삼성전자 반도체는 2016년 1분기 매출 11.15조원, 영업이익 2.63조원을 기록했다. 이 같은 실적은 메모리가 비수기 영향과 수급 불균형에 따른 수요 약세에도 불구하고 고수익성 제품 판매 확대와 D램(DRAM), V-낸드(NAND)의 공정 전환을 통한 원가절감 지속으로 인한 견조한 실적이다.
낸드(NAND)는 계절적인 영향으로 전반적인 세트 시장 수요는 약세를 보였지만 서버용 고용량 SSD, 모바일용 프리미엄 제품을 중심으로 수요가 증가했다. 삼성전자가 3세대 V-낸드 양산을 본격화하고 10나노(nm)급 공정 전환 확대를 통해 제품 경쟁력 및 수익성을 개선했기 때문이다.
D램(DRAM)은 PC 시황 둔화 지속 등 전반적으로 수요가 약세였지만, 스마트폰과 데이터센터용 고용량 제품은 수요 견조세가 지속됐다. 삼성전자는 20나노 제품 비중 확대를 통해 원가 경쟁력을 강화했고, 고수익 중심의 제품군 운영을 통해 이익 극대화에 주력했다.
2분기 낸드 시장은 서버용 고용량 SSD 수요 증가세가 지속되고, 스마트폰에 64GB 이상의 고용량 제품 채용이 늘어나 수요가 늘어날 것으로 전망된다. D램은 PC용 수요가 일부 개선되고, 모바일도 주요 업체의 신제품을 중심으로 수요가 회복돼 1분기 보다 증가할 것으로 예상된다.
낸드는 V-낸드 제품 경쟁력을 바탕으로 시장을 주도해 차별화된 수익성을 유지하고, DRAM은 8Gb DDR4/LPDDR4 등 20나노 고용량 제품의 판매를 확대하며 시장 리더십과 수익성 확보에 주력할 방침이다.
시스템 LSI 사업은 비수기 영향으로 전반적으로 수요가 둔화됐지만, 14나노 수요 증가에 힘입어 전년 동기 대비 견조한 성장세를 이어갔다.
2분기 시스템 LSI 시장은 프리미엄 스마트폰 신제품용 부품 공급 확대로 실적이 개선될 것으로 전망된다.
삼성전자는 14나노 파운드리 고객을 다변화하고 모바일 SoC 제품 라인업을 확대하는 한편, 10나노 제품 양산과 웨어러블, VR, IoT 등으로의 응용처 다변화를 통해 성장 기반을 강화해 나갈 예정이다.
삼성전자는 “1분기 반도체 시설투자는 2.1조원이었으며 올해 D램 시설투자 경우에는 지난해 보다는 투자가 감소할 것으로 전망된다”고 밝혔다.
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