중국 '낸드 메모리' 제품 양산, 빠르면 내년 하반기 본격화

[테크월드=이나리 기자] 정부 지원 아래 반도체에 집중 투자하고 있는 중국 업체들이 기술적으로 D램(DRAM) 보다 진입 장벽이 높아 미뤄왔던 낸드(NAND) 제품 양산을 빠르면 2018년 하반기나 2019년부터 본격화할 것으로 보여진다. 

현재 중국에서 건설 중이거나 계획돼 있는 300mm 팹은 12개다. 이 중 메모리 팹은 총 3개이며,낸드 팹 1개, D램 팹 2개가 포함된다. 

낸드 팹은 칭화 유니그룹 계열의 YMTC(Yangtze Memory Technologies Company)가 짓고 있다. 칭화유니그룹은 우한, 청도, 난징 등의 지역에 반도체 제조라인을 구축하기 위해 84조 원을 투자했고, 2018년 3D 낸드플래시를 양산할 계획이라고 밝혔다.

D램은 푸젠진화반도체(Fujian Jinhua Integrated Circuit, JHICC)와 Rui-Li이 투자하고 있는데, 푸젠진화반도체 대만 UMC를 통해 D램 기술을 전수받고 있다. 3개 업체는 2018년 후반부터 2019년에 제품 양산 계획을 목표로 2018년 상반기에 장비 발주를 진행할 것으로 예상된다. 

업계에서는 향후 메모리 반도체 시장에서 중국 업체들의 포지션이 삼성전자, SK하이닉스, 도시바 등 빅플레이어와 윈본드, 난야 등 니치 플레이어 사이가 될 것으로 예상하고 있다. 중국 업체들은 기술적인 수준에서 빅 플레이어들을 따라 잡지 못하지만, 공격적으로 제조 시설에 투자를 하고 있는 만큼 난야와 윈본드 등 니치 플레이어 수준과 유사하거나 상회하는 기술을 보일 것으로 예상된다. 

우선 중국 업체들은 높은 기술 수준을 필요로 하지 않는 자국 내 가전 제품과 컨슈머 제품에 탑재되는 메모리 생산에 주력할 계획이다. 이 후 삼성전자, 웨스턴디지털, 도시바 등이 주력하는 PC, 서버, 모바일용 고성능 제품은 2020년부터 생산할 수 있을 것으로 내다보고 있다. 

이와 관련해 지난 8월 초 미국에서 개최된 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2017’에서는 중국 내 클라우드 등 서버용 낸드 시장은 아직 성장 초창기라고 분석했다. 중국의 SSD 시장에서 시장 점유율은 5%이며, 올플래시 스토리지 어레이는 3.7%에 불과하다. 이는 중국이 글로벌 IT 시장에서 차지하는 다른 부문과 비교했을 때 크게 낮은 수치다. 

도현우 미래에셋 반도체 애널리스트는 “최근 들어 알리바바, 텐센트와 같은 중국 IT 기업들이 클라우드 사업을 공격적으로 추진 중인 가운데 향후 중국 내 서버용 SSD 시장이 크게 성장할 것으로 기대된다”고 말했다. 

한편, 중국은 2015년에 발간한 ‘중국제조 2025(Made In China; MIC 2025)’를 목표로 반도체 IC의 자급자족 비율을 2025년에 70%로 늘린다는 계획이다. 이에 따라 중국 정부는 2014년 9월 ‘국가 반도체 산업 투자펀드’ 1200억 위안(약 21조 원), 지방정부 기금과 사모기금 600억 위안(약 10조 원)을 조성하며 반도체 산업 성장을 적극 지원하고 있다.