올해 반도체 장비 투자, 삼성-D램, SK하이닉스-낸드 '더 집중’

[테크월드=이나리 기자] 메모리 반도체 시장이 고공행진하고 있는 가운데 반도체 장비 투자 또한 활발하게 이뤄지고 있다. 이미 낸드(NAND)에서 독보적인 기술로 시장 점유울 1위인 삼성전자는 올해 D램(DRAM)에 많은 투자할 계획이고, 최근 2년간 D램에 적극적이었던 SK하이닉스는 낸드에 더 집중할 것으로 예측된다. 

가트너에 따르면 전체 반도체 장비 시장은 2016년 약 3400억 달러 수준이었으나 올해 7% 성장하며 약 3600억 달러 수준을 기록할 것으로 전망했다. 이는 낸드, D램, 파운드리 등의 메모리 반도체 성장에 힘입어 공장 중축과 신규 공장 설립, 파운드리 투자가 적극 이뤄지고 있기 때문이다.

D램 치킨게임 끝! 올해 반도체 장비 투자 16% 성장 

지난 몇 년간 D램 시장은 업체 간에 가격 경쟁으로 제품 단가를 떨어트리면서 치킨게임이 있어왔다. 그러나 반도체 시장조사기관 D램익스체인지에 따르면 그동안 가격 하락세였던 D램의 평균가격은 2016년 하반기부터 지속적으로 상승하면서 2017년에는 안정기를 맞이할 것으로 예측했다.

따라서 D램 투자는 2016년 무려 23%나 감소했으나 2017년 16% 성장하면서 2019년까지는 지속적으로 투자율이 커질 것으로 전망된다.

도현우 미래에셋대우 연구원은 “작년에 갑자기 D램 투자가 줄어든 이유는 메모리 반도체 업계에서 D램 시장에 대해 부정적이었기 때문에 캐파(생산능력)가 줄어들었다. 그러나 올해 메모리 시장 전망이 그 어느 때보다 좋기 때문에 삼성전자가 20~30개 캐파를 늘리고, SK하이닉스는 20개, 마이크론은 20개 등을 늘리면서 전체 캐파의 5%가 하반기에 증가할 것으로 본다”고 전했다.

한편, D램 시장은 2014년에만 하더라도 25개 전문 업체가 있었지만 현재는 2016년 기준으로 삼성전자가 시장 점유율에서 압도적 1위(47.4%)이고, SK하이닉스가 2위(26.5%), 마이크론이 3위(19%) 순으로 3자 대결구도에 있다. 그밖에 비교적 낮은 시장 점유율이지만 난야(3%)와 윈보드(1.8%)도 지속적으로 D램 시장에서 연명하고 있다. 

삼성전자의 경우에는 2014년 D램에 약 7조 원을 쏟아 부으며 투자에 적극적이었고, 2015년에도 약 6조 원을 투자했다. 그러나 2016년에는 약 3조 8000억원 수준으로 투자를 대폭 줄였었다. 이는 삼성전자가 지난해 평택 공장 증설에 집중하며 투자가 몰렸기 때문으로 분석된다. 삼성전자는 올해 D램 투자를 지난해 보다 16% 증가시킬 것이며, 18나노 공정 램프업과 17나노 공정에 투자할 것으로 예상된다.

반면 SK하이닉스는 D램에 2015년 약 6조 원을 투자하며 창사 이래 최대 규모의 투자를 단행하며 반도체 설비에 힘썼다. 이 같은 행보는 2012년 반도체 업계가 불황으로 업계 전체가 투자를 주저하던 때, SK하이닉스는 시설투자를 10% 이상 확대하면서 투자 효과를 톡톡히 본 경험이 있기 때문이다. 그 해에 SK하이닉스는 2273억 원 영업손실을 냈지만 2013년부터 2016년 3분기까지 7분기 연속 영업이익 1조 원을 돌파했고, 2015년의 D램 반도체 장비 투자로 인해 2017년 1분기에 2조 원대의 영업이익을 기록하며 사상 최대 실적을 기록했다.

SK하이닉스는 올해 4월 20나노 8Gb 그래픽 D램 개발에 성공했으며 앞으로 20나노 D램 제품 양산을 지속적으로 확대하고, 차세대 10나노급 D램 제품은 하반기에 양산을 시작한다는 계획이다.

낸드, 16년 투자 집중으로 올해는 소폭 감소 

올해 낸드 장비 투자는 지난해 보다 소폭 감소할 것으로 전망된다. 그 이유는 2016년에 이미 삼성전자, 도시바, 마이크론 등의 신규 캐파 투자가 집중됐기 때문이다. 특히 낸드 시장은 고성장 분야로 주목 받고 있는 3D 낸드플래시에 투자가 집중되고 있다.

삼성전자의 경우에는 2016년 낸드 장비에 약 6조 5000억 원을 투자했고, 올해는 약 7조 원 이상의 투자를 단행할 것으로 예상된다. 삼성전자는 2016년에 3D 낸드플래시에 대규모 투자를 진행했고, 2017년 6월 완공 예정인 평택 반도체 공장을 통해 생산을 대폭 늘릴 계획이다. 이에 따라 삼성전자는 신규 평택공장 설비를 위해 올해 반도체 장비투자에 더욱 집중할 것으로 보여진다.

SK하이닉스는 지난해 약 1조 9000억 원을 낸드에 투자했으나 올해는 3조 원 이상으로 투자 규모를 늘려 3D 낸드플래시에 공격적 투자를 계획하고 있다. 이는 SK하이닉스가 지난 3월 최고 72단 3D 낸드플래시 개발에 성공했고, 올해 하반기 양산을 목표로 하고 있기 때문이다.

SK하이닉스의 낸드 투자는 5월부터 이천 M14 공장 2층에서 낸드 플래시를 본격 양산을 준비하기 위한 단계로 풀이된다. 또 SK하이닉스는 낸드플래시 사업을 강화하기 위해 청주 산업단지 테크노폴리스 내 23만4000㎡ 부지에 2조 2000억 원을 투자해 반도체 공장을 세운다고 2016년 말에 공식 발표한 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스는 2017년 1월 반도체 공장 설계를 착수하고 2018년 8월∼2019년 6월 중에 공장 건물과 클린룸을 건설 계획에 발맞춰 올해 장비 투자액을 높인 것이다.

로직, 파운드리 공정 경쟁 심화

2015년과 2016년 주춤했던 로직 반도체 투자는 2017년 10% 성장할 전망이다. 그 이유는 삼성전자, 인텔, TSMC 간에 10나노와 7나노 파운드리 공정 경쟁 심화로 투자가 증가하고 있기 때문이다. 따라서 2017년 파운드리 업체의 반도체 장비 투자는 지난해 보다 13% 증가될 것으로 분석된다.

도현우 연구원은 “올해 삼성전자와 TSMC, 글로벌파운드리(GF) 모두 신규 공장 착공 중이기 때문에 투자량을 대폭 늘렸다”라며 “삼성전자의 경우 10나노와 7나노의 후속으로 8나노와 6나노를 준비하고 있고, TSMC가 16나노에서 12나노로의 전환이 계획이었으나 본래 계획을 앞당겨 7나노 생산에 돌입해 2018년 양산을 시작할 계획이다. 또 GF는 미세공정화와 다른 사업으로 다각화할 계획이다”고 설명했다.

2017년 전체 종합반도체기업(IDM)의 반도체장비 투자는 둔화될 것으로 전망된다. 일례로 인텔은 올해 반도체 장비 지출에 소극적인 움직임을 보이고 있다. 이는 지속되는 PC 수요 부진으로 인텔이 10나노 PC CPU 신규 공정 도입을 연기했기 때문이다.

반면, 삼성전자는 투자에 적극적인 행보다. 그동안 삼성전자는 메모리반도체사업에 주력함으로써 위탁생산라인은 자체개발한 반도체를 생산하거나 애플의 아이폰용 프로세서를 생산하는 등 제한적 용도로만 활용해왔다. 하지만 14나노 공정을 업계 최초로 도입한 뒤 2016년부터 퀄컴과 엔비디아 등 글로벌 주요 반도체기업들의 위탁생산 수주가 늘자 충분한 성장가능성을 보고 사업을 빠르게 확대하고 있다.