한국, 2003년 11월 5일 - STMicroelectronics는 게이트 충전(Gate Charge)과 낮은 온도 저항(Thermal Resistance)을 감소시키는 매우 낮은 RDS(on)의 N-채널 MOSFET을 출시했다. 새로 출시된 이 제품은 고전류 DC/DC 컨버터에서 사용될 때 최상의 사양을 제공한다.STD150NH02L은 드레인에서 소스전압VDS 가 24V를 지원하고 최대 드레인 전류 ID 가 150A를 지원하는 N-채널 MOSFET이다. 이때 온저항 RDS(on)은 3.5mΩ이며, 10V 조건에서는 3mΩ, 5V 조건에서는 5mΩ으로 Conduction Loss를 줄이는 데 많은 도움이 된다.또한 이 제품은 낮은 게이트 충전 QG 을 확실히 보장할 수 있게 설계되어서 스위칭 손실을 줄일 수 있으며, 낮은 온도 저항(Thermal Resistance)의 특징이 있어 자체 전류 관리를 향상시켜 준다.STD150NH02L은 ST의 제 3세대 StripFET 제조 기술로 설계되었다. ST의0.6µm 독점 공정 기술은 유일한 금속화 기법과 본드리스 어셈블리 (bondless assembly) 기법을 이용해 표준 DPAK 아웃라인 패키지에서 좋은 성능을 얻고 있다. 이 제품은 특히 고출력 전류가 요구되는 고효율 컨버터에서 이용할 때 적합하다.
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