 축으로 한 기술선도업체가 해외주요 미국과 독일의 기술선도업체와 기술동맹을 체결하여 움직이고 있으며, 규격통일을 통해 제조사가 다르더라도 교환할 수 있고, 형광등에 대체되는 저전력 조명용의 장점을 적극 홍보하고 있다. 그동안 LED는 각종 신호기, 휴대폰 등에 채택되어 왔으나, 일반 조명으로서는 형광등이나 전구와 같이 간단하게 교환할 수 있는 통일 규격이 없어 보급에 차질을 빚어 왔다.
LED 업체들은 경제 산업성의 지원을 받아 "LED 조명산업협의회"를 결성했고 여기에는 전기전자 및 조명기기업체, 반도체칩·소재 관련업체들의 참여를 통해 총 100여 개 사의 공통 표준규격을 만들고 있으며 조명기구에 LED를 부착하는 각종 규격들, 성능의 측정방법, 밝기 표시, 색상 배합, 수명 등을 통일화 하는 작업을 포함하며, 이러한 통일 규격은 향후 국제 규격의 제정에서도 주도권을 확보할 목적도 내포되어 있다.
나. 미국의 기술 동향
미국광산업협회가 주체가 되어 국책사업인 "Next Generation Lighting Initiative" 프로젝트 추진. Next Generation Lighting Initiative" 프로젝트가 완료되는 2011년경에는 효율 160 lm/W, 수명 10년을 갖는 광반도체를 이용한 조명용 백색 LED 램프와 효율 100lm/W, 수명 5년을 갖는 OLED 제품이 개발될 계획이다. "Dual Use Application Project"의 일환으로 DARPA, ONR 등을 통하여 반도체 발광소자 기술개발에 매년 8천만 달러 이상의 연구비를 지원하며, 2020년 까지 미국의 반도체조명 기술 로드맵을 보면, 2012년에 형광등을 대체하며, 2020년에 모든 광원을 대체하는 전략을 수립하고 있고 대체적으로 2012년에 백열등과 형광등의 1/4이 LED로 대체될 것으로 보고 있다.
캘리포니아 주립 산타바바라 대학에서는 정부자금으로 차세대 조명 프로젝트를 실시하고 있으며, 종래의 접근방법과는 다른 방법을 취하고 있고, 2007년에 백색 LED의 발광효율은 200lm/W이고, 이는 미국의 국가 프로젝트로 상정되고 있는 로드맵의 2020년 목표를 획기적으로 앞당기는 계획이다.
다. 대만의 기술 동향
대만의 질화물 광반도체 연구는 ITRI가 주도하고 있으며 양산 위주의 연구개발에 집중하고 있으며, Next generation Light R&D Consortium 결성되어 양산은 50lm/W, R&D는 100lm/W가 목표이다. 백색 LED의 발광방식은 UV-LED를 베이스로 하고 있고, 참여기업의 역할분담은 GaN 기판(HVPE방식)을 ITRI/OES가 담당, 에피텍셜 웨이퍼 성장을 Epister 및 Forepi, 칩 프로세스를 Forepi 및 Tymtech가 담당하고 있다.
그 외에 비 YAG계 형광체를 Unity와 학회의 연구소가 개발하고, 패키징과 모듈화는 Kingbright, BRTLED, Everlight, Ledtech가 담당하고 있으며 패키지 재료는 ITRI, 시험은 PARA 및 ITRI/OES, 조명응용은 OPTECH가 담당하여 백색 LED 개발을 추진하고 있다. 대만기업들은 AlGaInP LED 생산으로 높은 시장점유율을 차지하고 있고, 특히 InGaN 베이스의 LED는 최고의 공급자로서 급속히 성장해 오고 있고 대만에는 많은 LED 칩을 생산하는 기업들이 있지만, 그 중에서도 UEC, Epistar, Arima, Formosa Epitaxy 등은 대기업들이고, 이외에 10여개 기업들이 다른 수준의 발전단계에 있다.
현재 LED 칩 생산에서는 세계의 64%를 차지하고 있고, 1987년에 ITRI에 MOCVD를 최초설치 이후 현재 MOVPE 리액터가 전국에 걸쳐 700대 이상 설치되어 있으며, 이러한 MOVPE 리액터의 대부분은 LED 생산용이며 나머지는 HBT나 HEMT의 에피탁셜 웨이퍼나 레이저 다이오드를 개발하는데 이용하고 있다.
라. 중국의 기술 동향
중국 내 기업의 LED 기술은 세계 표준과 약 3년 정도 뒤져있으며, 실제로 중국에서 LED나 관련 상품을 생산하는 기업의 80%가 수출용 제품을 생산하는 외자계 기업으로서 기술 이전이 거의 이루어지지 않고 있는 실정이다. 이러한 상황에서 중국의 LED 시장에 영향을 강하게 미치는 나라는 대만과 한국 기업이다.
특히 대만 기업 전체가 생산하는 LED 중 50%는 중국에서 생산하고 있으며, 이러한 외 국자본 계열의 기업들은 저렴한 노동비용을 무기로, 수출용 제품을 생산하고 있다. LED 산업은 자체의 혁신 속도가 매우 빠른데 반해, 중국은 LED 기술부족으로 인해 고급 지향 메이커가 없고 저급형 기술의 기업이 넘쳐나는 상태이다. 중국에서 조명용의 백색 LED에 필요한 GaN을 사용한 청색 발광다이오드의 연구가 본격적으로 시작된 것은 1998년이나 아직도 산업화에 이르지 않았다.
고급지향 메이커의 육성을 집중적으로 쏟는 것이 일반적이기 때문에 대대적인 자금 투입이나 우대조치, 세계적 메이커의 유치를 위해 노력할 것으로 예상되고 저급형 기술 메이커는 외자계 기업의 기술도입을 위해 합작회사를 설립을 서두르고 있으며, 그 대상은 주로 대만기업이다. 한국, 중국, 대만의 관계는 서서히 수직적 관계를 구성하고 있으며, 당초 반도체 분야가 강하고, 에피 성장 등 필요한 기술·기기를 가지고 있는 대만이 칩을 제조하고, 그것을 재벌계의 대자본에 의한 대규모 투자를 실시하는 한국에서 패키지화하며, 응용분야는 저렴한 인건비의 중국에서 제조한다는 삼각분업구조 라고 할 수 있다. 이러한 분업체제의 확립으로 보다 코스트 경쟁력이 있는 LED를 제조하는 것이 가능하게 되었다.
주요국의 LED 업계 기술동향
가. 일본의 업계 동향
니치아 화학사(Nichia Chem. Inc.)은 세계 최대 GaN Base LED 제조업체이며, Blue 및 White LED를 제조. 1993년 세계 최초 Blue LED, 1996년 세계 최초 White LED를 개발·생산하였으며, 40년 이상 형광체를 제조·판매. 전 세계 White LED의 절반을 공급하는 것으로 추정된다. Epi 성장 및 칩 구조, White LED 구현에 대한 핵심 특허를 보유하고 있으며, 대형 LED 업체인 독일의 오스람(Osram), 일본의 도요다 고세이(Toyoda Gosei), 미국의 크리(Cree), 루미레즈(Lumileds)와 크로스 라이선스를 체결하였으며, 특허를 침해하는 업체에 대해서는 White LED 경쟁력 강화를 위해 강력하게 대응하고 있다.
쇼와덴코(Showa Denko)사는 독자적으로 최고급 수준의 12mW급 질화갈륨계 청색 LED를 개발하여 사이드뷰, 옥외용 전광판, 자동차용등에 적용하고 있다. 에피웨이퍼 분야에서는 RGB LED 에피웨이퍼 생산, 청색 LED의 경우 독자적인 에피텍셜 웨이퍼 구조 및 칩 제조 공정 개발하고 디바이스분야에서는 방열특성 및 신뢰성의 향상을 기대할 수 있는 플립칩 구조를 채용함으로써 자동차 및 조명용도에 유리함. GaN계를 제외한 화합물 반도체 광소자 재료 분야에서 세계 최대의 시장점유율 유지하고 있다.
도요다 고세이사(Toyoda Gosei Inc.)사 니치아와 더불어 청색 LED 및 백색 LED 기술 개발을 주도했으며, 니치아와의 특허 분쟁 끝에 2002년 9월 크로스 라이선스를 체결. 고출력, 고휘도 블루 LED를 도요타 자동차의 후미등, 계기판 등에 적용하고 있다. 도시바(Toshiba) 및 마쓰시다(Matsushita)와 협력하고 있고, 유럽 일반 조명 시장 진출을 위해 조명업체인 Tridonic.Atco와 2006년 합작사를 설립. 최근의 실적 부진에 따라 칩 중심으로 개발/판매에 집중하고 있다.
스탠리(Stanley)사는 70년대 이후 적색 LED 시장의 강자로 LED 업계를 주도하였으나, GaN 기반의 청색 LED에 있어서는 니치아, 도요다 고세이에 뒤짐. 주요 판매처는 전장 및 전자기기용이며, 자동차용 부품산업에 강점을 이용하여, 헤드램프(Headlamp)에 LED가 적용된 제품을 개발하였다.
시티즌전자사(Citizen Electronics Inc.) YAG 형광체를 이용하여, LED PKG를 제조하고 있으며, SMD 패키지 기술력이 우수하여 소형화에 강점을 갖고 있다. 주요 제품의 판매는 휴대폰 및 전자 기기용이며 스몰 칩(Small Chip)을 이용한 다양한 패키지를 개발하고 있다.
나. 미국의 업계 동향
크리(Cree)사는 1987년에 설립되었으며 광소자, RF 및 파워 소자의 개발 및 생산, SiC(탄화규소) 기판을 사용한 고출력 청색, 청록색, UV-LED 양산에 주력하고 있다 . 2002년 11월 니치아 화학과 크로스라이선스를 체결하였고, 세계 최대 GaN 칩 제조/판매 업체이다.
SiC기판 위에 LED를 성장하며 주요 칩 판매 거래 선은 독일의 오스람 서울반도체 등이 있다. 칩 공급과 더불어 White LED 특허 관련 라이선스. USCB(미국) 연구소에서 조명용 LED의 기술 개발 협력을 하고 있다. 루미레즈(Lumileds)사는 필립스와 애질런트의 합작사로 설립되었으나 2005년 필립스가 애질런트의 지분을 인수하고2007년 1월 잔여 지분을 100% 인수하였다. 적색 LED 및 고출력 패키지의 선두 업체로 대형 칩(Large Chip)을 적용한 고출력 패키지 제품을 차량용, 신호등, 일반조명용, LCD 백라이트(Backlight)용 모듈 기술을 개발한다. 고출력, 고휘도 청색 LED 시장 선점하였고 세계 유일의 Direct LCD 방식 LCD-TV용
LED 공급업체이다. 일반 조명응용 기술 및 표준화와 관련된 고전력 LED 기술을 중심으로 2002년 10월 니치아화학과 크로스라이센스 체결하였다. 2005년 8월 Agilent Technologies가 Philips Lighting에 주식 완전 양도하여 필립스의 자회사가 되었다. 젤코어(CELcore)사는 GE(General Electric) 라이팅과 화합물반도체 전문회사인 엠코어(Emcore) 합작 후에 GE 라이팅이 주식 전량 인수하였다.
다. 대만의 업계 동향
에피스타(Epistar)사는 세계 최대 레드 칩(Red Chip) 생산 업체, 대만 최대 GaN 칩 제조회사로 1996년 후반에 설립되었으며 에피웨이퍼와 칩을 동시에 생산한다. UEC와 2005년 합병하고 최근에는 Epitech, Highlink와 합병하며, 규모의 경제를 실현하여 세계 최대 칩 공급업체로 부상하였다. 청색 LED의 생산량도 니치아화학, Cree, 도요다합성, South Epitaxy에 이어 세계 5위의 규모이다. 현재 Epistar는 고휘도 청색 LED에서 대만을 선도하는 기업이고, UEC는 LED 전체를 볼 때 대만 최대의 공급업체이다.
Arima Optoelectronics사는 에피 웨이퍼(Epi-Wafer), 고전력(High Power) LED 에피 웨이퍼(Epi-Wafer) 생산를 생산한다. 대만 업체 중에서 최초로 일본시장에 진출하였고 도요타 고세이와의 전략적 제휴로 니치아 특허 침해 문제를 해결하였다. 하바텍사는 1995년 설립된 LED 칩 생산업체로 애질런트 모토롤라 등이 주요 거래처이고, 대만 휴대폰용 LED 칩 시장 점유율 1위이다. 국내 업체에 2년간 자동차용 및 일반 실내 외 조명용 파워 LED 및 중대형 TFT-LCD BLU 용 LED 칩 독점 공급하고 있다.
라. 독일의 업계 동향
오스람 옵토 세미컨덕터사는 지멘스(Siemens)와 오스람의 합작 회사로 자동차 Interior용 LED의 선두 업체로 청색, 적색 LED 까지 다양한 용도의 LED를 보유하고 있다. Thin GaN 구조 LED를 상용화. 대만 및 국내 업체를 대상으로 TAG 형광체에 대해 License하였다. 최근에는 전장용 헤드램프, 조명용 고출력 패키지, 중대형 LCD 백라이트 개발을 집중하고 있다.
향후의 경쟁 및 신규·대체 가능기술 현황
현재 상용화되어있는 고출력 파워칩과 관련하여 1W 입력에서 최소 80lm을 제공하는 고출력 화이트 LED 제조업체는 필립스 루미레드, 오스람 옵토 세미컨덕터, 니치아, IDEC 옵토 디바이스, 아바고 테크놀로지스, 시티즌 일렉트로닉스, 샤프, 서울반도체, 마쓰시타 전기산업 등이 있으며 그와 관련된 모델명, 출력색상과 발광효율, 크기 등을 아래 (표 1)에 나타내었다.
신규 및 대체기술 현황
현재 사용되는 Interior & Exterior 조명을 위한 고효율 고출력 LED 칩 기술 관련하여 향후 연구개발 분야에서 신규 및 대체기술로써 활발히 연구되어지는 부분은 무분극 기판을 이용한 GaN의 성장, M면 ZnO 기판을 이용한 GaN 에피탁시, GaN On Si 개발, 수직형 칩(Vertical chip) 제작기술 등이 있다.
표 1. 상업화된 Interior & Exterior 조명용 고효율 고출력 LED 특성
가. 무분극 기판을 이용한 GaN의 성장
III-Nitride 물질의 경우는 Single or MQWs와 같은 양자구조를 포함한 다양한 에피층은 대개(0001) 사파이어나 SiC에서 성장되는데 이 경우 c축으로 배향된 Wurtzite 결정의 noncentrosymmetric 특성 때문에 자발분극과 압전분극의 결과로 정전기필드가 나타나게 되며, Low-symmetry를 가지는 결정구조 때문에 Wurtzite Ⅲ-Nitride 물질은 평형상태에서도 0이 아닌 분극을 가지고 있다.
분극으로 유발된 정전기필드는 양자우물의 에너지 밴드구조를 변화시키고 따라서 전자와 홀은 거의 삼각형 형태의 전위우물에 존재함. 따라서 이러한 현상은 소자의 전기적·광학적 특성에 커다란 영향을 미친다.
최근 Shuji Nakamura 및 Steve DenBaar 등이 연구책임자로 있는 UCSB(University of California at Santa Barbara) 팀이 Non-Polar GaN 기술을 이용한 InGaN MQW 구조를 GaN 기판상에 성장하여 402nm 파장에서 20mA 동작하여 외부양자효율이 45.4%인 28m W급의 LED를 구현하였고, 또한 200mA에서도 250mW를 구현하였다.
현재 KETI(전자부품연구원)에서는 사파이어 기판 상에서 무분극 질화물계 LED 개발에 성공하여, 20mA 구동시 1.4mW 수준의 광출력을 얻었다.
Non Polar 기술의 경우, 성장시의 많은 문제점과 기판의 고가격에 의한 비용의 문제가 있기는 하지만, 기존 기술의 경우 발생하는 강력한 분극현상에 의한 광전효율의 감소 및 전류 변화에 의한 파장 변화의 현상을 방지할 수 있어 고효율과 파장 안정성을 갖는 초고출력 LED를 구현할 수 있는 가능성이 크고 방사빔이 편광되어 있어 추후 큰 시장이 전개될 것으로 예상되는 직간접 조명 및 LCD BLU용 고신뢰성 초고출력 편광 LED를 개발할 수 있는 가장 주목할 만한 기술이라고 하겠다. 현재 국내 전자부품연구원에서는 세계 최고의 특성을 나태내는 결과치를 발표하였다.
그림 2. 전자부품연구원에서 개발한 무분극LED 칩
나. M면 ZnO 기판을 이용한 GaN 에피탁시
ZnO는 GaN와 같은 wurtzite를 가지며 GaN 박막을 사파이아 기판에 성장시 격자부정합은 약 16% 이나 ZnO 기판에 성장시 격자부정합이 약 2%로 크게 줄어들게 된다. ZnO 기판 위에 GaN계 박막은 MOCVD가 아닌 PLD나 MBE 방법으로 성장이 시도 되고 있는데 이러한 이유 중의 가장 큰 것은 ZnO 기판의 열적 안정성이 1000도 이상의 MOCVD 성장 조건에서 확보되지 못하였기 때문이다.
ZnO 기판의 경우 열적안정성의 문제가 존재하나 GaN 계 박막을 ZnO 기판에 성장하여 소자에 응용할 경우 ZnO 기판이 대부분의 알카리 또는 산 용액에 쉽게 용해되고 반면에 GaN 박막은 용해가 어려워 GaN 박막을 wet etching 방법으로 기판에서 lift-off 할 수 있고, 기판을 에칭하여 lift-off 방법으로 GaN 박막을 얻을 경우 vertical LED의 제조가 가능하여 LED 성능을 크게 향상시킬 수 있다.
M-면 ZnO 기판과 같은 비극성 기판을 사용하여 GaN계 박막을 성장하여 소자 응용이 가능하게 되어 전계 영향이 없는 비극성 LED 제조에 의한 이익과 ZnO 기판을 에칭하여 vertical LED 제조에 의한 이익이 합쳐진다면 이러한 LED는 현재까지의 GaN계 LED의 성능을 월등히 뛰어 넘는 초고품질 LED의 제조가 가능하다.
그림 3. ZnO 기판을 이용한 GaN 에피탁시
다. GaN On Si 개발
Cree 사가 SiC 기판을 이용한 LED 상용화에 성공하였으며 사파이어 기반 LED 시장에 진입하였다. 무결함 GaN 계 LED 개발을 위해 2인치급 GaN 기판이 일부 시장에 출하되었으나 아직 LED 에 적용될만한 저가형의 GaN 기판이 아니며 생산단가를 낮추는데 주력하고 있으며, 일본에서 Si 기판을 이용한 LED 시제품을 제작, 상용화 가능성을 보여주었는데 이는 Si 이 저가형 대구경 기판이므로 생산성 향상 측면에서 중요한 그림
의미를 가진다. LED 후발 제조업체들은 선발기업들에 의한 특허 공세에 대응하기 위해
전략적으로 회피 기술들을 개발 중이다. Si 기판이 큰 관심을 끄는 이유는 기판의 품질이 완벽하며 저가격, 8인치 이상의 초대형 기판이 가능, 좋은 열전도도, 그리고 전도성 기판이므로 생산 공정이 절감된다는 점이다. GaN/Si 기반 LED 에피 기술은 Si 기반 고출력 전자소자 제작에도 활용가능하고 집적소자 제조에 유리하므로 기술적 활용도가 매우 크다. Si 기판이 많은 장점에도 불구하고 기술적으로 해결하지 못했던 점은 기판과 에피층 간의 극심한 열팽창 계수에 의한 크랙 발생인데, 최근 버퍼기술과 성장전 기판 처리기술의 적용으로 많은 문제점들이 해결되고 있어서 상용 가능성이 매우 높은 상태이다.
일본 나고야 공대와 Pioneer 전기가 공동으로 Si 기판 위에 AlN 완충층을 이용한 고품위 GaN 에피층 성장에 성공하였다. 독일 Aixtron과 Otto-von-Guericke 대학이 공동으로 DBR 기술을 도입하여 2인치 Si 기판위에 0.45mW 급 GaN 구조를 2003년에 구현하였고, 일본의 Sanken에서는 4인치 Si 기판을 이용한 1mW 급 이상의 청색 LED 시제품 구현하였다.
그림 4. GaN on Si 구조 및 제작
라. 수직형 칩(Vertical chip) 제작기술
수직형 LED칩은 기존 수평형 LED칩에 비해 광 효율과 출력 상승, 작동전압 하강, 좋은 열특성, 발광면적 향상 등 장점들이 많기 때문에 고출력용으로 각광받고 있다. 지금까지 수직형 LED칩은 열방출 특성이 좋지 않은 사파이어 기판을 열전도성이 높은 금속 기판으로 대체하는 복잡한 공정을 이용해왔기 때문에 수율이 크게 낮아 크리와 오스람 등도 일부 물량만을 제조·판매해왔다.
사파이어 기판위에 성장된 LED 성능의 한계를 극복하기 위한 방법 중 하나로 시도되어 오던 수직형 LED 칩이 현실화되기 시작하였다. 수직형 LED 칩의 개념은 사파이어 기판방향과 횡방향으로 방사되는 광 에너지의 손실을 최소화 하기위해 2차 기판을 에피층에 생성시킨 후 원래의 사파이어 기판을 분리하는 방식이다. 이 구조를 완성하기 위한 기판 부착 방법에는 웨이퍼본딩 방법과 전기도금 방법이 있는데 각각의 장단점이 있으며 현재 두 가지 방법이 경쟁 중에 있다.
국내에서는 LG 이노텍, 삼성전기, 에피밸리 등에서 진행되고 있고 에피밸리 는 독자적인 방식의 수직형 LED 칩을 국내 최초로 양산하기 시작했다고 보도한바 있다.
에피밸리가 양산하는 수직형 LED 칩은 40mil(1×1㎜) 크기로, 이를 패키징하면 1W급 고출력 LED 모듈을 만들 수 있으며 생산성이 높은 게 특징으로 사파이어 기판에 미세한 구멍을 뚫어 에피층을 증착시키는 독자적인 '비아홀' 기술을 적용, 수율을 높였다. 비아홀 방식은 크리와 오스람방식에 비해 제조 공정이 단순해 수율이 수평형 수준으로 높아지고 광효율은 수평형 LED칩에 비해 25% 정도 높다.
그림 5. 수직형 칩사진
참고문헌
- 친환경 에너지 절감형 LED 조명기술개발 산업분석보고서, 2008.9
- Global business report 해외LED 5대시장진출전략, 2009.5, KOTRA
- 해외주요국 LED시장동향 2009, 지식경제부, KOTRA, 곽동운
- NIKKEI ELECTRONICS ASIA, 2007~2009
- LED조명제품 세계일류화를 위한 국산부품소재 발전전략 워크샵, 2009.7
사단법인LED반도체조명학회
- 2010 LED 조명산업 및 수출전략 overview, 2009.11한국미래기술교육연구원
- 2010 녹색 신산업을 위한 최신기술과 융복합세미나, 2010,2 산업교육연구소
- 2010 유망전자부품재료총람, 2010, Fuji Chimera Research Institute, Inc.
회원가입 후 이용바랍니다.
개의 댓글
댓글 정렬
BEST댓글
BEST 댓글
답글과 추천수를 합산하여 자동으로 노출됩니다.
댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글수정
댓글 수정은 작성 후 1분내에만 가능합니다.
내 댓글 모음