TI, 기존 60V 부하 스위치 보다 80% 작아진 MOSFET 출시

텍사스인스트루먼트(이하 TI)는 새로운 60V N 채널 FemtoFET 전력 트랜지스터 제품 ‘CSD18541F’을 출시한다고 밝혔다.

신제품 CSD18541F5은 기존의 60V 부하 스위치보다 90% 낮은 저항을 달성함으로써 최종 시스템의 전력 손실을 줄여준다. 또 극소형의 1.53mm x 0.77mm 실리콘 기반 패키지로 제공돼 SOT-23 패키지로 제공되는 부하 스위치와 비교해서 풋프린트가 80% 절감된 크기다.

CSD18541F5 MOSFET은 54㏁의 정격 온-저항(Rdson)을 유지하며 공간 제약적인 산업용 부하 스위치 애플리케이션에서 표준적 소신호 MOSFET을 대체하도록 설계 및 최적화됐다. 또 소형화된 LGA(land grid array) 패키지로 패드 간에 0.5mm 피치이므로 제조 시에 탑재를 용이하게 한다.

CSD18541F5은 TI NexFET 기술 포트폴리오의 FemtoFET MOSFET 제품군의 신제품으로써 더 높은 전압을 제공하고 제조를 용이하게한다.

CSD18541F5은 10V 게이트-대-소스(VGS) 전압조건에서 기존의 60V 부하 스위치 보다 90% 작은 54m의 극히 낮은 Rdson을 달성해 전력 손실을 줄인다. 극히 소형화된 1.53mm x 0.77mm x 0.35mm LGA 패키지로 SOT-23 패키지의 기존 부하 스위치보다 80% 작은 크기를 자랑하며 PCB 공간을 절약한다.

또 제조공정에 용이한 0.5mm 패드 피치이며 ESD(electrostatic discharge) 보호 다이오드를 통합함으로써 MOSFET 게이트를 과전압으로부터 보호한다.

CSD18541F5는 TI 및 TI 공인 대리점을 통해서 현재 대량으로 공급되고 있다. 3핀 LGA 패키지로 제공된다.