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"반도체 웨이퍼 팹, 150~200mm 지고 300mm 시대 오다"지난 9년간 150~200mm 웨이퍼 팹 92개 폐쇄, 2018년까지 3개 추가 폐쇄 예정
이나리 기자 | 승인 2018.03.06 16:17

[EPNC=이나리 기자] 반도체 웨이퍼(Wafer) 팹(Fab)의 생산시설 변화가 빠르게 일어나고 있다. 150mm와 200mm 웨이퍼 팹이 폐쇄되거나 용도가 변경되고 있으며, 반면 비용 대비 효율성이 높은 300mm 웨이퍼 팹은 증가하고 있다. 특히 한국이 300mm 웨이퍼 팹 건설에 가장 적극적이다.  

2008~2009년 세계 경제 침체 이후, IC 산업은 2009년과 2010년에 전 세계적으로 200mm 이하의 팹 폐쇄가 급증한 시기다. 그 이유는 반도체 칩의 핵심 기초소재인 웨이퍼는 직경이 클수록 보다 적은 비용으로 많은 양의 칩을 생산할 수 있기 때문에 더 큰 웨이퍼에서 보다 비용 효율적으로 디바이스를 생산할 수 있다.

이는 2008년 이후부터 300mm 웨이퍼 팹 수가 증가하고 있는 맥락과 같다. 또 최근 반도체 업계의 잦은 인수합병과 함께 20나노 이하 공정 기술을 활용한 IC기기 생산으로 전환하면서 공급업체는 비효율적인 웨이퍼 팹을 제거하는 방법을 택하게 됐다.

이에 따라 시장조사기관 IC인사이츠에 따르면 2009년부터 2017년까지 폐쇄되거나 용도가 변경된 웨이퍼 팹은 총 92개를 기록했다고 밝혔다. 이 중 150mm 웨이퍼 팹이 41%를 차지하며 가장 많았고, 200mm는 26%를 차지하며 뒤를 이었다. 즉, 지난 9년간 폐쇄된 팹 수의 3분의 2를 150mm와 200mm 팹이 차지한 것이다. 300mm 웨이퍼 팹은 전체의 10%를 차지했다.

연도별로는 2009년 총 25 개의 팹이 폐쇄됐고, 2010년에는 22개의 팹이 폐쇄됐으며, 2012년과 2013년에는 각각 10개의 팹이 폐쇄됐다. 2015년에는 단 2개의 팹으로 지난 9년간 가장 적은 수의 폐쇄가 이뤄졌고, 2017년에는 3개의 팹이 폐쇄됐다. 올해와 내년에도 200mm 이하 웨이퍼 팹이 추가될 예정이다. 150mm 팹 2 개, 200mm 팹 1 개가 해당된다. 지역별로 살펴보면 일본에서 총 34 개의 웨이퍼 팹이 폐쇄되면서 가장 많은 수를 기록했고, 북미(30개), 유럽(17개), 아시아태평양(11개) 등의 순으로 나타났다. 

2009-2017년 반도체 웨이퍼 사이즈별 팹 폐쇄 점유율(자료: IC인사이츠)

일례로 대만의 프로모스(ProMOS)는 2013년에 2개의 300mm 메모리 팹을 폐쇄했고, 일본의 르네사스(Renesas)는 2014 년에 300mm 로직 팹을 소니(Sony)에게 매각했다. 소니는 이 팹을 사용해 이미지센서를 제조하고 있다. 한국의 삼성전자 또한 2017년 용인에 위치한 300mm 라인11 메모리 팹을 폐쇄하고 이미지센서 제조를 재개했다. 

한편, 증가하고 있는 300mm 웨이퍼 팹은 주로 D램(DRAM)과 낸드 플래시(NAND Flash) 메모리 전문 업체가 많다는 것이 특징이다. 2017년 기준 300mm 웨이퍼의 시장 점유율은 삼성전자가 22%로 압도적인 1위이며, 마이크론(14%), SK하이닉스(13%), TSMC(13%), 도시바/웨스턴디지털(11%) 순으로 300나노에서 높은 매출을 기록했다.

IC인사이츠 측은 “최근 반도체 업계는 인수합병 급증과 새로운 웨이퍼 팹과 제조 장비의 급격한 비용 증가에 따라 많은 IC업체들이 생산보다 파운드리를 활용하는 팹라이트(Fab-lite)와 반도체 설계만 전문으로 하는 팹리스(Fabless)로 전환하는 추세다”라며 “이런 이유로 앞으로 추가적인 팹 폐쇄가 일어날 것으로 전망한다”고 전했다. 

2009-2017년 지역별 반도체 웨이퍼 팹 폐쇄 수(자료: IC인사이츠)

#반도체#웨이퍼#팹#300mm#제조시설#반도체공장

이나리 기자  narilee@epnc.co.kr

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