메모리 반도체 업체, 투자 규모의 50% 이상 낸드에 집중

[테크월드=이나리 기자] 전체 낸드(NAND) 메모리 반도체 출하량 에서 3D 낸드가 차지하는 비중이 빠르게 증가하고 있다. 이에 따라 메모리 반도체 업체는 올해에 이어 2018년에도 2D 라인 팹을 3D 라인으로 전환하면서 경쟁력 확보에 나선다는 계획이다. 

시장조사기관 가트너에 따르면 2018년 낸드 수요는 2017년 대비 38% 증가할 것으로 예상한다. 제품별로는 모바일 32%, SSD(Solid-State Drive) 48%, 기타 28% 순으로 출하량이 증가할 것으로 전망된다. 특히 모바일 시장 성장은 낸드 용량이 추가적 증가를 이끌고 있다. 

최근 각광받고 있는 3D 낸드 채택률은 2017년 이후로 빠르게 상승하면서 전체 낸드에서 차지하는 비중이 2018년에는 절반을 넘어설 것으로 전망된다. 3D 낸드 채택률은 2016년 19.3%, 2017년 45.8%, 2018년에는 67.4%일 것으로 추정되며, 특히 SSD에서 가장 빠른 채택률을 보이고 있다.

업체별로 살펴보면, 2017년 말 기준으로 삼성전자는 전체 낸드에서 64단 3D낸드 비중이 50%에 이를 것으로 예상된다. 삼성전자는 낸드에 가장 먼저 3D 방식을 적용했고 기술면에서 가장 앞서가고 있다. 후발업체인 도시바, SK하이닉스, 웨스턴디지털, 마이크론 등은 전체 낸드 중 3D 비중이 20~45% 수준이며, 적극적인 기술 투자로 빠르게 삼성과의 격차를 좁혀 나가고 있는 중이다. 

현재 3D 낸드는 48단 출고 비중이 높지만 지속적으로 기술이 개발되면서 2018년 말에는 64단이 주류가 될 것으로 예상된다. 더 나아가 92층도 상용화될 것으로 기대된다. 이런 이유로 낸드 팹(Fab)은 3D로 전환이 활발히 진행되는 추세다. 김운호 IBK투자증권 연구원은”2018년 낸드 웨이퍼 물량은 웨이퍼 투입량 증가와 이전 2D 라인을 3D 라인으로 전환하는 데 따른 물량 감소로 인해 복합적인 영향을 미친다”고 전망했다. 3D 공정은 2D에 비해서 2배 이상의 생산능력이 필요하기 때문에 3D로 전환함에 따라 월 생산량이 줄어들 수 밖에 없기 때문이다. 

삼성전자의 경우 화성에 위치한 16라인을 3D로 전환한다. 삼성은 이번 팹 전환으로 인해 16라인 팹은 D램으로도 일부 공간이 적용되지만, 2D 180K/월 물량이 3D는 50K/월로 감소할 것으로 예상하고 있다. 또 삼성은 평택에 위치한 P1-2(서) 라인에서 60K/월 규모의 라인이 추가될 가능성이 높다. 

SK하이닉스는 2017년 약 250K/월 규모에서 2018년에는 15K/월이 증가한 265K/월이 될 전망이다. 이는 이천에 위치한 M14라인의 2층 추가 증축과 더불어 기존 청주에 위치한 M11라인을 3D 라인으로 전환에 따른 결과로 추정된다. 마이크론의 경우에는 현재 유타에 팹2, 버지니아에 팹6을 보유하고 있는데, 2018년 중반에 싱가포르에 3D 낸드 제조를 위한 팹10을 증설할 가능성이 높다.

도시바는 현재 건설 중인 욧카이치 공장 부지 내 Y6 팹 이외에 욧카이치의 현재 팹 인접지와 이와테현 기타카미시에 2개의 새로운 생산팹을 2018년 건설한다는 계획을 밝혔다. 도시바는 3D 낸드를 욧카이치의 N-Y2와 새로운 Y6에서 주로 생산하고 팹 간 연결 통로 등의 프로세스를 개선하고, 효율성을 끌어올림으로써 2018년 내 3D 낸드의 생산 비중을 90%까지 올리는 것을 목표로 하고 있다.

대부분 메모리 업체들은 투자 규모의 50% 이상을 낸드에 집중하고 있고, 낸드는 D램에 비해서 높은 공급량 증가(B/G)를 보이고 있다. 그 이유는 D램의 투자 효율성이 한계에 이른 것에 비해서 낸드는 아직 여지가 남아 있기 때문이다.

가트너는 2018년 낸드 가격은 14% 하락할 것으로 전망했다. 이에 대해 김운호 연구원은 “낸드 가격 하락은 공급 과잉에 따른 영향과 더불어 메모리 업체들이 가격하락을 통한 수요 제고를 자극하려는 의지가 영향을 미쳤기 때문”이라고 설명했다.

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