- 혁신적인 칩 설계로 고밀도 구현- DRAM 의 쓰기 내구성, SRAM의 고속 및 플래시 메모리의 비휘발성 특성 집적인피니언 테크놀로지스는 IBM과 16Mbit MRAM(자기 메모리)을 선보였다.이 새로운 비휘발성 메모리 칩은 현재까지 고수준의 밀도를 제공하는 MRAM 제품으로, MRAM 제품이 고성능 컴퓨팅 및 모바일 애플리케이션에 사용할 수 있는 범용 메모리 제품으로서의 가능성을 제시했다.멀티미디어 성능이 한층 강화된 스마트카드, 노트북과 같은 무선 애플리케이션이 증가로 향상된 메모리 칩의 필요성이 높아졌으며, 이에 MRAM은 기존 메모리 기술보다 빠른 속도와 저전력 특성으로 고성능 모바일 컴퓨팅을 구현하는 범용 메모리 제품이 될 수 있다.인피니언 테크놀로지스의 메모리 비즈니스 그룹 CTO인 빌헬름 바인포글 (Wilhelm Beinvogl) 박사는 “16Mbit MRAM 출시는 새롭게 부상하고 있는 반도체 기술의 중요한 이정표가 될 것" 이라며 "인피니언은 이번 제품 발표로 혁신적인 비휘발성 기술 분야에서 우위를 다질 수 있게 됐다”고 말했다.MRAM 칩은 최초의 정보 비트를 기록하는데 필요한 시간은 플래시 메모리보다 약 백만 배 빠르며, 첫 번째 정보 비트를 읽는데 걸리는 시간은 NOR 플래시 칩보다 약 3배 이상 빠르다. 또한 NAND 플래시 칩보다 약 1000팩터 고속이며 MRAM은 DRAM 기술과 비교해 전력 소비가 훨씬 적다.16Mbit MRAM 시제품은 프로세스 기술에 기반한 0.18 µm 미크론 로직에서 구현됐으며, 1-트랜지스터 1-자기 터널 접합 (1T1MTJ) 셀을 사용한다.휴대전화 및 휴대형 애플리케이션에 널리 사용되는 SRAM과 같은 인터페이스 특성을 제공하며, MRAM 코어에서 최적으로 작동할 수 있다. 이 칩은 30-40ns의 액세스 및 사이클 시간에서 작동할 수 있도록 설계됐다.기존에 출시된 멀티-MBit MRAM 중에서 인피니언과 IBM의 새로운 MRAM 칩은 1.42mm2 크기에서 구현된 최고의 밀도 (16Mbit)를 제공한다. 이 칩은 또한 대기전력을 절감하기 위해 새로운 bootstrapped write 드라이버 회로와 몇 개의 설계 특성을 이용하고 있다.
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