램버스는 모바일 메모리 이니셔티브(Mobile Memory Initiative)를 출시한다고 발표했다. 이번에 선보이는 '모바일 메모리 이니셔티브'는 고대역, 저전력 메모리기술에 초점을 두어 개발됐으며 동급최강 전력효율로 4.3Gbps의 데이터 전송률을 구현한다.'모바일 메모리 이니셔티브'의 혁신적인 기술을 통해 개발자는 단일 모바일 D램 디바이스에서 초당 17기가바이트 이상의 메모리 대역을 달성할 수 있게 된다. 이는 차세대 스마트폰, 넷북, 휴대용 게임기 및 휴대용 미디어 제품에 안성맞춤인 메모리 아키텍처를 가능하게 한다. 램버스는 2009년 2월 2~5일까지 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열리는 '2009 디자인콘 반도체 설계 박람회'에서 '모바일 메모리 이니셔티브'의 실리콘 테스트 장치를 시연할 예정이다.램버스 연구 및 기술 개발 담당 마틴 스콧 상임부사장은 "모바일 디바이스에서 점점 더 미디어리치 애플리케이션에 대한 소비자들의 요구가 늘어나고 있는 만큼, 새로운 메모리 솔루션 또한 빠르게 증대되고 있는 대역폭 요구에 발맞출 수 있어야 한다"며, "모바일 메모리 이니셔티브를 통해 개발되는 혁신적인 기술들은 다양한 첨단 모바일 애플리케이션을 가능하게 함으로써 전세계 소비자들의 삶을 풍요롭게 만들 수 있을 것"이라고 말했다.램버스가 고대역 전문기술과 전력효율 신호기술을 결합하여 개발한 '모바일 메모리 이니셔티브'는 다음과 같은 주요 혁신기술들을 포함하고 있다.- 최저 스윙 차등 신호(Very Low-Swing Differential Signaling) — 차등 아키텍처의 강력한 신호를 혁신적인 회로 테크닉과 결합, 유효전력소비를 크게 감소시킴- 플렉스클로킹(FlexClocking)™ 아키텍처 — 클록 포워드 및 배포 기술로 고속 운영과 단순화된 D램 인터페이스 가능- 첨단전력상황관리 (Advanced Power State Management) — 플렉스클로킹 아키텍처와 함께 전력절감모드 간 신속한 교체를 가능하게 하고 다양한 사용 환경에서 최적화된 전력 효율 제공저전력 및 테라바이트 대역 이니셔티브와 더불어 화려한 수상경력의 XDR 메모리 아키텍처 개발 과정에서 발생한 다양한 혁신기술을 더욱 발전시킨 램버스 '모바일 메모리 이니셔티브'는 FlexPhase™와 마이크로쓰레딩 등의 주요 혁신기술들도 포함한다. 지난 19여 년간 램버스 엔지니어링 팀은 보다 빠른 신호와 저전력을 가능하게 하는 선도적이며 혁신적인 기술들을 개발해왔다. 전력효율이 높은 고성능 메모리 아키텍처의 연구 개발 및 설계에 주력하는 램버스는 첨단 회로설계, 고속 로직 인터페이스, 시스템 엔지니어링, 신호 무결성, 검증 및 테스팅 분야에 투자하고 있다. 램버스 엔지니어와 과학자들은 지속적으로 혁신기술을 개발해 왔으며 지금까지 세계적으로 1,200건 이상의 특허를 획득하거나 출원했다.
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