ST마이크로일렉트로닉스는 자사의 128-Mbit NAND 플래시 디바이스인 NAND128W3A2BN6E의 생산을 90nm 공정 기술로 이전했다고 발표했다. 90nm의 공정기술 축소로 디지털 스틸 카메라, 오디오 레코더, PDA, 셋톱박스(STB), 프린터 및 번들형 플래시 카드 등 가격에 민감한 가전제품에 널리 사용되는 메모리 칩의 비용과 전력 소모를 모두 감소시킨다. NAND128은 현재 업계에서 90nm 기술이 적용된 유일한 128-Mbit 플래시 메모리이다.ST는 저밀도 ‘소형 페이지(Small Page)’ NAND 플래시 메모리 제품 개발을 지속하여 새로운 칩을 출시하게 되었다. 또한 이미 양산 중인 제품군을 사용하고 있는 고객들도 지원한다. NAND128W3A2BN6E는 가전 애플리케이션용으로 제작된 TSOP 패키지의 3V 제품이다. 또한 3V 및 1.8V 의 두 버전으로 출시되고 있는 256-Mbit와 512-Mbit 제품군도 향후 수개월 내 120nm에서 90nm 기술로 이동할 예정이다.이 제품군의 모든 디바이스들은 주소 라인 및 데이터 입/출력 신호가 8비트 버스에서 다중화되므로, 핀 수가 감소하고 모듈식 NAND 인터페이스 사용이 가능하다. 따라서 제조업체는 설치면적을 변경하지 않고도 더 높은 (또는 더 낮은) 밀도의 디바이스를 사용하도록 시스템을 변경할 수 있다.메모리는 1024 공칭의 16kbyte 블록으로 구성되어 있으며, 각 블록은 페이지별로 판독 및 프로그래밍될 수 있는 512바이트의 페이지와 페이지당 여분의 16바이트로 분할되어 있다. 여분의 바이트는 일반적으로 오류 수정 코드, 소프트웨어 플래그 또는 불량 블록 식별에 사용된다. 재복사 프로그램 (Copy Back Program) 모드는 결함이 있는 블록으로 인하여 페이지 프로그램 (Page Program) 동작이 실패할 경우 데이터를 이동시키는 데 일반적으로 사용되는 외부 버퍼링 기능 없이도 한 페이지에 저장된 데이터를 직접 다른 페이지로 프로그래밍할 수 있게 해준다. Block Erase 명령이 제공되며 블록 지우기 시간은 2ms이다. 각 블록은 100,000회의 프로그램 및 지우기 사이클 및 10년간 데이터 유지가 가능하도록 설계되었다.이 디바이스의 ‘Chip Enable Don’t Care’ 기능은 마이크로 컨트롤러 인터페이스를 단순화시키고 NOR 플래시 및 SRAM 과 같은 다른 유형의 메모리와 결합할 때 NAND 플래시의 사용을 간소화시킨다. 고유 디바이스 ID는 공장에서 프로그래밍될 수 있으며 사용자 프로그래밍 가능한 시리얼 번호는 대상 어플리케이션에서 보안을 강화시킨다.NAND128W3A2BN6E는 현재 양산중이며 4 ~ 4.5 달러의 가격대에 무연 TSOP48 패키지로 제공되며 -40 ~ +85℃ 온도 범위에서 특성이 분석된다.
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