세계 최초로 90 나노미터 공정기술 기반2004년 2월 20일, 서울 – 인텔이 오늘 90 나노미터 공정기술이 적용되는 세계 최초의 노어(NOR)형 플래시 메모리를 출시했다고 발표했다. 인텔® 무선 플래시 메모리(Intel® Wireless Flash Memory)는 인텔의 플래시 메모리 기술 진화 과정에서 9세대에 해당하는 제품으로 무선 핸드셋 제조업체들이 필요한 고성능의 사양을 갖추고 있다.현지 시간으로 17일부터 19일까지 미국 캘리포니아주 샌프란시스코에서 열리고 있는 인텔 개발자 회의(IDF: Intel Developers Forum)에서 션 멀로니(Sean Maloney) 인텔 수석 부사장은 기조 연설을 통해, 90나노 미터 공정기술이 적용된 인텔 무선 플래시 메모리의 다이 (die) 사이즈가 이전 세대의 제품에 비해 약 50 퍼센트 더 작아짐에 따라, 비용이 절감되고 인텔의 생산능력은 두 배 이상 증가하여 소비자의 요구에 부응할 수 있을 것이라고 밝혔다. 올해말 판매될 첫번째 플래시 메모리 제품은 SBC (single-bit-per-cell) 구조에 한 개의 셀안에 두 배의 정보를 담을 수 있는 MLC 기술을 적용시킨 제품이다.톰 레이시(Tom Lacey) 인텔 플래시 제품 그룹 부사장은, “인텔 무선 플래시 메모리는 오늘날의 무선 어플리케이션을 위한 최상의 솔루션이다. 이 제품 하나에는 네 가지의 혁신 기술이 결합되어 있다. ▶저전압 1.8V에서의 동작 ▶직접적인 코드 실행 (현장실행) ▶향상된 생산 프로그래밍 ▶하나의 칩에 코드와 데이터 저장을 구현하는 기술이 바로 그 것이다. 이 네 가지 기술은 인텔의 무선 관련 고객들이 신뢰할 만한 최고 수준의 기기를 개발하는데 매우 중요한 요소가 된다.” 라고 말했다.90나노미터 공정기술이 적용되는 인텔 무선 플래시 메모리는 인텔® 스택트 칩 스케일 패키징 (Stacked-CSP) 생산 라인의 가장 최신 제품이다. 밀도에 관계없이 일반적인 패키지 핀 아웃과 인텔 플래시 소프트웨어 솔루션을 제공함으로써, 스택트 플래시 메모리의 통합과 업그레이드가 쉽게 이루어지고 기기를 설계하는 디자이너는 더 작은 공간 안에 더 많은 메모리를 넣을 수 있도록 해 준다. 인텔은 8mm x 11mm 에 해당하는 작은 사이즈의 패키지 안에 1GB에 이르는 밀도를 구현하기 위해서 고밀도 플래시 메모리 제품에 RAM을 유연하게 선택할 수 있게 한다.18년이 넘는 플래시 메모리 업계에서의 경험을 통해, 인텔은 노어형 플래시 메모리 시장에서 계속 선두 자리를 유지하고 있다. 인텔은 무선 시장 분야에서 최고의 플래시 메모리 공급자이며, 또한 소비가전 및 통신기기를 포함한 다른 어플리케이션들을 위한 솔루션도 제공하고 있다.가격과 출하시기90 나노 미터 공정기술에 기반한 인텔 무선 플래시 메모리는 4월에 64Mb의 밀도로 샘플이 나올 예정이다. 본격적인 양산은 올해 3분기에 가능할 것으로 예상되며 가격은 10,000개 단위로 구입시, 개당 미화 10.26달러이다. 인텔은 90 나노미터 공정 기반의 MLC 인텔 StrataFlash® 무선 메모리 샘플을 올해 말에 소개할 계획이다. 이 MLC 기기들은 256Mb와 512Mb의 각기 다른 밀도로, 다양한 스택트 컨피규레이션을 제공할 것이다.
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