인피니언 테크놀로지스는 하와이 호놀룰루에서 개최된 2004년도 VLSI 기술 심포지엄에서 차미래 메모리 반도체에 관한 광범위한 비휘발성 기술의 발전적인 결과를 제시했다.노트북, 디지털 카메라, MP3 플레이어, PDA와 같은 휴대용 전자제품에 대한 수요가 증가함에 따라 플래시 메모리 카드, 콤팩트플래시 카드나 USB 기기 같은 착탈식 메모리의 데이터 저장 용량이 더 많이 필요하게 됐다. 이러한 대용량 애플리케이션용 비휘발성 메모리는 비트 당 최저 비용의 솔루션을 요구하기 때문에 비용에 매우 민감한 특징을 지니게 된다.두 개의 개별적인 비트를 하나의 셀에 저장하는 사이펀(Saifun)사의 NROM 기술은 가격 경쟁력 있는 제품에 매우 유리하다. 최근 소개된 인피니언 테크놀로지스의 Twin-Flash 제품은 이러한 2-비트/셀 아키텍처에 구축됐다.110nm 노드에서 소형 비트 구조를 유지하는 동시에 프로세스의 복잡성을 줄이기 위해서는 혁신적인 개념이 필요하다. 인피니언이 제시한 새로운 셀 아키텍처는 첨단NMOS 트랜지스터의 스케일링 (scaling) 개념에 기반을 두고 있다. 인피니언은 VLSI 심포지엄에서 110nm 설계에 기반한 0.043µm²/bit 의 적은 비트 크기를 갖춘 매우 경쟁력 있는 새로운 NROM 세대를 선보였다. 가상 그라운드 어레이 아키텍처와 함께 메인스트림 CMOS 형 셀 기기에 적용되는 이 신기술은 다이 당 최대 2 Gbit까지의 발전된 코드 플래시와 파일 저장 메모리로 구현된다.FeRAM (Ferroelectric Random Access Memories)에서는 강유전성 박막의 잔여 분극을 이용해 정보를 저장한다. MRAM처럼FeRAM 도 메모리 기술의 새로운 패러다임을 제시한다. SRAM 같은 빠른 읽기 및 쓰기 성능과 낮은 전력 소비 등과 같은 FeRAM 기술의 이점으로 인해 게임 콘솔, 휴대전화, 모바일 제품 및 칩 카드 등에 효율적으로 사용할 수 있다.또한 인피니언과 도시바는 VLSI 심포지엄에서 새로운 3차원 수직형 커패시터를 사용하는 새로운 체인의 FeRAM 셀 개념을 제시했다. 새로운 셀 개념은 확장성이 높으며, 셀 크기를 4F2로 줄일 수 있다.수직형 커패시터 FeRAm 셀에서, 유닛 셀은 한 개의 트랜지스터와 강유전성 커패시터를 포함하고 있어 병렬로 연결된다. 트랜지스터와 커패시터의 수직 전극에 연결됨으로써 주변 셀을 공유할 수 있어 셀 구조가 작아진다.Sub-100nm 범위에서 부동 게이트 플래시 메모리 트랜지스터의 스케일링은 안정적인 보존에 필요한 두꺼운 산화 터널 현상으로 인해 심각한 문제에 직면했다. 그대신 전하 트래핑 메모리 기기는 적은 전압을 필요로 하며 스케일링 속성이 뛰어나다.VLSI 심포지엄에서 인피니언의 기업 연구소는 플래시 메모리의 고집적 밀도에 적합한 새로운 FinFET (Fin Field Effect Transistor) 기반의 전하 (charge) 트래핑 메모리 기술을 소개했다. 이 새로운 메모리 트랜지스터는 3개의 게이트를 이용해 정전 (electrostatic) 채널 제어를 향상시키고 이에 따라 확장성도 증가한다.전하는 핀의 3 면에 인접한 질화 트래핑 레이어에 저장된다. 터널 산화물은 기존의 부동 게이트 셀과 대조적으로 탁월한 확장성을 보유하고 있는데 이는 트래핑 레이어가 단일 누설 경로에 민감하지 않기 때문이다. 이런 방식으로 인피니언 연구진은 NAND 형 어레이에서 다이 당 최대 16Gbit를 내는 30nm - 40nm의 매우 짧은 게이트 용 소자를 구현할 수 있었다. 이 정도면 싱글 레벨 조작에서 현재 가능한 밀도 보다 약 10배가 크다. 더욱이 이 기술은 신물질을 필요로 하지 않기 때문에 널리 보급된 CMOS 기술과 완전하게 호환된다
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