ST마이크로일렉트로닉스가 급속도로 성장하고 있는 난드(NAND) 플래시메모리 시장에 진출키 위해 하이닉스반도체와 협정을 체결했다.ST는 세계 4위의 노어(NOR)형 플래시메모리 제조사로, 앞으로 하이닉스반도체와 협력하여 난드 플래시메모리를 공동 개발하는 한편, 개발된 제품을 양사에서 같이 판매할 계회이다. 이와 관련, 올 하반기에 512Mbit 제품 출시를 시작으로 완벽한 난드 플래시 포트폴리오를 선보이기로 했다.ST와 하이닉스 간의 제휴에 대한 합의는 기술개발, 제품설계 및 제조물량을 포함하여 공동 포트폴리오 확장 등의 전분야에 이르게 된다.양사의 첫 번째 난드 플래시 제품은 플래시메모리 설계분야에서 입증된 ST의 기술력과 하이닉스의 SDRAM 공정기술 및 대량 제조의 노하우에 기반하여 제작될 예정이다. 최초의 제품은 서울에서 제조될 것이나 상호간의 출원에 대한 조항은 협정에 제시되어 있지 않다.참고: 노어 및 난드 플래시는 서로 다른 메모리 배열 구조를 사용하기 때문에 서로 다른 애플리케이션에서 각각의 기능을 발휘한다. 난드 메모리 셀은 노어의 40%정도 크기이며, 비트당 더 낮은 비용으로 작동한다. 또한 난드 메모리는 특히 순차 접근에 최적화되었는데, 이에 대한 실례로는 VCR 테이프의 재생하기와 유사한 대용량의 데이터가 순차적 어드레스로부터 정상적으로 판독되는 것이 있다. 이와는 반대로, 노어 플래시는 임의 접근이 빠르기 때문에 노어 구조가 프로그램 코드의 직접 실행에 이상적이다.역사적으로 노어형 제품들은 플래시 시장을 지배해왔으며, 2002년 80억 달러에 달하는 세계 시장의 4분의 3을 차지한다. 그러나 오늘날 난드 시장은 급속도로 성장하고 있으며, 난드 메모리가 더 적합한 데이터 종류인 스트리밍 비디오 클립과 같은 모바일 멀티미디어 기능에 대한 수요가 증가함으로써 성장이 더욱 가속화되고 있다.
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