- 차세대 비휘발성(Non-Volatile) 메모리를 위한 혁신적 메모리 기술 발표-‘포스트-플래시’ 시대의 유망 기술로 타당성 입증반도체 회사인 STMicroelectronics는 궁극적으로 플래시 메모리 기술을 대체할 수 있는 새로운 메모리 기술을 발표했다.위상 변이 메모리(Phase-Change Memory)라고 하는 이 기술은 플래시보다 더 뛰어난 성능을 제공할 수 있는 것으로, 읽기 및 쓰기가 신속하고 내구성이 뛰어나며 개별 메모리 주소에 쓰기가 가능하다. 또한 플래시나 기타 비휘발성 메모리 기술에 비해 근본적으로 확장성이 뛰어나다.이 새로운 메모리 기술은 ‘칼코겐화물(chalcogenide)’이라고 하는 물질(여기서는 GST라고 하는 게르마늄, 안티몬, 텔루르 혼합물)에 적절히 열을 가함으로써 안정된 두 상태(하나는 전기적 저항이 높은 비결정 상태, 다른 하나는 저항이 낮은 결정 상태) 사이에 스위칭이 가능하다는 사실을 이용한 것이다. 새로운 기술을 이용한 메모리 셀은 근본적으로 GST 및 히터에 의해 형성된 다양한 저항과 읽기/쓰기 동작에 이용되는 선택 트랜지스터로 구성된다.새로운 기술의 주목할 만한 특징은 GST와 히터 사이의 접촉 면적이 박막 수직 반금속 히터와 GST가 증착되는 트렌치(‘마이크로-트렌치’)의 교차면적에 의해서 결정된다는 점이다. 수직 통합을 간소화하고 프로그래밍 전류를 낮출 수 있다. 선택 트랜지스터는 히터 바로 아래의 pnp 바이폴라 트랜지스터이다.특히 확장성이 중요한데, 이는 터널-산화물 두께가 8~9nm 이하일 때 허용치 이상으로 전하 누출이 발생하는 등의 물리적 한계 때문에 45nm 노드 이후에는 플래시 기술 개발에 상당한 어려움이 따를 것으로 예상되기 때문이다. 이와 비교해서 PCM 저장 엘리먼트의 확장성에는 물리적 한계가 없으나 동작 전류를 낮추는 것이 큰 해결과제이다.
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