ams, 초저잡음 고성능 아날로그 공정기술 ‘A30’ 발표

고성능 센서 및 아날로그 IC 전문 기업 ams(한국지사 대표 이종덕)는 고성능 아날로그 초저잡음 CMOS 공정기술인 “A30”을 발표했다. A30 공정은 탁월한 초저잡음 성능을 제공하며, ams의 첨단 0.35µm 고전압 CMOS 공정 제품군보다 0.9배의 광학적 축소(optical shrink)를 실현했다.

A30 기술은 절연 3.3V 디바이스(NMOSI 및 PMOSI), 절연 3.3V의 낮은 문턱전압(Vt) 디바이스(NMOSIL 및 PMOSIL), 얇은 게이트 산화막을 갖는 절연 고전압 디바이스(NMOSI20T), 수직 양극성 트랜지스터(VERTN1 및 VERTPH)는 물론, 0.46pA/Hz(1kHz, Ids=1µA @Vds=3V, 10x1.2µm² 조건)의 수준에서 플리커 잡음을 제공하는 절연 3.3V 초저전압 트랜지스터 (NMOSISLN)에 최적화된 성능을 제공하는 것이 특징이다.

H35 공정과 비교할 때, 새로운 공정 기술은 높은 드레인 전류에 대해 플리커 잡음을 최소 4~10배 줄일 수 있다. 이러한 특성 덕분에 A30 공정은 다양한 커패시터(폴리, 샌드위치 및 MOS 가변용량 반도체 다이오드(varactor))와 저항(디퓨전, 웰 기반(well-based), 폴리, 높은 저항성 폴리 및 정밀) 같은 수동 소자들에 적합하다.

A30 공정은 입력단에 최적화된 잡음이나 높은 신호대잡음비(SNR)를 요구하는 초저잡음 센싱 애플리케이션 및 아날로그 판독 IC에 매우 이상적이며, 소비자가전, 자동차, 의료 및 사물인터넷(Iot) 디바이스를 위한 혁신적인 솔루션 개발을 가능하게 해준다. 

A30 공정은 매우 낮은 결함 밀도와 높은 수율을 보장하는 ams의 최첨단 200mm 팹 설비에서의 제조가능성에 대한 검증을 완벽하게 마쳤다.  0.30µm 공정의 모든 요소들은 0.35µm 디바이스를 이용해 추출 및 검증됐다. 광학적 축소(0.9배)는 완성된 GDSII 데이터를 가지고 마스크 숍에서 이뤄졌으며, 그 결과 각각 더 작아진 다이 크기 덕분에 웨이퍼당 더 많은 다이 생산이 가능해졌다.

ams 풀 서비스 파운드리 사업부의 마커스 우체(Markus Wuchse) 제너럴 매니저는 “새로운 A30 고성능 아날로그 저전압 공정 기술은 뛰어난 저잡음 성능이 핵심인 센싱 애플리케이션 및 아날로그 판독 IC 분야에서 경쟁력 있는 제품을 개발할 수 있게 한다”며, “파운드리 고객이 자신들의 복잡한 IC에 A30 공정을 이용하면 혜택을 2배로 누릴 수 있다.

즉, 업계 벤치마크 기준이 되는 뛰어난 플리커 잡음 특성을 가진 ams의 수퍼 저잡음 트랜지스터는 성능을 향상시킬 뿐 아니라, 광학적 축소로 인해 잡음에 민감한 애플리케이션의 다이 면적을 현저히 줄인다”고 말했다.

A30 공정은 업계 벤치마크 공정 설계 키트로 널리 알려진 ams의 히트키트(hitkit)를 통해 지원된다. 케이던스(Cadence)의 버추오소 커스텀 IC(Virtuoso Custom IC) 기술 6.1.6을 기반으로 하는 이 새로운 히트키트는 설계 팀이 아날로그 집중적인 혼성신호 분야에서 경쟁력 높은 제품의 출시기간을 대폭 줄일 수 있게 해준다.

캘리버(Calibre)와 아수라(Assura), 그리고 유연한 SKILL 기반 PCell 모두에 대해 정확도 높은 시뮬레이션 모델, 추출 및 검증 런 세트(run set)를 제공함으로써, 새로운 히트키트는 반도체에 대한 포괄적인 설계 환경과 검증된 경로를 제공한다.