신형 20V 제품 3종은 VRM10 스펙 및 차세대 프로세서에 필요한 전력조건을 만족시킨다.(2004년 2월 25일, 서울) – 전력용 반도체 리더인 인터내셔날 렉티파이어 코리아 (International Rectifier Korea: IR 코리아. 대표 스티븐 상, Stephen Tsang)는 DirectFET™ MOSFET 제품군에 속하는 3종의 신형 소자를 출시했다. 이 신형 20V N 채널 소자들은 첨단 전기통신 및 데이터통신 시스템뿐만 아니라 하이엔드 데스크탑 컴퓨터와 서버에 들어가는 차세대 인텔Ò 프로세서 및 AMD 프로세서용의 고주파, 고전류 DC-DC 컨버터와 VRM 10 전력시스템용으로 최적화되어 있다.IRF6623의 특징은 제어 MOSFET 성능이 강화되어 소자 동작저항과 게이트전하의 곱이 30% 감소한 점과 시장에서 거래되는 여타 고성능 20V 제어 MOSFET 대비 크기가 50% 감소된 점이다. 또, 4.5V에서의 RDS(on)와 Qg의 곱은 48.4mW-nC이며 밀러전하는 4.0nC으로 스위칭 손실이 줄어든다.IRF6620은 최대 35A 동기 MOSFET 애플리케이션으로 이상적이다. IRF6620은 Qg, Qgd, 및 QRR값이 매우 낮은데다 시장의 여타 고성능 20V 동기 MOSFET 보다 RDS(on) 값도 30% 향상되어 있다. 이 소자의 평균 RDS(on)값은 10V에서 2.1mW (최대 2.7mW)이다.IRF6609는 최고성능의 고전류(33A 이상) 동기 MOSFET 제품용으로 설계되었다. IRF6609도 게이트전하(Qg)와 밀러전하(Qgd)가 낮으며 역회복 전하(QRR)는 극히 낮은데다 평균 소자 동작저항(RDS(on))은 10V에서 1.6mW (최대 2.0mW)이다.IR코리아 스티븐 상 대표는 “DirectFET MOSFET 제품라인은 현재 다양한 크기의 다이별로 20V 및 30V 제품들을 포함하고 있어 설계자에 있어 회로 최적화를 위한 선택의 폭이 커진다”라며 “DirectFET 패키지의 ‘금속캔’ 구조가 이것을 가능하게 하는 핵심 특징으로 다이프리 패키지저항을 감소시키고 양면냉각을 지원한다. 이전의 표준 플라스틱 개별 패키지로는 불가능했던 일련의 설계상 장점을 이 신형 패키지가 대변하고 있다”고 설명했다.소자들의 데이터시트는 웹사이트 www.irf.com에서 얻을 수 있으며 신형 DirectFET MOSFET는 지금 구입 가능하다.
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