삼성전자-SAP, 차세대 인메모리 플랫폼 '공동 리서치센터' 운영

삼성전자가 SAP(에스에이피)와 차세대 인메모리 플랫폼 연구 개발을 위한 '공동 리서치센터'를 10월부터 운영한다고 밝혔다.

인메모리 데이터베이스(in- memory database)는 중앙처리장치(CPU)의 정보를 처리하는 메인 메모리(주기억장치)에 초대용량의 데이터를 저장해 처리 속도를 크게 향상시키는 기술이다.

삼성전자와 SAP는 9월29일 경기도 화성시 삼성전자 부품연구동(DSR)에서 삼성전자 메모리사업부 전영현 사장과 SAP 아시아 태평양 지역 어데어 폭스 마틴(Adaire Fox-Martin) 회장 등이 참석한 가운데 '공동 리서치센터' 개소식을 가졌다.

메모리 시장 1위인 삼성전자와 기업용 소프트웨어 분야의 선도 기업인 SAP가 2015년 인메모리 플랫폼 'SAP 하나(HANA)'의 공동 기술 개발에 합의하면서 삼성전자 메모리사업부와 SAP HANA 개발 조직인 SAP 랩 코리아 간의 협업을 통해 리서치센터 설립이 추진됐다.

이를 위해 지난 6월 양사는 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 '차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)'을 체결하는 등 '공동 리서치센터' 운영 준비에 박차를 가해 왔다.

삼성전자 부품연구동(DSR)에 설립된 '공동 리서치센터'는 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버 룸과 양사 연구개발 임직원이 근무하는 사무실로 구성됐다.

양사는 글로벌 고객들이 'SAP HANA'를 도입하기 전, 리서치센터에서 시험 운용 등 제반 지원을 통해 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 계획이다. 또한 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 진행될 예정이다.

특히 양사는 20나노 D램 기반 128GB 3DS(3 Dimensional Stacking, 3차원 수직 적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24TB급의 인메모리 플랫폼 'SAP HANA'를 구현한 데 이어, 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 향상시킬 계획이다.

또한 시스템 운영 소비전력도 최소화해 고객들의 IT 투자 효율을 높인 솔루션을 개발할 계획이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게됐다"며, "향후 기술 리더십을 더욱 강화해 '초고용량 메모리 시대'를 지속 주도해 나갈 것"이라고 강조했다.

어데어 폭스 마틴(Adaire Fox-Martin) SAP 아시아 태평양 지역 회장은 "SAP는 삼성전자와 함께 SAP HANA 플랫폼을 이용하는 고객사를 위한 차세대 인메모리 솔루션을 개발할 계획"이라며, "이번 협력을 통해 삼성전자와 보다 포괄적인 파트너십을 맺게 됐다. 이는 혁신을 달성하고 디지털 경제에서 고객의 성공적인 비즈니스를 지원하기 위한 노력의 일환"이라고 이번 협업의 의의를 강조했다.