SEZ-아비자, ALD 박막용 후면 및 베벨 에지 제거 솔루션 공동개발 계약 체결 아비자 테크놀로지(Aviza Technology)와 반도체 산업용 싱글 웨이퍼 습식 기술 개발업체인 SEZ 오늘, 차세대 IC 제조의 ALD 박막 제거 관련 분야에서 상호 협력한다는 내용의 계약을 체결했다고 밝혔다. 이번 계약으로 양사는 각자의 전문성을 발휘, 웨이퍼 후면 및 베벨 에지(bevel edge)를 중심으로 ALD 애플리케이션에 사용되는 최신 박막의 증착 및 제거용 솔루션을 개발할 예정이다. SEZ의 전세계 첨단기술부(emerging technologies worldwide) 담당 레오 아처(Dr. Leo Archer) 디렉터는 “반도체 디바이스가 갈수록 복잡해짐에 따라 IC 제조 공정에 있어 후면 및 베벨 에지 박막 제거가 매우 중요한 부분을 차지하게 되었다”며 “SEZ와 아비자 모두 90nm이하 공정에서 복잡한 박막 증착과 제거 과정을 해결할 수 있는 충분한 능력을 갖고 있기 때문에 이번 협력을 통해 상호이익을 기대할 수 있을 것이다. 이를 위해 ALD 박막 제거 공정 개발, 특성화 및 연마 과정을 거쳐 고객들이 최첨단 제조 공정에서의 문제점을 해결할 수 있는 솔루션을 제공할 것”이라고 밝혔다. 흔히 가열냉각(anneal) 상태를 보면 후면 및 베벨 에지 박막 제거 공정과 관련된 복잡함의 정도를 알 수 있다. 결정화(crystallization) 레벨이 올라가면서 가열냉각된 박막은 제대로 된 제거 공정 작업을 위해 맞춤화 된 방법과 화학물을 필요로 하게 됨과 동시에 박막 특성의 무결성을 유지하면서 교차오염을 줄여 수율을 높여야만 한다. HfO(hafnium oxide), HfSiO(hafnium silicate), HfSiO/N(hafnium silicate oxynitride), 루테늄(Ru) 등의 45nm high-κ 게이트 유전체에 사용되는 최신 박막은 복잡한 구성 때문에 박막을 제거하기가 매우 까다롭다. 여기서 해결해야 할 문제는 바로 웨이퍼의 후면 및 베벨 에지에서 이들 금속에 의해 오염된 부분을 선택적으로 제거하고, 교차오염과 파티클 생성을 막기 위해 웨이퍼 전면에 제대로 된 래핑을 하는 것이다. 그렇지 않으면 디바이스 성능, 박막 층간분리(delamination), 리소그래피 문제 등이 유발되고, 궁극적으로는 디바이스 수율에도 영향을 미친다. 선택도(Selectivity)는 매우 중요한데, 그 이유는 실리콘, 산화물, 또는 질화물 같은 많은 양의 기본 기판 재료를 제거하는 것이 항상 유리한 것도, 심지어는 가능한 것도 아니기 때문이다. 과도한 식각은 필요한 확산방지막(diffusion barrier)까지 제거해 버릴 수도 있고, 웨이퍼 평탄도 및 균일도에도 영향을 끼칠 수 있다. SEZ의 스핀 프로세서(Spin Processor) 기술은 특허 출원한 베르누이 척(chuck)에서 패턴 웨이퍼(patterned wafer)의 전면 부분이 아래로 향한 상태에서 처리되기 때문에 이러한 유형의 공정에 유리하다. 뿐만 아니라 척, CDS(chemical dispense system) 및 챔버가 결합되어 있기 때문에 미리 정한 거리에서 웨이퍼 전면을 제대로 랩어라운드(wraparound) 할 수 있다. 아비자 테크놀로지의 ALD 제품 관리를 담당하는 존 오우양(Jon Owyang) 디렉터는 “ALD 애플리케이션용 재료 및 공정 개발은 ALD 로드맵과 업계에서의 ALD 적용을 가속화하는데 핵심적인 부분”이라며 “아비자는 앞으로도 계속해서 차세대 제조 공정을 위한 첨단 박막 분야의 연구 개발에 앞장설 것이다. SEZ와의 협력관계를 통해 각 회사의 전문 기술력을 충분히 활용, 고객들의 후면 트레이스(trace) 재료 및 후면 파티클 레벨 요건을 충족시킬 수 있도록 최첨단 제조 및 공정 솔루션을 개발해 나갈 것”이라고 밝혔다.
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