메모리 반도체 시장에서 3D 낸드플래시(NAND Flash) 경쟁이 2017년부터 본격화될 것으로 전망된다.

삼성전자가 2013년 세계 최초로 선보인 3D 낸드플래시 기술은 좁은 평면 위에 더 많은 회로를 집어넣는 기존 기술 대신 평면인 회로를 여러 겹 쌓아올리는 방식으로 기존 낸드플래시 메모리보다 전력 소비량이 약 40% 적다. 제품 수명은 최대 10배 더 길고 데이터를 쓰는 속도는 2배 빠르다.

이 때문에 3D 낸드플래시는 주로 고성능 컴퓨터, 서버, 모바일 기기 등의 저장장치로 활용된다.

삼성전자는 3D 낸드플래시 기술에 있어 시장을 선점하고 있다. 그러나 최근 후발주자인 마이크론, 도시바, 중국 업체 등과의 격차를 벌리기 위해 2017년 3D 낸드와 드램 18나노(nm) 미세화 투자가 본격화될 전망이다.

김민지 신한금융투자증권 연구원은 “낸드 수요의 40%를 차지하고, 70% B/G를 보이고 있는 SSD 시장을 선점하기 위해서는 삼성의 3D 낸드 투자가 필수적이다”며 “삼성의 내년 낸드 B/G 목표는 최소 40% 이상이기 때문에 신규 증설이 필요하고 이를 위해 평택 단지에 신규로 3D 낸드 40K 이상이 예상된다”고 말했다.

3D V낸드

세계에서 두번째로 3D 낸드플래시 양산을 시작한 SK하이닉스는 36단 3D 낸드플래시 생산에 돌입한 상태며 하반기에는 48단 대량 공급을 시작할 예정이다. 이를 위해 SK하이닉스는 청주 M12 팹의 일부를 3D낸드플래시로 전환했다.

마이크론도 싱가포르 2D 낸드플래시 공장인 10X를 3D 전용으로 전환하고 있으며 내년 18나노 전환을 통해 경쟁력을 높일 것으로 기대하고 있다.

도시바도 지난 3월부터 요카이치 공장(미에현 요카이치시)에서 3D 낸드플래시 제품 양산을 시작했다. 도시바는 오는 2019년까지 약 3600억엔을 투자해 공장 신설 등을 서두를 계획이다.

특히 세계 반도체 시장의 1위 업체인 인텔의 3D 낸드 플래시 진출이 주목된다. 인텔은 최근  미국의 반도체 기업인 마이크론 테크놀로지와 협력해 생산한 3D 낸드플래시를 사용한 SSD 제품을 출시한 바 있다.

인텔은 올해 하반기 중국 다롄 메모리 공장에 55억달러(약 6조3000억원) 이상을 투자해 3D 낸드 플래시를 직접 생산을 시작할 것으로 알려져 있다.

또 중국 업체 XMC, 시노킹 테크놀로지 등의 메모리팹은 2018년부터 3D 낸드플래시 가동 시작이 예상되면서 글로벌 반도체 업체들이 3D 낸드 시장을 선점하기 위한 경쟁이 심화될 것으로 본다.

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