300나노 웨이퍼 반도체 기업수, 200나노의 절반 보다 낮아

300나노 웨이퍼 사용하는 IC 제조업체 수가 200나노 웨이퍼의 절반보다도 낮은 것으로 나타났다.

2008년 이전만 하더라도 200나노(nm) 웨이퍼는 다른 웨이퍼 크기보다 IC 제조에 더 많이 사용됐었다. 그러나 2008년 후부터 대부분의 IC제조는 300나노 웨이퍼로 전환되는 추세다.

IC인사이트가 발표한 글로벌 웨이퍼 사이즈 보고서에 따르면 2016년 12월 기준 300나노 웨이퍼의 시장 점유율은 삼성이 22% 압도적인 수치로 1위를 기록했다. 이어서 마이크론(14%), SK하이닉스(13%), TSMC(13%), 도시바/웨스턴디지털(11%) 순으로 300나노에서 높은 매출을 기록했다.

이들 기업의 특징은 주로 D램(DFAM)과 낸드(NAND) 플래시 메모리 공급 업체들이라는 점이다. 이외에도 10위권에는 세계 5대 파운드리 업체인 TSMC, 글로벌파운드리, UMC, 파워칩(Powerchip), SMIC와 반도체 업계 최대 IC 제조업체인 인텔이 포함됐다.

사진 : TSMC

이들이 300나노 사이즈에 집중하고 있는 이유는 가장 큰 웨이퍼 사이즈를 사용함으로써 다이 당 제조비용을 최대로 상환할 수 있는 IC 유형을 공급하기 위함이다. 이를 위해 파운드리 업체들은 지속적으로 300나노 팹 용량 확장에 많은 비용을 투자하고 있다.

200나노 웨이퍼 사이즈에서 상위권에 있는 업체들은 주로 파운드리 및 아날로그·혼합신호 IC, 마이크로컨트롤러(MCU) 제조업체들이 포진하고 있다. 대만의 TSMC가 11% 점유율로 1위이며, 텍사스인스트루먼트(TI)가 7%, ST마이크로일렉트로닉스(ST)와 UMC가 각 6%, 인피니언 5%로 높은 시장 점유율을 나타냈다.

150나노 보다 더 작은 웨이퍼 사이즈를 제조하는 기업들의 시장 점유율은 1위 ST(12%), 2위, 온세미컨덕터(11%), 3위 파나소닉(7%) 순으로 다양한 기업들로 구성됐다. ST의 경우에는 싱가포르에 위치한 팹 공장에서 150나노 웨이퍼 생산 능력을 보유하고 있지만 현재 200나노 웨이퍼로 바꿔나가고 있다. 이탈리아 카타니아에 있는 다른 ST의 150나노 팹도 200나노 웨이퍼로 전환중이며 이 프로젝트는 2017년에 완료될 계획이다.

반도체 웨이퍼 사이즈 별 시장 점유율 (2016년 12월)

IC제조는 더 큰 팹의 대형 웨이퍼로 이동함에 따라 IC 제조업체의 그룹 숫자가 줄어드는 추세다. 이는 칩 제조업체에게 장비와 재료를 공급하는 회사의 관점에서 봤을 때 파트너사가 감소한다는 것을 뜻하기 때문에 도전과제로 여겨질 수 있다.

2016년 12월 기준으로 300나노 웨이퍼 팹을 소유하고 있는 업체의 수는 23곳으로 2008년과 비교해 6곳이 감소했다. 또 현재 300나노 팹은 200나노 웨이퍼 업체수인 58곳과 비교해 절반에도 미치지 못한 것으로 조사됐다. IC인사이트는 450나노 웨이퍼에 대한 전망이 희미해짐에 따라 기존 웨이퍼 크기에 대한 의존도가 상승하고 있기 때문인 것으로 분석했다.

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