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Arm, 삼성전자 파운드리 ‘28FDS 공정’ 위한 업계 최초 임베디드 MRAM 출시삼성전자 파운드리의 11LPP, 7LPP, 5LPE EUV 공정을 위한 아티산 피지컬 IP 발표
양대규 기자 | 승인 2018.06.29 09:17

[EPNC=양대규 기자] 지난 수 년간 연구자들이 했던 예측은 이제 현실이 되었다. 끝을 향해 가는 무어의 법칙은 모든 컴퓨팅 애플리케이션의 성능, 전력과 면적(PPA)에 영향을 미치고 있으며, 소비자와 여러 업계가 사용하는 임베디드 제품 역시 그 영향 아래에 있다. 이들 제품은 다양한 애플리케이션을 지원할 수 있도록 신뢰성이 높으면서 전력 소모는 적은 복잡한 메모리 시스템을 필요로 하지만, 임베디드 플래시 메모리(eFlash)와 같은 현재의 주류 비휘발성 메모리 옵션이 제공하는 속도와 전력, 확장성으로는 그 요구사항을 충족하기 어렵다.

Arm과 삼성 파운드리는 삼성 파운드리 23FDS 공정 기술에 사용할 수 있는 업계 최초의 eMRAM 컴파일러 제품을 발표했다. 임베디드 자기저항 무작위 접근 메모리(Embedded MagnetoResistive Random Access Memory)를 뜻하는 eMRAM은 새로운 비휘발성 메모리 옵션을 말한다. 고객은 새로운 컴파일러 IP를 활용하여 다양한 사용 사례의 복잡성에 따르는 메모리 요구사항에 맞게 유연히 조정할 수 있다. 또한, 이 컴파일러는 eMRAM을 세 개의 추가 마스크로 통합할 수 있어 비용 효율성이 향상된다. 반면에 eFlash는 40nm와 그 이하에서 12개 이상의 추가 마스크를 필요로 한다. 

또한, eMRAM 컴파일러는 플래시(Flash), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)와 느린 SRAM/데이터 버퍼 메모리를 비용과 전력에 특히 민감한 IoT 애플리케이션에 알맞은 단일 비휘발성 고속 메모리로 대체할 수 있는 인스턴스를 생성할 수 있다. Arm은 최초의 eMRAM IP 테스트 칩 테이프아웃(tapeout)을 성공적으로 완료했다.

Arm의 피지컬 디자인 그룹의 마케팅 부사장인 케빈 로우(Kevin Low)는 “65nm 공정 노드에서 시작해 삼성 파운드리의 11LPP, 7LPP, 5LPE 공정 기술을 위한 Arm의 피지컬 IP 신제품까지 이어져 온 양사의 협력은 오늘 발표로 최신 이정표를 세우게 됐다”며, “Arm은 삼성전자 파운드리 사업부와 긴밀히 협력하여, Arm의 피지컬과 프로세서 IP를 통해 제조 공정을 혁신하고 검증하여 왔다. 이는 향후 CPU, GPU, 기타 프로세서 코어 분야의 혁신을 위한 양사의 지원을 통합할 수 있도록 한다”고 말했다.

#Arm#삼성전자#파운드리#28FDS#eMRAM#EUV#아티산 피지컬 IP

양대규 기자  yangdae@epnc.co.kr

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