(주)제이앤씨테크

LED 전기광학적 특성의 구동온도 및 접합온도 의존성 평가 

 LED 소자나 그 응용제품의 평가에 있어 기존에 통용되던 광측정 방식의 한계점이 이슈로 부각되고 있어 새로운 측정기준을 마련할 필요성이 대두되고 있다. 물론 여러 학회나 연구소에서 다양한 형태의 기준이 제시되고 있지만 기관의 특성상 일반적인 사항을 다루게 되므로 실제 제품개발에 응용하기에 무리가 있는 부분이 있게 마련이다. 따라서 본 실험에서 전기적 특성과 열특성 및 광학적 특성의 상호관계를 구하고 제품설계에 응용할 수 있는 방안을 제시하도록 한다.

글: 정유진, 권기영, 장민준
(주)제이앤씨테크/ www.jnctech.co.kr

 주변온도에 따른 광특성 변화를 보면 주변온도가 증가함에 따라 파장 shift가 발생(일반적으로 0.1에서 0.3nm/K)하고 고효율 소자의 경우 B(-0.05/oC) => W(-0.3/oC) => G(-0.35/oC) => R(-0.83/oC) => A(-1.05/oC) 의 순서로 광량이 감소하게 되는데 제품설계에 있어 구동조건을 제어하는 것은 비용이 많이 발생하므로 사용할 구동조건에서 최적인 소자나 제품을 사용하는 것이 바람직하다고 할 수 있다. 여기서 특이사항은 Blue 칩을 사용하는 W의 거동이다. Blue의 광속변화가 온도에 상대적으로 둔감한 것에 반하여 W의 변화량은 상대적으로 크다. 이는 칩의 특성이 아니라 형광체의 온도에 따른 효율 변화가 그 요인으로 판단되며 추가적인 검증이 필요한 부분이다.                                                  
 단품의 평가에는 상대적으로 측정이 용이한 접합전압에 따른 광량변화를 측정하고 접합전압과 접합온도의 상관관계를 이용하여 접합온도 대비 광량변화로 도시하고 이를 이용한 측정기준을 마련하도록 한다. 접합온도가 증가하면 전압강하가 일어나는 원리를 이용하여 온도 상승계수 K factor(통상 -1.5 ~ 2.5mV/K)를 산출하고 접합부의 전압(Vf)에 따른 광량변화를 측정한 후 이를 접합부 온도로 환산하면 접합부 온도에 따른 광특성 변화를 알 수 있는데 접합부온도와 광량은 일차선형방정식의 관계를 가짐을 알 수가 있다. 또한 주변온도 대비 광량변화는 삼차선형 방정식을 따르고 있는데 단품과 달리 모듈의 방열설계에 따라 그 경향성이 달라지므로 품질향상을 위해서 실 제품에 대한 구동온도 의존성 평가가 필요하다.

소개

 기존의 경험에 비추어 보면 우리에게 익숙한 광원 즉 할로겐, 형광등, 메탈 할라이드, 제논의 측정은 비교적 간단한 광학적 지식이나 설비를 가지고 평가를 하더라도 평가 기관이나 업체 또는 장비간의 편차가 심하게 나타나지 않았다. 하지만 LED나 그 응용제품의 평가에 있어 기존의 측정방식은 측정소간의 편차를 심하게 야기 시키고 일부는 완성도가 떨어지는 측정장비를 사용하므로 혼란을 가중시켜왔다.
 특히 높은 정확도의 색상을 유지해야 하는 LCD 백라이트의 경우 초기에 RGB LED를 사용하여 개발하였으나 박형의 구조와 상대적으로 고온인 구동조건에서 온도제어나 광학설계의 어려움과 광특성 변화 등의 여러 가지 요인으로 인하여 현재는 다수의 백색 LED를 채택하는 방향으로 개발계획이 선회하고 있다. 하지만 색재현성이 중요한 디스플레이의 특성상 고급 제품에는 여전히 R,G,B 칩을 사용하고 있으며 이들 소자간의 온도에 따른 경향성이 동일하지 않아 칼라센서나 접합점 온도센서를 이용한 실시간 보정을 실시하고 있다.
 또한 상대적으로 저휘도 LED를 사용하기 어려운 조명용이나 자동차 헤드램프에 광원으로 채택되고 있는 고휘도 LED의 경우 무궁무진한 응용분야가 존재하나 온도에 따른 성능 변화가 더 심하여 방열설계 및 개선이 개발자들 사이에서 가장 큰 화두로 대두되고 있다. 따라서 어떤 형태나 제품을 선택하던지 LED나 그 응용제품에 있어 열특성의 평가나 고려는 피할 수 없는 숙제인 것만은 재론의 여지가 없어 보인다.
 기존 측정 방식에 의하면 상온(25°C)에서 측정을 하거나 이를 개선하기 위해 고안된 방식이 소자 하단 접촉부의 온도를 변화시켜가며 온도 특성을 평가하고 있으나 이에 따른 여러 가지 문제점들이 대두되고 있다. 본 설비는 광원 특히 LED와 같은 열 저항에 따른 광학특성 변화가 존재하는 샘플의 정밀한 광학측정 및 온도 특성을 파악하기 위하여 설계되었다.
 LED소자나 응용제품의 개발에서 직접 온도제어에 의한 평가나 연구개발이 주를 이루어왔으며 그간 몇몇 선도 연구기관이나 업체에서만 관심을 보여 왔던 주변온도가 LED나 그 응용제품에 미치는 영향에 대한 연구에 관심이 집중되고 있다.
 따라서 2005년 당사에서 발표한 연구결과가 현재 LED 소자개발 및 제조기술의 눈부신 발전과 더불어 재조명되어야 할 필요성이 여러 분야에서 대두되어 보완 논문을 발표하기로 결정하였다. 5년 전 당사 연구진이 디스플레이 산업에서 LED 산업으로 이동하였을 때만해도 제품공급업체간의 데이터 편차가 심하여 전혀 신뢰하기 어려운 상태로 이 분야의 측정기술은 초보단계에 불과하였으나 관련기관과 업체들의 부단한 노력으로 현재는 그 편차가 다소나마 줄어들어 고무적인 현상이라 아니할 수 없다. 하지만 아직도 각 사의 측정 데이터에서 전기적 특성은 연관성을 가지나 광학특성이나 열적 특성의 경우에는 측정자나 측정시기 또는 측정 장비에 따라 상당한 차이를 보이고 있으며 특히 고출력 소자일수록 더 큰 차이를 나타낸다.
 이러한 특성들은 LED 만의 고유한 특성인 narrow 지향각과 전원인가와 동시에 발생하는 열저항에 의하여 소자 내부의 온도가 증가하고 이에 따른 주파장의 shift와 광속이 감소하는 특성을 가짐에 따라 발생한다. 고 휘도 LED의 연구 개발은 발광 특성을 높이기 위한 칩 자체의 개발, 고 효율과 내구성의 향상을 위한 패키지 재료 개발, 광량과 그 지향성 향상을 위한 기하 광학적 디자인 설계 그리고 패키지 디자인 설계외에도 열적 내구성 향상을 위한 방열설계등으로 구분되어질 수 있다.
  이 중에서 LED의 효율과 수명에 직결되는 항목이 발열에 관련된 것인데 그 LED의 열구조 분석은 소자온도 직접제어방식과 주변온도 제어방식으로 나뉘게 된다. 따라서 LED를 조명이나 디스플레이 등에 사용하는 경우에 소자의 출력을 최대한 활용할 수 있도록 광학계나 방열설계를 하는 것이 중요한데 완성제품의 구동온도를 원하는 조건으로 조절하기가 어려우므로 이 광학계나 방열설계와 같이 그 제품이 사용될 구동 조건에서 전기광학적특성 평가를 실시하여 좀더 나은 효율의 부품이나 제품을 선정하는 것이 중요하다. 또한 온도의 영향을 최소화하는 방법의 하나로 PWM(Pulse Width Modulation) 제어가 권장되고 있으나 어느 조건에서 최적의 output을 내는지는 제품에 따라 검증이 되어야 하며 주변온도에 따라 구동조건을 다르게 설정할 필요가 있다.
 결과적으로 측정오차를 줄이기 위한 다양한 방법의 강구 및 표준화가 진행되어야 하며 또한 그 중요성이 부각되고 있는 방열설계에서 열저항이나 주위온도와 구동조건의 영향도 간과할 수는 없으며 본 논문에서는 그 영향을 측정 및 분석하기 위하여 열저항 측정기 및 온도 조절 수단을 구비한 광속구 시스템에 관하여 설명하고 본 장비에서 측정된 데이터를 도시하여 실제 LED나 그 응용제품 개발에 적용될 수 있는 방안을 제시하는데 그 목적이 있다.
 본 설비는 온도조절수단 내부에 샘플을 장착하고 이에 대한 열특성 변화(열저항, K factor, 허용전류)를 측정할 수 있도록 설계되었다. 단일 소자의 경우에는 TE를 통한 직접제어가 가능하나 모듈상태로 조립이 되면 특성평가가 용이하지 않은 단점이 있다. 따라서 샘플을 온도조절수단을 구비한 적분구 내부에 장착하고 평가를 하게 될 경우 두 종류의 샘플을 모두 평가할 수가 있다. 후자의 경우 대류에 의한 열전도(Convection heat transfer)와 접촉에 의한 열전도(Conduction Heat Transfer)의 영향을 모두 감안한 평가방법이라고 할 수 있으며 열특성과 함께 광속, 색온도, 연색성과 같은 분광특성을 동시에 평가할 수 있는 장점이 있다.

System Configuration - 광속측정

 본사와 자동차 헤드램프 설계전문회사인 SL(구 삼립산업) 연구소와 공동 개발한 LMS(Lamp Measurement System)는 LED 모듈과 BLU 설계에서 간이적으로 평가해오던 광 출력의 온도와 구동조건 의존성을 실 구동 환경에 가장 근접한 조건에서 평가할 수 있도록 설계되어 광학계 설계와 방열설계에 획기적인 전환점을 가져왔다. 본 설비는 다양한 온도조건을 구현하고 특정구동온도조건에서 최적의 광 특성을 나타낼 수 있는 구동조건을 찾아내는데 그 목적이 있다. 또한 광원의 온도특성을 평가하기 위한 모든 종류의 Heating or, and Cooling 시스템을 포괄적으로 의미한다.  시스템의 구성은 하기의 그림과 같이 적분구, 측정부, 전원공급부, 온도제어부 및 구동부로 구성되어 있다.

Integrating Sphere
 광원의 광적(광학) 특성을 측정하는 데 이용되는 것으로, 내부에 실질적으로 구형상의 중공이 형성되어 있으며, 중공의 내주 면은 입사된 광을 확산 반사하도록 표면 처리되어 있다.  또한, 적분구에는 중공의 내부에서 반사된 광을 검출하기 위한 검출기가 설치되어 있다.  적분구는 내부에 설치된 광원으로부터 방사되는 광이 중공의 내주 면에서 반사되어 방사된 광량에 비례하는 광량이 검출기로 모아지도록 되어 있어서, 광학적 적분기로 사용된다. LED 측정에서 고려하여야 할 중요한 요소 중의 하나가 이 적분기의 사이즈와 광학설계이다. 흡수율보정을 위한 보조램프의 장착이 가능하며 충분한 확산이 보장될 수 있는 구조이어야 하는데 라인 설치용의 특별한 경우가 아닐 경우 최소 12″이상의 사이즈를 가지는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 
 일반적으로 LED제조사에서는 주변온도 25oC에서의 측정값을 제공하는데 온도에 따라서 효율이 달라지는 LED의 특성을 감안할 때 다양한 응용영역에서 사용하기 위해서는 실 사용조건에 적합한 온도범위에서 LED의 광학특성을 측정하는 것이 필요하다.  특히, 한정된 공간에 설치된 고휘도 LED는 전원이 인가되면 다량의 열이 발생하여 LED 자체뿐만 아니라 주위의 공기 온도가 급격히 상승하게 되는데 LED는 광학계 설계에 있어 얼마나 효율적인 방열구조를 가지는 가에 따라 그 성능에 확연한 차이를 보인다. 따라서 LED의 광학 특성을 실제 사용조건과 동일한 환경에서 검사하기 위해서는 LED 주변의 공기 온도를 균일하게 유지하면서 광적 특성을 검사할 수 있는 측정기가 요청된다. 따라서 측정기로 사용된 적분구의 중공 내부의 온도조건을 LED의 실제 사용조건과 동일한 온도 조건으로 유지할 필요가 있다.
Type
 Type 1의 heating module에 의한 온도제어는 실제 구동될 환경을 설정해주고 Type 2의 열전소자에 의한 제어를 통하여 총방열량을 제어함으로 방열 설계의 기준을 마련할 수 있다.

Type 1. Heating module
 Heating module에 의한 온도제어는 적분구 외부 port를 통하여 열선에 의해 가열된 공기를 적분구 내부에 공급하여 내부 온도를 제어하도록 구성되어 있으며 실제 광원이나 모듈이 사용될 구동환경을 재현할 수 있고 사용자 설정 온도 조건에서 광학 특성평가가 가능하다. 이때 주의하여야 할 부분이 분위기 온도제어를 위한 기구물의 형상이나 색상이 측정결과에 영향을 미치거나 공급되는 공기의 흐름이 강제방열에 기여하게 되는데 이를 방지하기 위한 수단이 강구되어야 한다. 그렇지 않은 경우 실제의 방열성능보다 향상된 성능을 나타낼 가능성을 배제할 수 없다. 

Type 2. TEC
 열전 소자의 의한 온도 제어에는 큰 직류전류를 흘려 주었을 때 양단간에 온도차가 발생하는 Peltier 효과를 이용하는 열전냉각 (thermoelectric cooling)의 원리를 이용하였으며 열전소자 위에 측정대상물을 장착하여 샘플에서 발생하는 열을 강제적으로 방출할 수 있도록 설계되었으며 기계적인 작동부분이 없어 구조가 간단하며 열선에 의한 제어보다 열 응답 감도가 높고 상온 이하의 온도로 제어가 가능하다는 장점이 있는 반면 쿨링에 따른 수분의 응축이 발생하므로 적분구의 재질이나 반사율등을 고려하여 설계하는 것이 바람직하다. 단, 소자의 일정부분을 제어함에 따라 접촉면 이외의 영역에서는 상온이나 기타의 온도에 노출되어 있으므로 대류에 의한 열전달의 영향으로 실 사용조건과 차이가 발생할 수 있다.

Detection Module
 모든 광학설비는 교정광원으로 사용되는 Tungsten Halogen을 사용하여 CIE 시감특성에 맞춘 Photometer를 교정하여 사용하게 되는데 여기에서 감도특성곡선의 matching에 따라 오차율이 커지므로 시중에 일반적으로 유통되고 있는 저가형 센서는 사용하는 경우 전혀 상반된 결과가 도출되기도 한다. 따라서 분광방식의 검출기를 사용하는 것이 바람직한데 일반 광원의 경우 통상 10nm 이하, LED 제품의 경우 5nm이하의 optical resolution을 가진 Spectroradiometer를 사용하여 스펙트럼 분석을 통한 측정이 권장된다.

파워 서플라이
 고정밀도의 측정이 가능한 정전류 파워와 PWM(24V 2A 32Duty) 및 동기제어가 가능한 sync 파워(PWM, 20V 1.5A 2channel)로 구분이 되며 샘플의 최적구동조건을 찾을 수 있도록 제어용 프로그램으로 최적화되어 있다.
LED 소자의 특성상 정전류 구동보다는 PWM(Pulse Width Modulation) 구동이 권장되는데 아래와 같이 정의된다.
 White LED를 구현하는 방법은 크게 두 가지가 존재하며 phosphor를 이용하는 방법과 monochromatic LED를 섞어 만드는 방법이 있는데 각각의 방법에 따른 장단점이 있다. 우선 phosphor를 사용하는 경우에는 비교적 간단하게 팩키징된 white 광을 구현할 수 있으나 온도의 증가에 따른 칩의 성능 외에 형광체의 효율 저하로 광손실이 일어나게 된다. 멀티 칩 White LED의 경우에는 보다 효율적으로 백색광을 구현할 수 있으나 각 칼라의 소자가 시간과 온도에 따른 광출력이 달라지고 주파장이 온도에 따라 달라지므로 안정적인 백색광을 구현하는 것이 생각보다는 복잡해지게 된다. 따라서 sync 파워를 통하여 각각의 소자를 다른 구동조건을 가지고 연동하여 제어할 필요가 있다.

오퍼레이션 프로그램
 본 시스템의 기능을 최적화 및 자동화하기 위한 제어용 프로그램으로서 그림 7과 같은 구성을 하고 있다. 윈도우를 기반으로 사용자가 쉽게 시스템 교정에서 측정 및 데이터 확인, 광속, 색좌표, 색온도, 연색성, 주파장등의 연산에 이르기까지 전자동으로 진행이 되는 LMS 프로그램은 전기광학특성평가의 강력한 툴로 사용될 수 있으며 엑셀로의 데이터 전송이 가능하므로 추가적인 데이터 가공이 용이하다.
아래의 그림은 전기광학적 특성의 온도 의존성을 파악하기 위한 Auto sequence 구동의 예이다.
 

System Configura tion - 열저항

 LED를 이용한 디스플레이 및 조명장치 등의 시장이 커짐에 따라 소자 개발이나 설계뿐만 아니라 효율적인 열제거에 대한 관심이 대두되고 있다. 본 시스템은 LED의 접합부 온도, 열저항 및 허용전류를 측정할 수 있도록 설계되었으며 온도제어부와 전원 공급장치, 측정부 및 연산부로 구성되어 있다. 항온챔버를 이용하여 소자의 온도를 가변하고 정전류를 인가하여 온도에 따른 접합전압을 측정하였고 이 값을 토대로 접합온도와 접합전압의 관계식을 유도하고 heating / bais 전류를 인가하여 접합부의 전압강하를 측정한 후 이 측정값과 위의 관계식으로부터 접합부 온도 및 열저항을 산출하였다. 최종적으로 이 값들로부터 특정 구동온도 조건에서 접합부가 허용하는 전류를 연산하였다. 이 측정결과를 토대로 보다 열특성이 우수한 device를 선정하여 응용제품개발에 활용할 수 있기를 기대한다. 
 
DUT에 정전류(bias current)를 인가한 후 주변 온도(Ta)를 증가시키면서 각각의 Vf 를 측한 후 ΔVt을 통해 K-factor를 얻을 수 있다. 실제 LED PN-Junction 부분의 Ti(Junction temperature)에는 매우 작은 영향을 미치기 때문에 설정된 온도(Ta)와7는 동일한 온도로 간주될 수 있다. 일반적으로 TAS-120은 3-point를 통해 K-factor를 연산하며 기울기는 항상 음수를 가지는 일차함수로 표현된다.
열저항(Thermal resistance Rth
 LED를 특정 전류(Heat Current)에서 Heating하여 Heating 전/후의 ΔVf @Bias Current (1mA)를 측정하여, 각 인가 전류별 열저항 계수(Rth)를 도출한다. 이는 소자의 특성상 접합부에서 발생한 열에 의하여 전압강하가 일어나게 되는데 이 원리를 이용한 것이다.
Allowable current
 앞서 검토된 인가 전류別 열저항(Rth @ Each IF) 값들을 이용하여 인가 전류별 Tj 를 계산한 후, "전류와 Junction Temp. (TJ) 의 관계식" 을 도출한다.
Tj = (Rth× PD)+ Ta
 앞서 도출된 인가 전류別 Junction Temp. 관계식을 이용하여, TJ25℃=Constant를 가정하여, "Ta에 대한 Allowable Current 의 관계식"을 도출한다.
Tx = (Tj 25) - Ta
If = (Slope × Tj) Intercept
 이 식을 통해 우리는 DUT(LED) PN-Junction의 온도에 따른 허용전류를 예측할 수 있게 된다.

Operation Program
 허용전류 측정의 이론적 배경

Fourier′s Law과 열저항(Rth)
 Fourier′s Law의 미분형은 미소면적당 열전도인 heat flux는  q=-α▽Tth과 같이 표현되며  단위는 W/m2이며 단위면적당 열선속의 방출을 나타낸다. α는 물질이 가지는 고유의 열전도도이며 ▽   는 온도의 Gradient이다. 
 
점선으로 이루어진 물체로 열량(Q)가 X방향으로 S=YLZL의 면적을 가지고 열전도 되었을 경우 Fourier′s Law의 적분형은 위의 미분형을 변형하여 다음과 같이 표현된다.

 위에 식에서 시간에 대한 열량(Q)의 미분은 열에너지를 나타내며 따라서 Eheat로 정의된다. 전기적인 관점에서 우리는 저항은    사실을 알고 있으며 여기서 σ는 전도도이다. 따라서 위의 적분형 Fourier′s Law에 대입하면 열저항  Rth[℃/W]는 다음과 같이 유도된다.


 


 인가된 전기에너지는 DUT(LED)의 P-N junction에서 전부 열에너지로 변환되었다고 가정하면 시간당 열에너지(Eheat)는 인가되는 시간당 전기에너지(전력)과 같다고 정의할 수 있다.
따라서 위의 식은 다음과 같이 정의된다.

 



정전류 공급시 LED 온도변화의 수학적 모델 (주변온도( Tα)고정)
LED에 정전류가 공급되고 있고 질량이 M, 비열이 C인 LED 칩 온도가 Tα를 이루는 주변온도 내에 있다고 가정하였을 경우 LED P-N junction의온도(Tj)는 다음과 같은 식을 만족한다. 여기서 α는 열전도도 이며  P는 LED로부터 발생되는 열량이다.




여기서 LED로부터 발생되는 열량은 인가되는 전기에너지와 같다고 간주한다. 또한 정전류를 인가하기 때문에 시간의 변화는 Vf만의 함수이다.


위에서 정의한 k-factor를 다시 정리하면 다음과 같다.


k-factor를 위의 식에 대입하면 다음과 같다.


 

 

 위의 식에서 보는 바와 같이 식은 "상수계수의 일계선형 비-제차 미분방정식"으로 표현되며 정의된 공식에 의해 Vf(t)에 관한 일반해를 구하면 다음과 같다.










여기서 P(t)와 Q(t)가 시간에 독립인 함수이므로 위의 식은 다음과 같이 정리된다.


Vf (t)의 특수해를 구하기 위해 초기조건(t→0)을
적용하면 다음과 같다.

 


따라서 Vf (t)는 다음과
같이 정의된다.

 


 
위의 식을 통해 우리는 LED 칩에 정전류를 공급할 경우 P-N Junction의 온도변화를 통해 Vf(t)가 시간에 따라 지수함수적으로 변하며 Bais mode에서 Vf(t)의 최소값과 안정화 되었을 경우의 Vf(0)의 차이를 통해 우리는 ΔVf를 알 수 있다. 또한 ΔVf와 위에서 구한 k-factor를 통해 우리는 ΔTj를 연산할 수 있다.
앞서 언급한 것과 마찬가지로 고정된 주변온도에서 Heating current를 통해 변하는 ΔVf를 통해 우리는 ΔTj를 알 수 있으며
실제 DUT(LED) PN-Junction의 온도를 연산 할 수 있다.

 위의 식을 바탕으로 다음과 같은 PN-Junction의 온도와 인가된 정전류에(If) 관한 함수를 도출할 수 있으며 이는 일차함수로써 온도에 따라
인가될 전류는 선형성을 가지게 된다.

 

결론
 본 실험의 결과를 보면 single chip을 사용한 phosper LED의 경우 구동온도가 높아짐에 따라 스펙트럼 분포가 장파장 쪽으로 이동하고 multi-chip을 사용한 경우 Red는 단파장으로 Green과 Blue는 장파장 쪽으로 각각 shift하게 된다. 통상적으로 온도에 따른 파장 변화에는 0.1 ~ 0.3nm/K란 공식이 성립한다. 이와 동시에 광량 또한 감소하게 되며 Hi-Power일 경우 이 경향성은 심해지게 된다. 또한 동일한 사양의 제품이라고 하더라도 그 방열구조(열저항)에 따라 광효율의 차이를 나타내게 된다. 이는 모듈의 성능뿐만 아니라 수명과 직결되는 문제이므로 LED 모듈의 설계에 앞서 그 구동온도조건에서 최적의 광학특성을 나타내는 소자를 선정하는 작업이 우선되어야 하며 이를 통하여 장수명과(전원공급장치의 수명은 배제한다는 전제조건이 있긴 하지만) 보다 더 좋은 효율의 모듈설계가 가능해진다. 목적하는 백색광을 구현하기 위해서 전자의 경우 사용 온도에서 원하는 백색광을 나타낼 수 있는지 확인해야 하며 후자의 경우 Duty비 조절을 통한 채널별 연동제어가 필요하다. 따라서 단순한 입력파워에 대한 기준 못지않게 측정환경에 대한 기준을 마련하는 것이 시급하다.
 여기까지 열특성과 광특성의 관계에 대하여 알아보았다. 당사에서는 본 연구와 병행하여 형광체의 온도의존성 및 최적조성비 설계기술에 대한부분과 반사판이나 확산판과 같은 광학부품의 개발과 선정 및 최적 열광학 설계에 관한 연구가 진행되고 있다.

 


 
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