ST마이크로일렉트로닉스(www.st.com)는 1.6mm 두께로 최대 8개 적층 메모리 칩을 통합한 BGA(Ball Grid Array) 패키지 기술을 발표했다.또한 이 패키지 기술은 2개 메모리 다이를 통합한 0.8mm 두께 UFBGA(Ultra Thin Fine Pitch BGA)에도 이용된다. 이 기술을 이용한 디바이스 제품을 통하여 휴대전화, 카메라, PDA에서 갈수록 더 작은 크기로 더 많은 메모리를 통합해야 하는 요구를 충족시킬 것이다.ST의 멀티칩패키지(MCP)는 SRAM, 플래시, DRAM 등의 여러 메모리 종류를 2개와 4개 칩으로 통합한 제품으로 공간 제약적인 휴대전화 등의 제품에 널리 이용되고 있다. 2개 이상의 칩을 적층하므로 PCB에 필요한 면적이 단일 칩의 면적과 동일하며, 메모리 칩이 주소 및 데이터 버스 라인을 비롯해서 다수의 공통 신호를 이용하므로 패키지와 보드 간의 연결 부분이 거의 동일하다.디스크리트 칩을 이용하면 다른 프로세스 기술을 이용한 경우라도 여러 종류의 메모리(NOR 플래시와 SRAM 등)를 동일한 풋프린트로 제공할 수 있다. 그 밖에도 NAND 플래시와 DRAM 및 NOR 플래시 또는 NAND 플래시와 SRAM이 일반적인 조합이다.2-다이 패키지는 ASIC과 NAND 플래시 또는 NOR 플래시와 SRAM을 통합할 수 있다. 지금까지는 멀티칩 패키지로 통합할 수 있는 칩 수가 개별 다이의 두께에 의해 제한되었다.MCP를 이용하는 애플리케이션들은 보드에서 차지하는 면적뿐만 아니라 전체적인 부피도 고려하므로 대부분의 경우에 두께가 증가하는 것을 허용하지 못한다.ST의 새로운 기술은 40μm 두께에 불과한 초박형 다이를 이용한다. 패키지의 다이를 ‘인터포저’가 지지하고 상호 분리시킨다. 인터포저는 각기 40μm 두께이다.8-다이 MCP는 8개 액티브 메모리 칩과 7개 인터포저로 구성되며, 초박형 2-다이 UFBGA의 칩은 단일 인터포저로 분리된다. 가장 중요한 업적은 일반적인 두께의 1/4에 불과하는 얇은 웨이퍼의 제조 기술을 개발한 것이다.또한 ST는 새로운 기법을 이용해서 이들 디바이스의 와이어 본드 루프 두께를 약 40μm로 낮추었다. 와이어 본드는 다이에서 패키지 패드로까지의 골드 와이어 커넥션이며 칩이 조밀하게 통합되므로 다이 위에 있는 와이어 루프 두께가 일반적인 경우보다 훨씬 낮아야 한다.아주 작은 크기로 대량의 메모리를 통합하는 것은 멀티미디어 3G 휴대전화, 첨단 PDA, 디지털 카메라 등에 있어서 특히 유용하다. 예를 들어 8개 1Gb 다이 적층 패키지를 이용함으로써 이전에 1Gb 메모리에 필요했던 보드 면적으로 1GB를 수용할 수 있다.더 많은 칩을 통합한 MCP를 이용함으로써 동일한 풋프린트로 메모리 밀도를 간편하게 향상시킬 수 있다.
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