ST마이크로일렉트로닉스, 40V MOSFET 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 MOSFET 제품 2종을 발표했다.

이번에 출시된 제품군은 STripFET F7 기술이 적용됐다. 에너지 효율은 높이고 노이즈 방출 및 턴온(turn-on) 오류는 낮췄다. 최고 120A의 전류 등급도 갖췄다. 고전류 파워트레인·차체·섀시·안전시스템 등의 주요 애플리케이션에 적합하다. 스위칭 성능도 향상돼 EPS(Electric Power Steering) 등의 모터 드라이브에 적합하다.

STripFET 제품군은 DeepGATE 기술을 통해 다이 면적당 낮은 온저항(RDS(on)) 및 RDS(on)×게이트 전하(Qg)를 구현했다. 비슷한 전력 패키지에서 에너지 효율이 높은 것은 이 때문이다. 높은 애벌런치 내구성(Avalanche Ruggedness)도 특징 중 하나.

STripFET F7은 스위칭 성능과 바디-다이오드의 역회복 전하(Reverse-Recovery Charge; Qrr) 및 역회복 시간(Reverse-Recovery Time; trr)을 줄이는 방식으로 에너지 효율성을 극대화할 수 있다.

소프트 회복(Soft Recovery)으로 EMI(Electromagnetic Interference)를 최소화해 필터링 부품 소모를 줄였다. 디바이스 커패시턴스는 노이즈 면역은 높이고 스너버 회로의 소모는 줄였다. 임계-전압 조정으로 전용 게이트 드라이버 없이도 턴온 오류 면역성이 유지된다. 모터 드라이브와 같은 브리지 회로는 소프트 다이오드 회복을 통해 슛-스루(shoot-through) 전류를 방지할 수 있다.

40V STL140N4F7AG와 STL190N4F7AG는 웨터블 플랭크(Wettable Flank) 패키지인 PowerFLAT 5x6 패키지로 AEC-Q101 인증을 받았다. 소형 풋프린트와 0.8mm의 프로파일은 시스템 전력 밀도를 높인다. 플랭크 설계는 솔더링-접합 안정성 및 수명 연장에 도움을 주고 완벽한 자동 광학 검사도 가능하다.

자동차 등급의 품질 인증을 받은 40V STripFET F7 MOSFET은 현재 생산 중이며 가격은 1천개 당 STL140N4F7AG는 0.92달러, STL190N4F7AG는 1.25달러다.