[테크월드=양대규 기자] 로옴(ROHM)이 업계 최고 수준의 낮은 도통 손실과 고속 스위칭 특성을 동시에 실현한 650V 내압 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor, 절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터) ‘RGTV 시리즈(단락 내량 유지 타입)’과 ‘RGW 시리즈(고속 스위칭 타입)’ 등 총 21종류의 제품을 새롭게 개발했다. 로옴에 따르면, 제품들은 UPS(무정전 전원 장치), 용접기, 파워 컨디셔너 등과 같은 산업용과 에어컨, IH(유도가열) 등 가정용의 범용 인버터와 컨버터에서 전력 변환에 적합하다.

이번에 개발한 시리즈는 박형 웨이퍼 기술과 독자적인 구조로 트레이드 오프 관계인 도통 손실과 고속 스위칭 특성에서 업계 최고 수준을 동시에 실현했다. 인터리브 PFC 회로에서 사용할 경우, 기성품 대비 경부하 시에 1.2%, 중부하 시에 0.3%의 높은 효율로 애플리케이션의 전력소모를 줄인다. 

또한, 디바이스 내부 최적화로 소프트 스위칭을 실현했다. 동등한 효율의 기성품 대비, 전압의 오버슛(Overshoot: 스위칭 ON / OFF 시, 규정의 전압치를 넘는 수치가 발생하는 현상)을 50% 저감해, 기존에 필요했던 대책 부품을 삭감함과 동시에 대폭적인 설계 부하 저감에 기여한다.

제품들은 2017년 10월부터 샘플을 출하했고, 2017년 12월부터 월 10만 개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 생산 거점은 전공정 라피스 세미컨덕터 미야자키(미야자키), 후공정 ROHM Integrated Systems (Thailand) (태국)이다.

▲도통 손실: MOSFET 및 IGBT 등 트랜지스터는 디바이스 구조 상 전류가 흐를 때 전압 강하가 발생한다. 도통 손실은 이러한 디바이스의 전압 강하로 인해 발생하는 손실이다.
▲단락 내량: 디바이스 파괴를 일으키는 단락에 대한 내성.

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