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2018년 D램, IDC 서버 붐과 스마트폰 고사양화로 ‘햇빛 쨍쨍’ ②2019년 말까지 D램 업체 생산 시설 확장 투자 활발
이나리 기자 | 승인 2018.01.02 15:02

[EPNC=이나리 기자] 이전 서버시장의 주체는 HP와 DELL을 중심으로 한 TDC(Trdaditional Data Center)였다. 그러나 최근에는 아마존, 구글, 마이크로소프트 등 클라우드 서비스를 공급하는 IDC(Internet Data Center) 서버의 수요가 성장을 주도하면서 2018년에는 서버당 D램 탑재량이 35% 증가할 전망이다. 

또 D램 수요량도 TDC가 서버당 평균 156GB를 내장하는데 비해서 IDC는 서버당 250GB를 내장하고 있고, 향후 그 사이즈도 점차 증가할 것으로 예상되면서 서버의 D램 소요량은 전년대비 40% 증가해 D램 시장을 견인할 것으로 기대된다. 

IDC는 초기에는 높은 품질보다 저가제품을 대량 확보하는 것에 중점을 뒀으나 클라우드 서비스가 확대되면서 품질에 대한 중요성이 높아지기 시작했다. 서버 구축도 기존에는 ODM업체를 통해서 확보했으나 자체 조달 방식으로 변경됐다. D램도 직접 구매하는 방식을 선택하고 있다. 품질에 대한 요구 수준이 높아진 반면 가격에 대한 민감도도 TDC 수준으로 낮아져서 선호도가 높아지고 있다.

또 서버를 내장하는 랙(Rack)의 사이즈도 점차 확대되고 있다. 평균적으로 랙 당 42개 유닛을 탑재하지만 최근 구축되는 데이터센터의 규모가 점차 커지고 있고 공간 효율성을 위해서 192개를 장착한 랙도 개발되고 있는 추세다. 이런 점을 고려할 때 서버의 유닛은 시장 규모를 추정하는데 크게 상관관계가 높지 않을 것으로 판단된다.

SK하이닉스 D램

또 모바일 부분에서 6GB를 채택한 스마트폰은 아직 일부 모델에 국한돼 있지만, 향후 꾸준히 증가될 것이다. 삼성전자는 갤럭시 노트8에 이어 갤럭시 S9에 듀얼카메라를 탑재하면 6GB를 사용할 가능성이 높다. 애플은 2016년 3분기 아이폰7을 출시하면서 3GB로 전환한 이후 사양을 유지하고 있으나 2018년 신규 모델에는 4GB가 채택될 것으로 전망된다. 특히 2017년 하반기에 출시된 아이폰X에 OLED 디스플레이가 처음 탑재됐는데, 향후 차기작 모델에서 전부 OLED를 채택한다면 D램은 지금 보다 더 높은 용량이 필요하게 된다. 

지난 수년 간 삼성전자를 제외한 D램 업체들의 설비 투자 확대가 부진했으나 2017년부터 D램 설비 확대가 재개되고 있는 상황이다. 이에 따라 IHS는 2018년 전체 D램 성장률(DRAM Bit Growth)을 21%로 예상했다. 업체별로는 삼성전자 21%, SK하이닉스 21%, 마이크론 19% 증가가 예상된다. 2017년 대비 증가하는 웨이퍼 투입 규모는 월 20K(K=웨이퍼 1000장) 내외일 것으로 추정된다. 

2017년 초부터 2019년 말까지의 3년 간 D램 업체들은 약 635K/월 생산하는 시설에 대해 확장 투자를 실시할 전망이다. 이는 D램 업황에 대해서는 부담 요인이나 장비, 소재 업체들에 대해서는 수년 간 없었던 수혜가 재개되는 긍정적 영향을 줄 것이다. 

- 삼성전자

삼성전자는 2017년 17라인 Ph1에서 40K/월의 D램 캐파(Capa)를 추가했으며, 2018년에 플레이너(Planar) 낸드를 생산했던 16라인에서 20K/월을 D램 설비로 전환하고 평택 라인 2층에서 40~60K월 규모의 D램 캐파를 추가할 것으로 예상된다.

일부에서는 삼성전자의 Ph1 라인(동) 증설에 따른 공급 증가를 우려하고 있지만, 2018년 중 웨이퍼 투입에 따른 물량 증가는 어려울 것으로 IBK증권 반도체 산업 연구원은 내다봤다. 대신 신규로 증축하고 있는 Ph1 라인(서)에서는 2018년 2분기부터 D램을 20K/월 양산할 것으로 예상된다. 반면 11라인에서는 2017년 하반기에 20K/월의 30나노 D램설비가 CIS(Camera Image Sensor)로 설비로 전환되면서 설비 시설에 큰 변화를 주고 있다. 

 SK하이닉스

SK하이닉스는 이천에 위치한 M14라인 1층에서 예상보다 빨리 80~90K/월 D램의 증설 투자를 완료할 것으로 추측된다. M14라인 2층에서는 20K 추가 증설될 예정이고, 2018년 4분기에는 중국 우시 2차 라인에서 추가 D램을 설비해 30~50K 확장될 예정이다. SK하이닉스의 2018년 물량 증가는 웨이퍼 증가보다 공정개선이 이뤄질 것으로 보여진다. 2017년은 1x 비중이 낮은편 이었는데, 2018년에는 크게 증가할 것으로 전망된다. 

D램 투자별 장비 발주 시기 전망

마이크론

마이크론(Micron)은 2017년 이노테라(Inotera)에서 20K/월 규모의 증설이 있었으며 2018년에는 렉스칩(Rexchip)에서 30~40K/월 규모의 증설이 발생할 가능성이 높다. 

중국 업체들

푸젠, 허페이, 칭화 등 중국 D램 업체들은 2018년 2분기부터 총 285K 규모의 D램 설비에서 양산을 개시할 계획이며, 동 업체들의 장비 투자는 2018년 초부터 본격화될 것으로 보여진다. 

#반도체#D램#DRAM#메모리

이나리 기자  narilee@epnc.co.kr

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